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Silicon Laboratories推出業(yè)界最具頻率彈性可在線編程CMOS時(shí)鐘發(fā)生器

  • 　　高性能模擬與混合信號(hào)IC領(lǐng)導(dǎo)廠商Silicon Laboratories (芯科實(shí)驗(yàn)室有限公司)今日發(fā)表業(yè)界最具頻率彈性可在線編程的CMOS時(shí)鐘發(fā)生器。新推出的8路時(shí)鐘發(fā)生器Si5350/51內(nèi)置壓控石英晶體振蕩器(VCXO)，能以單一時(shí)鐘IC取代傳統(tǒng)的多器件鎖相環(huán)(PLL)解決方案，與其他時(shí)鐘產(chǎn)品相比，Si5350/51可提供兩倍的頻率彈性，且可分別降低70%的抖動(dòng)和30%的功耗。
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低壓差穩(wěn)壓器（LDO）在系統(tǒng)中的應(yīng)用

  • 　低壓差穩(wěn)壓器(LDO)能夠在很寬的負(fù)載電流和輸入電壓范圍內(nèi)保持規(guī)定的輸出電壓，而且輸入和輸出電壓之差可以很小。這個(gè)電壓差被稱為壓降或裕量要求，在負(fù)載電流為2A時(shí)可以低至80mV。可調(diào)輸出低壓差穩(wěn)壓器1于1977年首
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如何建立一個(gè)小型獨(dú)立報(bào)警電路的CMOS

  • 如何建立一個(gè)小型獨(dú)立報(bào)警電路的CMOS　　說(shuō)明　　這是一種小型獨(dú)立報(bào)警電路的選擇。每個(gè)警報(bào)的主要特點(diǎn)是線路圖上描述自己。他們都具有非常低的待機(jī)電流。因此，他們非常適合電池供電。每個(gè)電路對(duì)將打印出一張A4紙。
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如何建立一個(gè)CMOS 4060防盜報(bào)警器

  • 　如何建立一個(gè)CMOS 4060防盜報(bào)警器　　說(shuō)明　　這是一個(gè)區(qū)域報(bào)警 - 自動(dòng)出入和警笛截止定時(shí)器。這將容納所有的常閉輸入設(shè)備一般類型 - 例如磁簧觸點(diǎn) - 鋁箔膠帶 - PIRs等，但它很容易添加一個(gè)常開(kāi)觸發(fā)。示意圖　　當(dāng)
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如何建立一個(gè)更簡(jiǎn)單的CMOS單防區(qū)報(bào)警

  • 　如何建立一個(gè)更簡(jiǎn)單的CMOS單防區(qū)報(bào)警器說(shuō)明　　這是一個(gè)簡(jiǎn)單的單區(qū)防盜報(bào)警電路。它的功能包括自動(dòng)出入境延誤和定時(shí)貝爾/警報(bào)器停產(chǎn)。它的設(shè)計(jì)是與常閉類型的輸入設(shè)備的正常使用，例如 - 磁簧聯(lián)系方式 - 微動(dòng)開(kāi)關(guān)
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如何構(gòu)建基于一個(gè)CMOS單防區(qū)報(bào)警器

  • 　如何構(gòu)建基于一個(gè)CMOS單防區(qū)報(bào)警器　　說(shuō)明　　該電路具有自動(dòng)出入延誤 - 計(jì)時(shí)鐘切斷 - 和系統(tǒng)重置。它為常開(kāi)和常閉開(kāi)關(guān)提供 - 并將滿足通常的輸入設(shè)備(壓力墊，磁簧接觸，鋁箔膠帶，PIRs和慣性傳感器)?！　∪绻G
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采用單一CMOS的電感測(cè)試儀的制作方案

  • 這個(gè)測(cè)試儀的基礎(chǔ)是一個(gè)皮爾茲CMOS緩沖振蕩器（圖一）。這種振蕩器采用單一CMOS逆變偏頻在其線性區(qū)域通過(guò)電阻R1 以形成一個(gè)高增益反相放大器。由于這個(gè)高增益，這個(gè)逆變器比一個(gè)非緩沖門消耗的功率低，甚至是很小的信
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一種新型高精度CMOS帶隙基準(zhǔn)源的設(shè)計(jì)

  • 提出一種標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝結(jié)構(gòu)的低壓、低功耗電壓基準(zhǔn)源，工作電壓為5～10 V。利用飽和態(tài)MOS管的等效電阻特性，對(duì)PTAT基準(zhǔn)電流進(jìn)行動(dòng)態(tài)電流反饋補(bǔ)償，設(shè)計(jì)了一種輸出電壓為1．3 V的帶隙基準(zhǔn)電路。使輸出基準(zhǔn)電壓溫度系數(shù)在-25～+120℃范圍的溫度系數(shù)為7．427pp-m／℃，在27℃時(shí)電源電壓抑制比達(dá)82 dB。該基準(zhǔn)源的芯片版圖面積為0．022 mm2，適用于低壓差線性穩(wěn)壓囂等領(lǐng)域。
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全新APS C格式1600萬(wàn)像素圖像傳感器進(jìn)入數(shù)碼單反相機(jī)市場(chǎng)

  • 　　CMOS成像技術(shù)的領(lǐng)先創(chuàng)新者ApTIna今日推出其高性能、功能豐富、APS-C格式的1600萬(wàn)像素的圖像傳感器。特別的設(shè)計(jì)令該產(chǎn)品可實(shí)現(xiàn)專業(yè)攝影師所要求的高畫質(zhì)，除了以10幀/秒的速度捕捉1600萬(wàn)像素的靜態(tài)圖像以外，新的MT9H004傳感器亦具備較高的靈敏度、較小的暗電流和較低的讀出噪聲。憑借該公司最新的動(dòng)態(tài)響應(yīng)(DR)像素技術(shù)創(chuàng)新(稱為Aptina DR-Pix技術(shù))，新的APS-C格式成像解決方案在低亮度條件下可增加5分貝的信噪比(SNR)，而無(wú)需犧牲高亮度環(huán)境中的表現(xiàn)。高亮度下的最大信噪比可達(dá)
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CMOS技術(shù)將迎來(lái)轉(zhuǎn)折點(diǎn) 開(kāi)始從15nm工藝向立體晶體管過(guò)渡

  • 　　邏輯LSI的基本元件——CMOS晶體管的發(fā)展估計(jì)將在2013年前后15nm工藝達(dá)到量產(chǎn)水平時(shí)迎來(lái)重大轉(zhuǎn)折點(diǎn)。將由現(xiàn)行的平面型晶體管向具備三維溝道的立體型晶體管過(guò)渡。美國(guó)英特爾及臺(tái)灣臺(tái)積電(TSMC)等知名半導(dǎo)體廠商均已開(kāi)始表現(xiàn)出這種技術(shù)意向。LSI的制造技術(shù)發(fā)生巨變之后，估計(jì)也會(huì)對(duì)各公司的微細(xì)化競(jìng)爭(zhēng)帶來(lái)影響。 　　元件材料及曝光技術(shù)也會(huì)出現(xiàn)轉(zhuǎn)折 　　“估計(jì)一多半的半導(dǎo)體廠商都會(huì)在15nm工藝時(shí)向FinFET過(guò)渡”(英特爾)。“在20nm以
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基于CMOS工藝的鋸齒波振蕩電路的設(shè)計(jì)

  • 　　本文以比較器為基本電路，采用恒流源充放電技術(shù)，設(shè)計(jì)了一種基于1.0mu;m CMOS工藝的鋸齒波振蕩電路，并對(duì)其各單元組成電路的設(shè)計(jì)進(jìn)行了闡述。同時(shí)利用Cadence Hspice仿真工具對(duì)電路進(jìn)行了仿真模擬，結(jié)果表明，鋸
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數(shù)字式CMOS攝像頭在智能車中的應(yīng)用

  • 摘要：介紹數(shù)字式CMOS攝像頭MT9M011的工作方式；提出MT9M011在基于HCSl2單片機(jī)的智能車控制系統(tǒng)中的應(yīng)用方案，針對(duì)采集圖像時(shí)遇到的問(wèn)題給出了相應(yīng)的解決方法；分析數(shù)字式CMOS攝像頭相對(duì)于模擬攝像頭的優(yōu)勢(shì)和不足。
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Aptina推出8MP完備相機(jī)解決方案

  • 　　CMOS成像技術(shù)的領(lǐng)先創(chuàng)新者Aptina宣布推出其新款功能豐富的8MP CCS8140成像解決方案。CCS8140解決方案利用公司在像素、處理和封裝方面的創(chuàng)新技術(shù)，將高品質(zhì)MT9E013 8MP CMOS影像傳感器與Aptina™ MT9E311成像協(xié)處理器完美結(jié)合，同時(shí)其各方面的處理速度保持在與獨(dú)立影像處理器類似的水平。經(jīng)全面調(diào)節(jié)的Aptina CCS8140整套相機(jī)解決方案可提供一流的影像品質(zhì)，同時(shí)僅需極少的調(diào)節(jié)和傳感器調(diào)整即可完成最終產(chǎn)品設(shè)計(jì)。該解決方案不僅可以為移動(dòng)手持設(shè)備OEM和
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GSA硅片代工價(jià)格Q2下降

  • 　　按全球半導(dǎo)體聯(lián)盟GSA經(jīng)過(guò)調(diào)查后的報(bào)道，全球2010年Q2的硅片代工價(jià)格與上個(gè)季度相比下降。 　　為了支持與促進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展，一家非盈利組織GSA的報(bào)告，用于CMOS制造的200mm直徑代工硅片的中間價(jià)格環(huán)比下降9.5%，而同類的300mm硅片代工價(jià)格環(huán)比沒(méi)有改變，每片平均仍為3200美元。 　　據(jù)GSA說(shuō)，調(diào)查的參與者也報(bào)道200mm CMOS工藝的掩模價(jià)格下降，在連續(xù)兩個(gè)季度價(jià)格上升之后，環(huán)比中間價(jià)格下降12%。而300mm CMOS工藝的掩模中間價(jià)沒(méi)有改變，而且已連續(xù)達(dá)3個(gè)季度。 　　
  • 關(guān)鍵字： 硅片  CMOS  200mm  
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