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海力士將于5月決定8寸晶圓廠未來　

  • 　　海力士(Hynix)唯一還在運作中的8寸晶圓廠M8產(chǎn)線，下周將確定往后的運用方案，海力士的選擇受到業(yè)界矚目。海力士正在尋找解決辦法，因為持續(xù)運作，早晚會遭遇收益性問題，而要以出銷方式處理也不是件容易的事情。部分IC設計業(yè)者提議將此設施作為代工專用廠使用，另外也有建構(gòu)成韓國代表性純代工廠的意見。 　　海力士社長權(quán)五哲22日在財報說明會中，針對M8 廠是否會改變?yōu)榇Ｓ脧S的問題表示，目前正在多方探討M8廠長期性的活用方案，5月底前可定案。 　　位于韓國忠清北道清州的M8廠主要生產(chǎn)低容量快閃存儲器，并
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CMOS圖像傳感器IBIS5-B-1300的驅(qū)動時序設計

  • 介紹Cypress公司的圖像傳感器IBIS5-B-1300，分析其特性和工作原理，并對其兩種快門方式進行了比較。在此基礎(chǔ)上設計它所需要的時序控制電路。選用Xilinx公司的Spartan3系列FPGA芯片XC3S50作為硬件設計平臺，對采用不同配置和快門的時序控制電路進行了仿真。實驗結(jié)果表明，設計的驅(qū)動電路能夠滿足成像器的工作需求。
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全球最大容量 爾必達4Gb DDR3顆粒開發(fā)完成

  • 　　日本DRAM大廠爾必達今天宣布，已經(jīng)成功開發(fā)出4Gbit容量DDR3內(nèi)存顆粒。這是目前市場上DDR3顆粒的最大容量，只需單面8顆即可組成 4GB容量內(nèi)存條，雙面16顆即可構(gòu)成單條8GB內(nèi)存。該顆粒使用40nm CMOS工藝制造，相比同工藝的2Gb顆?？晒?jié)能30%。支持x4、x8、x16 bit位寬，其中x4/x8位寬版本采用78-ball FBGA封裝，x16bit產(chǎn)品采用96-ball FBGA封裝。除DDR3標準的1.5V電壓外，還可支持1.35V低壓標準。 　　爾必達計劃將該顆粒使用在單條32
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低成本CMOS圖像傳感器對醫(yī)學技術(shù)的推動作用

  • 低成本CMOS圖像傳感器對醫(yī)學技術(shù)的推動作用, 醫(yī)學技術(shù)一直是CCD(電荷耦合設備)圖像傳感器的重要應用領(lǐng)域之一?，F(xiàn)在，CMOS傳感器已進入高速發(fā)展時期。究其原因，首先，CMOS圖像質(zhì)量可與CCS圖像相媲美。其次，利用標準半導體制造工藝，CMOS傳感器在價格方面占據(jù)很
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臺積電讓大家感到驚奇的7件事

  • 　　象過去多年來一樣, 在今年的會上臺積電也爆出讓人感到驚奇的新工藝技術(shù)。它的新工藝路線圖, 包括CMOS,Analog,MEMS,RF等領(lǐng)域。以下是在一天的會中對于會議的觀察及感受; 　　1,Morris張去年79歲高令重新執(zhí)掌臺積電, 那時正值全球IC業(yè)混亂時代, 它又重新?lián)P帆啟航。但是在此次會上見到張時仍是如1990年首次見到它時那樣精力充沛而健談。更重要的是在公司經(jīng)歷40nm的風波后,它似乎為客戶重塑了信心及在它的掌舵下公司又重新采取積極的投資, 研發(fā)與招工策略, 張認為至今年底公司將從今日的2
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三星宣布新型CMOS傳感器量產(chǎn)技術(shù)

  • 韓國三星電子宣布提高CMOS傳感器靈敏度的背面照射技術(shù)達到了實用化水平，2010年將批量生產(chǎn)產(chǎn)品。至此，三家大型...
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張忠謀談半導體業(yè) 需要加強合作

  • 　　臺積電總裁張忠謀認為,雖然近期IC業(yè)的形勢越來越好, 但是產(chǎn)業(yè)還是面臨諸多挑戰(zhàn)。 　　在近期舉行的臺積電技術(shù)會上張忠謀表示,摩爾定律正在減緩和芯片制造成本越來越高，因此臺積電將比過去在芯片制造商與代工之間更加加強緊密合作。 　　它對于大家說,此種合作關(guān)系要從芯片設計開始, 并相信未來臺積電會做得更好。 　　它同時指出，加強合作要依技術(shù)為先。從技術(shù)層面, 那些老的，包括新的代工競爭者, 如GlobalFoundries,Samsung及UMC,對于臺積電都能構(gòu)成大的威脅。 　　非常幸運, 大部分
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低功耗高轉(zhuǎn)換速率CMOS模擬緩沖器

  • 提出了減小輸入電容的軌到軌電壓緩沖器。軌到軌操作不僅在電路的輸出端，同樣在電路的輸入端實現(xiàn)。所介紹電路的AB特性導致了低功耗和高的轉(zhuǎn)換速率，使它很適合驅(qū)動大的電容負載。仿真結(jié)果已經(jīng)提供了該電路的操作。
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CMOS集成CD4013觸摸開關(guān)

  • 這個電路是使用，CMOS集成電路CD4013雙D正反器，分別接成一個單穩(wěn)態(tài)電路和一個雙穩(wěn)態(tài)電路。單穩(wěn)態(tài)電路的作用是對觸摸信號進行脈波寬度整形，保證每次觸摸動作都可靠。雙穩(wěn)態(tài)電路用來驅(qū)動晶體管Q1的開通或關(guān)閉，進而控
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基于3GHz CMOS低噪聲放大器優(yōu)化設計

  • 　摘 要： 基于0.18 μm CMOS工藝，采用共源共柵源極負反饋結(jié)構(gòu)，設計了一種3 GHz低噪聲放大器電路。從阻抗匹配及噪聲優(yōu)化的角度分析了電路的性能，提出了相應的優(yōu)化設計方法。仿真結(jié)果表明，該放大器具有良好的性能
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5.6GHz CMOS低噪聲放大器設計

  • 摘要：分析了一種射頻COMS共源-共柵低噪聲放大器的設計電路，采用TSMC 90nm低功耗工藝實現(xiàn)。仿真結(jié)果表明：在5．6GHz工作頻率，電壓增益約為18．5dB；噪聲系數(shù)為1．78dB；增益1dB壓縮點為-21．72dBm；輸入?yún)⒖既A交
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CMOS探測器在射線檢測中的設計應用

  • 概述：以CMOS探測器為記錄介質(zhì)的數(shù)字化射線檢測技術(shù)，檢測精度高、溫度適應性好、結(jié)構(gòu)適應性強。CMOS射線掃描探測器探測單元排成線陣列，需要在檢測時進行相對掃描運動，逐線采集并拼成完整的透照投影圖像。介紹了檢
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基于單晶片CMOS語音合成的ASIC設計

  • 引言　　近年語音集成電路獲得迅速發(fā)展，其應范圍越越廣，自動售貨機、ATM柜員機，部直通電話機以及玩具等方面應量語音合成芯片。該芯片部采脈寬調(diào)制，數(shù)字信號確還原成模擬信號，從而使得電路輸出端不需接D/A轉(zhuǎn)換；
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淺析：視頻監(jiān)控相關(guān)技術(shù)發(fā)展與市場動向

DSP內(nèi)嵌PLL中的CMOS壓控環(huán)形振蕩器設計

  • DSP內(nèi)嵌PLL中的CMOS壓控環(huán)形振蕩器設計,本文設計了一種應用于DSP內(nèi)嵌鎖相環(huán)的低功耗、高線性CM0S壓控環(huán)形振蕩器。電路采用四級延遲單元能方便的獲得正交輸出時鐘，每級采用RS觸發(fā)結(jié)構(gòu)來產(chǎn)生差分輸出信號，在有效降低靜態(tài)功耗的同時．具有較好的抗噪聲能力。在延遲單元的設計時。綜合考慮了電壓控制的頻率范圍以及調(diào)節(jié)線性度，選擇了合適的翻轉(zhuǎn)點。 仿真結(jié)果表明．電路叮實現(xiàn)2MHz至90MHz的頻率調(diào)節(jié)范圍，在中心頻率附近具有很高的調(diào)節(jié)線性度，可完全滿足DSP芯片時鐘系統(tǒng)的要求。
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