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2009年全球圖像傳感器市場規(guī)模預(yù)測

  •   市場研究機構(gòu)StrategiesUnlimited指出,全球圖像傳感器市場將在09年縮水11%,來到64億美元規(guī)模,不過接下來將逐漸恢復(fù)正常成長。該機構(gòu)預(yù)期,未來數(shù)年該市場的平均年成長率會維持在個位數(shù);到09年為止,其十年來的復(fù)合年成長率高達22%。   圖像傳感器市場在2009年的衰退主要是受到全球經(jīng)濟景氣循環(huán)影響,而這樣的負(fù)面影響恐怕會持續(xù)下去,特別是在該市場因為幾乎所有手機都內(nèi)建相機而經(jīng)歷爆炸性成長之后。未來幾年,預(yù)計圖像傳感器的銷售量仍將呈現(xiàn)成長,但短期需求波動、供應(yīng)過剩或吃緊,以及沉重的價
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基于0.13μm CMOS工藝的快速穩(wěn)定的高增益Telescop

  • 近年來,軟件無線電(Software Radio)的技術(shù)受到廣泛的關(guān)注。理想的軟件無線電臺要求對天線接收的模擬信號經(jīng)過放大后直接采樣,但是由于通常射頻頻率(GHz頻段)過高,技術(shù)上所限難以實現(xiàn),而多采用中頻采樣的方法。而對
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高性能CMOS集成電壓比較器設(shè)計


  • 電壓比較器是對輸入信號進行鑒幅與比較的電路,其功能是比較一個模擬信號和另一個模擬信號(參考信號),并以輸出比較得到的二進制信號。其在A/D轉(zhuǎn)換器、數(shù)據(jù)傳輸器、切換功率調(diào)節(jié)器等設(shè)備中有著廣泛的應(yīng)用。在
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耶魯大學(xué)與SRC公司聯(lián)合開發(fā)下一代內(nèi)存芯片技術(shù)FeDRAM

  •   SRC公司與耶魯大學(xué)的研究者們周二宣布發(fā)明了一種能顯著提高內(nèi)存芯片性能的新技術(shù)。這項技術(shù)使用鐵電體層來替換傳統(tǒng)內(nèi)存芯片中的電容結(jié)構(gòu)作為基本的存儲 單元,科學(xué)家們將這種內(nèi)存稱為鐵電體內(nèi)存(FeDRAM),這種內(nèi)存芯片的存儲單元將采用與CMOS微晶體管類似的結(jié)構(gòu),不過其門極采用鐵電體材料而不是傳統(tǒng)的電介質(zhì)材料制作。   這種技術(shù)能使存儲單元的體積更小,信息的保存時間比傳統(tǒng)方式多1000倍左右,刷新的時間間隔可以更大,因此耗電量也更小,還可以像閃存芯片中那樣在一個存儲單元中存儲多位數(shù)據(jù)。此外,有關(guān)的制
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CMOS圖像傳感器集成A/D轉(zhuǎn)換器技術(shù)的研究

  • 片上集成A/D轉(zhuǎn)換器是CMOS圖像傳感器的關(guān)鍵部件,文章分析和比較了三類不同集成方式:芯片級,列級和象素級的原理,性能和特點。最后,展望了CMOS圖像傳感器上集成A/D轉(zhuǎn)換器的未來發(fā)展趨勢。
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國產(chǎn)芯片已達國際主流芯片品質(zhì)

  •   今年國內(nèi)拉動內(nèi)需,特別是3G的啟動建設(shè)和FTTH進入實質(zhì)性的發(fā)展階段,使光模塊市場一片紅火,預(yù)計今年我們可實現(xiàn)60%的業(yè)務(wù)增長。   由于對IC行業(yè)來說光通信市場不大,所以光收發(fā)IC芯片的供應(yīng)商并不是很多,在國內(nèi)我們是第一家量產(chǎn)高速收發(fā)芯片的IC公司。   國內(nèi)芯片企業(yè)的優(yōu)勢主要是在成本上,研發(fā)成本、管理成本、銷售成本都比國外企業(yè)要低。對IC來說,基于同樣的工藝,制造成本幾乎是一樣的。要取得制造成本的優(yōu)勢必須發(fā)揮技術(shù)優(yōu)勢,采用相對低成本的工藝,做出同樣的產(chǎn)品性能。我們采用CMOS工藝的收發(fā)IC芯片
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一種快速響應(yīng)LDO環(huán)路設(shè)計

  • 1 引 言低壓差線性穩(wěn)壓器LDO(Low Drop-Out regulator)在便攜式電子設(shè)備供電系統(tǒng)中有著越來越廣泛的應(yīng)用。本文根據(jù)LDO穩(wěn)壓器的結(jié)構(gòu)特點,設(shè)計一種快速響應(yīng)通路,通過對高頻或快速變化的輸出電壓反饋,使誤差放大器輸出
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ST慶祝Nano2012框架協(xié)議正式啟動

  •   意法半導(dǎo)體和法國電子信息技術(shù)實驗室CEA-LETI宣布,法國經(jīng)濟、工業(yè)和就業(yè)部長,以及國家和地區(qū)政府的代表、CEA-LETI和意法半導(dǎo)體的管理層,齊聚法國格勒諾布爾(Grenoble)市的Crolles分公司,共同慶祝Nano2012研發(fā)項目正式啟動。IBM的代表也參加了啟動儀式。IBM公司是意法半導(dǎo)體和CEA-LETI的重要合作伙伴,與雙方簽署了重要的技術(shù)開發(fā)協(xié)議。   Nano2012是由意法半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)的國家/私營戰(zhàn)略研發(fā)項目,聚集研究院和工業(yè)合作伙伴,得到法國國家、地區(qū)和本地政府的財政支持,旨
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英飛凌新推出一款單片線性穩(wěn)壓器

  •   英飛凌科技股份公司今日推出全球首款集成診斷和車載無線電系統(tǒng)保護功能的單片線性穩(wěn)壓器,進一步擴展了汽車信息娛樂應(yīng)用產(chǎn)品陣容。用于汽車信息娛樂系統(tǒng)有源天線應(yīng)用的TLF 4277低壓降(LDO)穩(wěn)壓器,具備可調(diào)的輸出電壓,可支持多數(shù)標(biāo)準(zhǔn)有源天線,包括FM/AM、DAB(數(shù)字音頻廣播)、XM 和SIRIUS衛(wèi)星無線波段。由于集成電流監(jiān)控和可調(diào)電流限值功能,TLF 4277可使有源天線應(yīng)用所需的分立式組件數(shù)量減少近50%。   目前,全球生產(chǎn)的95%以上的車輛采用有源天線進行無線電節(jié)目接收。有源天線尺寸較小,
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豪威CMOS傳感器量產(chǎn) 擴大對臺積電訂單

  •   CMOS影像傳感器(CMOS Image Sensor)大廠豪威科技(OmniVision)與臺積電合作,采用最新背面照度(Backside Illumination,BSI)制程的傳感器新產(chǎn)品,陸續(xù)獲得一線智能型手機OEM廠設(shè)計案(design win),預(yù)計本季度開始大量出貨。   豪威已開始擴大對臺積電下單,臺積電(2330)也已完成1.1微米間距BSI制程傳感器的功能測試,并計畫在12寸廠以65納米投片。
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從快生活到優(yōu)生活“新摩爾定律”主導(dǎo)半導(dǎo)體業(yè)創(chuàng)新

  •   幾十年來,摩爾定律所闡述的生產(chǎn)力效益定律一直是半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展的驅(qū)動力。它催生了數(shù)字處理器、寬帶和大容量存儲器。這些技術(shù)大幅提升了PC、手機等產(chǎn)品的生產(chǎn)力。然而,經(jīng)濟學(xué)正給半導(dǎo)體行業(yè)帶來革命性轉(zhuǎn)變。未來,“新摩爾定律”將發(fā)揮重要作用。   產(chǎn)品研發(fā)從性能驅(qū)動轉(zhuǎn)為經(jīng)濟學(xué)驅(qū)動   半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是個相對年輕的產(chǎn)業(yè)。自摩爾定律預(yù)測芯片上晶體管的數(shù)量每18個月翻一番以來,半導(dǎo)體器件制造商一直追求生產(chǎn)力的提升。這一定律確實沒錯。如今消費應(yīng)用的SoC可能集成了幾億個晶體管。然而,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正
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MEMS代工產(chǎn)業(yè)呈高度分散與高競爭性

  •   法國市場研究機構(gòu)Yole Development針對微機電系統(tǒng)(MEMS)市場發(fā)表最新報告指出,目前全球至少50家公司正在提供MEMS代工服務(wù),使得該領(lǐng)域變得高度分散與高競爭性,但又是整體MEMS產(chǎn)業(yè)不可缺少的一塊。   Yole表示,大型的開放MEMS代工廠現(xiàn)在都很賺錢,并開始升級到8吋晶圓制程;不過由于MEMS在消費性應(yīng)用領(lǐng)域的高成長性,以及來自其它高潛力應(yīng)用市場的商機,也吸引了許多來自主流半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的新進者投入競爭。   Yole并指出,由于這些來自半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的新進者,具備能結(jié)合CMOS技術(shù)
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適合高效能模擬應(yīng)用的線性電壓穩(wěn)壓器

韓國三星發(fā)布采用45nm工藝技術(shù)的應(yīng)用處理器

  •   韓國三星電子發(fā)布了采用45nm低功耗CMOS工藝技術(shù)的應(yīng)用處理器“S5P6440”。其特點是圖形性能高、功耗及成本低等。適用于PND等家電產(chǎn)品。   該處理器配備有英國ARM工作頻率533MHz或667MHz的CPU內(nèi)核“ARM1176”。CPU內(nèi)核、芯片上的所有硬件加速器及周邊部件接口均由工作頻率166MHz、64bit總線“AXI”連接。   還配備有支持現(xiàn)行及新一代多值NAND閃存的錯誤訂正用硬件,以及支持移動DDR或D
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