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IMEC擴(kuò)建研究基地 新增實(shí)驗(yàn)室面積2800平方米

  • 　　比利時(shí)納電子研究中心IMEC日前宣布擴(kuò)建位于魯汶的研究基地，實(shí)驗(yàn)室面積將新增2800平方米，其中包括高端凈化間。擴(kuò)建后，IMEC將加強(qiáng)32nm以下節(jié)點(diǎn)CMOS技術(shù)、低成本高效率太陽能電池和生物電子等技術(shù)的研究。IMEC同時(shí)還計(jì)劃在今年興建一座新的辦公大樓。 　　目前IMEC擁有工作人員約1650人。擴(kuò)建后，IMEC預(yù)計(jì)將在未來幾年新增300個(gè)工作崗位。
  • 關(guān)鍵字： IMEC  CMOS  

基于高分辨率CMOS傳感器圖像采集系統(tǒng)的實(shí)現(xiàn)

  • 隨著CMOS技術(shù)的發(fā)展，原來CMOS圖像傳感器比CCD噪聲大的特點(diǎn)得到大大改善，并且以其成本低、功耗低、單一工作電壓、集成AD轉(zhuǎn)換器、數(shù)字形式數(shù)據(jù)輸出、圖像大小可編程控制等優(yōu)點(diǎn)，在攝像頭、微型數(shù)碼照相機(jī)、掃描儀、手
  • 關(guān)鍵字： 采集  系統(tǒng)  實(shí)現(xiàn)  圖像  傳感器  分辨率  CMOS  基于  MT9T001  TMS320C6711  EMIF  DSP  CCD  CPLD  

基于USB2.O的CMOS圖像采集系統(tǒng)的設(shè)計(jì)

無線設(shè)備中CMOS頻率源的應(yīng)用趨勢(shì)

  • 采用CMOS技術(shù)提供頻率參考源比采用傳統(tǒng)頻率發(fā)生方法有更多的優(yōu)點(diǎn)。而最近發(fā)布的CMOS時(shí)鐘發(fā)生器主要是針對(duì)有線應(yīng)用設(shè)計(jì)的，可以在高頻率下工作、尺寸小和易于集成的優(yōu)點(diǎn)使其能夠非常容易地?cái)U(kuò)展到更加廣泛的無線應(yīng)用中。在有些應(yīng)用中，CMOS振蕩器可以為那些要求嚴(yán)格的產(chǎn)品改善性能；而在另外一些應(yīng)用中，通過它們就能夠設(shè)計(jì)出全新的無線產(chǎn)品且避免使用非半導(dǎo)體器件。
  • 關(guān)鍵字： 應(yīng)用  趨勢(shì)  頻率  CMOS  設(shè)備  無線  

3G中的CMOS基RF集成

  • 用戶需要更小更便宜的手機(jī),在手持裝置中得到快速服務(wù)和更多功能。這正在促使業(yè)界加速創(chuàng)新解決方案,降低成本使產(chǎn)品盡快上市。這種外加壓力,使制造商重新考慮解決這些問題的技術(shù)?！　」杓夹g(shù)和集成關(guān)鍵元件單元(如RF 收
  • 關(guān)鍵字： 集成  RF  CMOS  3G  3G  CMOS基  RF集成  RF前端  WCDMA  

晶圓代工廠發(fā)展MEMS的唯一要訣：找到強(qiáng)大的設(shè)計(jì)伙伴

  •         1位伊朗人30多年前獨(dú)自來到美國(guó)柏克萊大學(xué)念書，自畢業(yè)后為了一圓其大學(xué)時(shí)期對(duì)于MEMS的夢(mèng)想，前前后后共創(chuàng)立了多達(dá)6家的MEMS設(shè)計(jì)公司，而第6家公司InvenSense在其正式開張前，就已花了1年多時(shí)間在家埋頭苦干，開創(chuàng)出1套前無古人的MEMS設(shè)計(jì)公司營(yíng)運(yùn)模式，如今看來他對(duì)了，至今InvenSense成為任天堂Wii下世代Wii Motion Plus游戲搖桿的唯一陀螺儀供應(yīng)商，而讓所有MEMS業(yè)界為之瞠目結(jié)舌的是，
  • 關(guān)鍵字： MEMS  IC  晶圓  CMOS  

CMOS 集成電路使用時(shí)的技術(shù)要求

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
  • 關(guān)鍵字： CMOS  集成電路  二極管  

3G中的CMOS基RF集成(05-100)

  • 　　用戶需要更小更便宜的手機(jī),在手持裝置中得到快速服務(wù)和更多功能。這正在促使業(yè)界加速創(chuàng)新解決方案,降低成本使產(chǎn)品盡快上市。這種外加壓力,使制造商重新考慮解決這些問題的技術(shù)。
  • 關(guān)鍵字： 3G  CMOS  RF  

德州儀器OMAP36x 應(yīng)用處理器進(jìn)一步壯大 OMAP? 3 產(chǎn)品陣營(yíng)

  •         先進(jìn)的 45 納米 CMOS 工藝技術(shù)顯著提升智能電話及移動(dòng)因特網(wǎng)設(shè)備性能并降低其功耗，充分滿足各種移動(dòng)性能需求         2009年2月18日，北京訊         日前，德州儀器 (TI) 宣布推出全新OMAP™ 3 系列的 45 納米產(chǎn)品，可充分滿足
  • 關(guān)鍵字： 德州儀器  TI  CMOS  OMAP?   2D/3D   OpenGL ES  ISP  

多樣化手機(jī)設(shè)計(jì)需要恰當(dāng)?shù)腟oC與SiP混合

  • “單芯片手機(jī)”的概念是指利用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的工藝技術(shù)和傳統(tǒng)硅集成趨勢(shì)將手機(jī)功能整合在一塊裸片上。但對(duì)于蜂窩...
  • 關(guān)鍵字： 單芯片手機(jī)  SoC  SiP  CMOS  

新日本無線開發(fā)出雙電路低噪聲CMOS單電源運(yùn)算放大器

  • 新日本無線開發(fā)完成了雙電路低噪聲CMOS單電源軌至軌輸出運(yùn)算放大器NJU7029，該產(chǎn)品最適用于加速度傳感器、震蕩傳感器和光傳感器的信號(hào)處理。 NJU7029是雙電路CMOS運(yùn)算放大器，實(shí)現(xiàn)了低噪聲(13nV/√Hz typ. at f="1kHz")、增益寬帶(3MHz)、低電壓工作(2.2V～5.5V)，并且具有輸入偏置電流為1pA(typ.)的高輸入阻抗特性，即便是加速度、震蕩、光等各種傳感器的微小輸入信號(hào)也能準(zhǔn)確地放大。 NJU7029具有軌至軌輸出特性，實(shí)現(xiàn)
  • 關(guān)鍵字： 新日本無線  運(yùn)算放大器  CMOS  低噪聲  

基于CPLD的高幀頻CMoS相機(jī)驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)

  • 依據(jù)Micon公司MI―MVl3型高幀頻互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)圖像傳感器驅(qū)動(dòng)控制時(shí)序關(guān)系，設(shè)計(jì)了高幀頻相機(jī)驅(qū)動(dòng)控制時(shí)序。選用Actel公司復(fù)雜的可編程邏輯器件及其開發(fā)系統(tǒng)，并利用硬件描述語言實(shí)現(xiàn)了驅(qū)動(dòng)時(shí)序及控制時(shí)序。實(shí)驗(yàn)表明，設(shè)計(jì)的控制驅(qū)動(dòng)時(shí)序完全能滿足圖像傳感器的要求。
  • 關(guān)鍵字： CPLD  CMoS  幀  相機(jī)    

富士通開發(fā)出適用于功率放大器的CMOS邏輯高壓晶體管

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
  • 關(guān)鍵字： CMOS  富士通  WiMAX  

低功耗低噪聲CMOS放大器設(shè)計(jì)與優(yōu)化

  • 分析了兩種傳統(tǒng)的基于共源共柵結(jié)構(gòu)的低噪聲放大器LNA技術(shù)：實(shí)現(xiàn)噪聲優(yōu)化和輸入匹配SNIM技術(shù)并在功耗約束下同時(shí)實(shí)現(xiàn)噪聲優(yōu)化和輸入匹配PCSNIM技術(shù)。針對(duì)其固有不足，提出了一種新的低功耗、低噪聲放大器設(shè)計(jì)方法。
  • 關(guān)鍵字： CMOS  低功耗  低噪聲  放大器設(shè)計(jì)    

SoC與SiP各有千秋 兩者之爭(zhēng)仍將繼續(xù)

  • 　　對(duì)生命周期相對(duì)較長(zhǎng)的產(chǎn)品來說，SoC將繼續(xù)作為許多產(chǎn)品的核心；而若對(duì)產(chǎn)品開發(fā)周期要求高、生命周期短、面積小、靈活性較高，則應(yīng)使用SiP。 　　現(xiàn)代集成技術(shù)已經(jīng)遠(yuǎn)遠(yuǎn)超越了過去40年中一直以摩爾定律發(fā)展的CMOS(互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體)工藝。人們正在為低成本無源元件集成和MEMS(微機(jī)電系統(tǒng))傳感器、開關(guān)和振蕩器等電器元件開發(fā)新的基于硅晶的技術(shù)。這意味著與集成到傳統(tǒng)CMOS芯片相比，可以把更多的功能放到SiP封裝(系統(tǒng)級(jí)封裝)中，這些新技術(shù)并不會(huì)替代CMOS芯片，而只是作為補(bǔ)充。 　　如果
  • 關(guān)鍵字： SoC  CMOS  SiP  
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