cmos-ldo 文章進(jìn)入cmos-ldo技術(shù)社區(qū)

韓國(guó)半導(dǎo)體代工廠MagnaChip已申請(qǐng)破產(chǎn)保護(hù)

　　Thomson Reuters12日?qǐng)?bào)導(dǎo)，法院相關(guān)文件顯示，南韓CMOS影像傳感器廠商MagnaChipSemiconductor Ltd.以及旗下5家子公司已于美國(guó)德拉瓦(Delaware)州地方法院依據(jù)破產(chǎn)法第11章聲請(qǐng)破產(chǎn)保護(hù)。根據(jù)報(bào)導(dǎo)，MagnaChip列出的資產(chǎn)總額達(dá)5,000萬(wàn)美元，負(fù)債則超過(guò)10億美元。　　2004年10月自Hynix獨(dú)立出來(lái)的MagnaChip總部設(shè)于南韓首爾。Magnachip為模擬及先進(jìn)混合信號(hào)制程的專業(yè)半導(dǎo)體代工廠商，且為力旺于韓國(guó)首位取得合作的半導(dǎo)體代工策略
關(guān)鍵字： Magnachip CMOS 傳感器液晶顯示器驅(qū)動(dòng)芯片微控制器

NEC和東芝將擴(kuò)展與IBM的芯片技術(shù)協(xié)議

　　NEC電子公司(NEC Electronics Corp.)和東芝公司(Toshiba Corp.)同意擴(kuò)展與IBM Corp.的研發(fā)協(xié)議，允許聯(lián)合開(kāi)發(fā)使用于消費(fèi)者產(chǎn)品的28 納米半導(dǎo)體技術(shù)。　　這三家公司18日表示，兩家日本公司將與IBM一起開(kāi)發(fā)28納米互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體 (CMOS)技術(shù)。在IBM紐約州East Fishkill的工廠，該團(tuán)隊(duì)還將包括Infineon Technologies和三星電子公司(Samsung Electronics Co.)。　　東芝公司2007年12月加
關(guān)鍵字： NEC CMOS 28納米半導(dǎo)體

高性能小型化成霍爾傳感器未來(lái)發(fā)展方向

　　霍爾傳感器是一種基于霍爾效應(yīng)的器件，它能實(shí)現(xiàn)磁電轉(zhuǎn)換，可用于檢測(cè)磁場(chǎng)及其變化。　　霍爾效應(yīng)雖然在1879年才被發(fā)現(xiàn)，但是直到20世紀(jì)50年代才出現(xiàn)了對(duì)其的應(yīng)用，然而器件成本很高。1965年，人們開(kāi)始將霍爾傳感器集成進(jìn)硅芯片中，從而促進(jìn)了霍爾器件的應(yīng)用。　　經(jīng)歷三大發(fā)展階段　　霍爾器件的發(fā)展大致可分為三個(gè)階段：　　第一階段是從霍爾效應(yīng)被發(fā)現(xiàn)到20世紀(jì)40年代前期。最初由于金屬材料中的電子濃度很大,霍爾效應(yīng)十分微弱而沒(méi)有引起人們的重視。到了1910年，有人用金屬鉍制成霍爾元件作為磁場(chǎng)傳感器
關(guān)鍵字：霍爾傳感器 CMOS A/D轉(zhuǎn)換器總線接口

市場(chǎng)前景看好NXP潛心相變存儲(chǔ)器技術(shù)

　　NXP公司，前身為飛利浦公司的芯片部門(mén)，正在研究專有的相變存儲(chǔ)器(PCM)，該公司的首席技術(shù)官Rene Penning de Vries表示該技術(shù)將十分“有希望”。　　他表示，“我們已經(jīng)看到了很好性能。下一個(gè)問(wèn)題是是否繼續(xù)生產(chǎn)。”他還補(bǔ)充道，這一決議還未作出。PCM的關(guān)鍵優(yōu)勢(shì)在于可以在斷電時(shí)也能保存數(shù)據(jù)，作為當(dāng)前環(huán)保節(jié)能戰(zhàn)略的積極響應(yīng)，因此前景十分看好。預(yù)計(jì)PCM的性能要好于閃存，并且其幾何尺寸也要比閃存小。　　Penning de Vries在
關(guān)鍵字： NXP CMOS PCM 嵌入式存儲(chǔ)技術(shù)

中國(guó)MEMS市場(chǎng)前景樂(lè)觀汽車(chē)電子領(lǐng)域發(fā)展最快

　　2008年，在國(guó)際金融危機(jī)的影響下，中國(guó)網(wǎng)絡(luò)與通信類電子整機(jī)、計(jì)算機(jī)類電子整機(jī)、消費(fèi)類電子整機(jī)產(chǎn)量以及汽車(chē)電子增速明顯下降，這也直接導(dǎo)致MEMS加速度計(jì)、MEMS壓力計(jì)、DMD(數(shù)字微鏡元件)、噴墨打印頭、硅麥克風(fēng)等產(chǎn)品需求量快速下滑。2008年，中國(guó)MEMS市場(chǎng)規(guī)模達(dá)110.6億元，同比增長(zhǎng)21.9%，較2007年，市場(chǎng)增速下降接近20個(gè)百分點(diǎn)。　　MEMS市場(chǎng)前景樂(lè)觀　　2008年，中國(guó)MEMS市場(chǎng)增速大幅回落。然而，作為半導(dǎo)體領(lǐng)域最為前沿的產(chǎn)品領(lǐng)域之一，未來(lái)，MEMS新型顯示器、MEMS
關(guān)鍵字：汽車(chē)電子 MEMS CMOS

ADI最新推出一系列低壓差 (LDO) 穩(wěn)壓器產(chǎn)品

　　ADI最新推出一系列低壓差 (LDO) 穩(wěn)壓器產(chǎn)品，針對(duì)低噪聲電源所需的輸入電壓和輸出電壓性能進(jìn)行了優(yōu)化。ADP1740、ADP1741、ADP1752、ADP1753 和 ADP1754LDO 提供 800mA、1.2A 和 2A 的負(fù)載電流，其低 Vin 單軌輸入能改善轉(zhuǎn)換效率，具備出色的 PSSR (電源抑制比)，可支持現(xiàn)今的高性能信號(hào)鏈。此外，這些新產(chǎn)品所需的元件數(shù)量較少，改善了散熱性能，從而為醫(yī)療成像設(shè)備、服務(wù)器、基礎(chǔ)設(shè)施、辦公自動(dòng)化和工業(yè)應(yīng)用的設(shè)計(jì)者提供噪聲更低、可靠性更高且尺寸更小的解決
關(guān)鍵字： ADI 穩(wěn)壓器 LDO

正電壓型電壓穩(wěn)壓器S-1137系列（SII）

　　S-1137系列是使用CMOS技術(shù)開(kāi)發(fā)的低壓差、高精度輸出電壓、備有軟啟動(dòng)功能、輸出電流為300 mA的正電壓型電壓穩(wěn)壓器。可使用1.0 µF的小型陶瓷電容器，也可以在低消耗電流(消耗電流為45 µA典型值)的條件下工作。為了使負(fù)載電流不超過(guò)輸出晶體管的電流容量，內(nèi)置了過(guò)載電流保護(hù)電路。此外，還能通過(guò)電源開(kāi)/關(guān)控制電路來(lái)延長(zhǎng)電池的使用壽命。和以往采用CMOS工藝的電壓穩(wěn)壓器相比，可使用的電容器種類較多，還可以使用小型的陶瓷電容器。因能采用小型的SOT-89-5, SO
關(guān)鍵字：精工 CMOS 穩(wěn)壓器

ST攜手Soitec開(kāi)發(fā)新一代CMOS圖像感測(cè)器技術(shù)

　　全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司和全球 CMOS 影像技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)商意法半導(dǎo)體 (STMicroelectronics)(STM) 和世界領(lǐng)先的工程基板供應(yīng)商 Soitec今天公布了兩家公司之間一項(xiàng)獨(dú)家合作，以便於為消費(fèi)電子產(chǎn)品的新一代圖像感測(cè)器開(kāi)發(fā) 300mm 晶圓級(jí)背面照度 (BSI) 技術(shù)。　　當(dāng)今最先進(jìn)的圖像感測(cè)器的解析度正不斷提高，而特別是在消費(fèi)市場(chǎng)，總體減少相機(jī)模組占用空間的需求很高。這意味著必須開(kāi)發(fā)更小的單個(gè)圖元尺寸，同時(shí)保持圖元靈敏度以便產(chǎn)生高品質(zhì)的圖像。在開(kāi)發(fā)新一代圖像感測(cè)器時(shí)，背面照度是一項(xiàng)能
關(guān)鍵字： ST CMOS 圖像感測(cè)器

先進(jìn)FPGA有助于信息包處理

初創(chuàng)公司Cswitch推出一種瞄準(zhǔn)網(wǎng)絡(luò)、無(wú)線基站和電信基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用等信息包處理的新穎的可配置邏輯芯片。該器件由異質(zhì)陣列組成，這一陣列將一排排通用邏輯單元（與傳統(tǒng)FPGA中的非常類似）跟一排排可配置SRAM的RAM和CAM（內(nèi)容地址存儲(chǔ)器）模塊、ALU（算術(shù)邏輯單元）和專門(mén)用于信息包處理的模塊散布在一起。Cswitch公司總裁兼首席執(zhí)行官Doug Laird表示，其目的是滿足日益增長(zhǎng)的如下應(yīng)用：這類應(yīng)用必須以線速處理打包數(shù)據(jù)，而且要使用比傳統(tǒng)FP
關(guān)鍵字： FPGA 信息包處理 Cswitch CMOS

思源科技與聯(lián)華電子支持客制芯片設(shè)計(jì)

　　電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化領(lǐng)導(dǎo)廠商思源科技與聯(lián)華電子17日共同宣布，即日起將提供已通過(guò)晶圓專工驗(yàn)證的LakerTM制程設(shè)計(jì)套件(PDK)予聯(lián)華電子65奈米制程技術(shù)使用。這項(xiàng)由雙方共同合作發(fā)展的PDK，是為了滿足雙方共同客戶在特殊設(shè)計(jì)與尖端制程上的需求。雙方后續(xù)的合作將專注在提供一系列的Laker-UMC PDK上，使得設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)能將不同產(chǎn)品以最快的時(shí)程上市。　　Laker-UMC PDK采用思源科技的Laker客制IC設(shè)計(jì)軟件，能支持聯(lián)華電子的65奈米CMOS(互補(bǔ)金氧半導(dǎo)體制程)標(biāo)準(zhǔn)邏輯制程及混合模式技術(shù)與低
關(guān)鍵字： springsoft CMOS 芯片設(shè)計(jì)

OmniVision推出全世界最小巧的汽車(chē)影像晶片系統(tǒng)

　　OmniVision Technologies, Inc.是開(kāi)發(fā)先進(jìn)的數(shù)位影像解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者，日前所展示的最新 AutoVision 影像解決方案能夠解決汽車(chē)業(yè)的需求，為駕駛?cè)酥г畱?yīng)用裝置(如倒車(chē)攝影機(jī)及盲點(diǎn)偵測(cè)系統(tǒng))提供更生動(dòng)鮮明的影像。僅 1/4 英吋的超薄型 OV7960 和 OV7962 能提供杰出的微光效能 (<0.01/lux)，為全世界最小的 AutoVision CSP (aCSPTM) 封裝，體積比競(jìng)爭(zhēng)的 CMOS 裝置可小至 50%。　　「我們最新的 AutoVis
關(guān)鍵字： OmniVision 封裝 CMOS

歐美科學(xué)家聯(lián)手取得硅芯片光通訊技術(shù)突破

　　一個(gè)由歐、美兩地研究人員所組成的團(tuán)隊(duì)，讓達(dá)到100Gbps的硅芯片上傳輸速度成為可能;該技術(shù)將特別有益于電信產(chǎn)業(yè)，并為全球不斷增加的網(wǎng)絡(luò)信息流量獲得緩解之道。　　該研究團(tuán)隊(duì)成員分別來(lái)自瑞士ETH大學(xué)、比利時(shí)研究機(jī)構(gòu)IMEC、美國(guó)Lehigh大學(xué)，以及德國(guó)Karlsruhe大學(xué);他們成功制造出一種具備高度非線性特征、超高速的光波導(dǎo)(opticalwaveguide)架構(gòu)。　　由于在這類組件中，光子信號(hào)不必再轉(zhuǎn)換成電子信號(hào)，因此被視為是達(dá)成全光學(xué)信號(hào)傳輸?shù)年P(guān)鍵組件。為了達(dá)成這個(gè)目標(biāo)，研究人員采用S
關(guān)鍵字：硅芯片 CMOS

美國(guó)研制出納米級(jí)憶阻器芯片

　　美國(guó)密歇根大學(xué)科學(xué)家開(kāi)發(fā)出一種由納米級(jí)憶阻器構(gòu)成的芯片，該芯片能存儲(chǔ)1千比特的信息。發(fā)表在《納米快報(bào)》(Nano Letters)上的此項(xiàng)研究成果將有可能改變半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，使成功研制出更小、更快、更低廉的芯片或電腦成為可能。　　憶阻器是一種電腦元件，可在一簡(jiǎn)單封裝中提供內(nèi)存與邏輯功能。此前，由于可靠性和重復(fù)性問(wèn)題，所展示的都是只有少數(shù)憶阻器的電路，而研究人員此次展示的則是基于硅憶阻系統(tǒng)并能與CMOS兼容的超高密度內(nèi)存陣列。CMOS指互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體，是一種大規(guī)模應(yīng)用于集成電路芯片制造的原料。
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3．7 GHz寬帶CMOS LC VCO的設(shè)計(jì)

設(shè)計(jì)了一款3．7 GHz寬帶CMOS電感電容壓控振蕩器。采用了電容開(kāi)關(guān)的技術(shù)以補(bǔ)償工藝、溫度和電源電壓的變化，并對(duì)片上電感和射頻開(kāi)關(guān)進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計(jì)以得到最大的Q值。電路采用和艦0．18 μm CMOS混合信號(hào)制造工藝，芯片面積為0．4 mm×1 mm。測(cè)試結(jié)果顯示，芯片的工作頻率為3．4~4 GHz，根據(jù)輸出頻譜得到的相位噪聲為一100 dBc／Hz@1 MHz，在1．8V工作電壓下的功耗為10 mW。測(cè)試結(jié)果表明，該VCO有較大的工作頻率范圍和較低的相位噪聲性能，可以用于鎖相環(huán)和頻率合成器。
關(guān)鍵字： CMOS GHz VCO LC

IBM將與法國(guó)LETI聯(lián)手開(kāi)發(fā)22nm制程技術(shù)

　　IBM與法國(guó)原子能署下屬的電子資訊科技實(shí)驗(yàn)室(CEA/LETI)近日宣布將合作研究開(kāi)發(fā)半導(dǎo)體與納米電子相關(guān)技術(shù)。雙方將就22nm制程工藝有關(guān)的高級(jí)材料，設(shè)備及制造工藝方面進(jìn)行合作，合約期為5年。　　研究工作將在IBM公司在東Fishkill的300mm工廠，Nanotech/意法半導(dǎo)體公司在法國(guó)Crolles的工廠以及CEA/LETI位于Grenoble的300mm設(shè)施中展開(kāi)。而來(lái)自CEA/LETI的一支研究團(tuán)隊(duì)則將在Albany Nanotech公司開(kāi)展這項(xiàng)研究工作。CEA/LETI將不會(huì)加入I
關(guān)鍵字： IBM CMOS 22nm