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再度出手 三星擬再新增CMOS 8寸廠

  • 　　三星電子(Samsung Electronics)再度出手，繼2009年下半首度大幅擴充產(chǎn)能外，2010年將首度啟動擴充產(chǎn)能機制，預計將再新增1座8寸晶圓廠，全數(shù)用于投產(chǎn)CMOS影像傳感器。 　　據(jù)了解，三星原本已在韓國共有2座8寸廠、1座12寸廠用于投產(chǎn)CMOS影像傳感器，2座8寸晶圓廠月產(chǎn)能共4萬~4.5萬片，12寸廠月產(chǎn)能2萬~2.5 萬片，2009年下半為滿足客戶龐大需求，已先行在2座8寸晶圓廠內(nèi)每月再新增1.2萬~2萬片產(chǎn)能，不過即便如此，似乎仍無法滿足客戶需求。 　　據(jù)了解，新的8寸晶
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滿足StrataFlash嵌入式存儲器要求的LDO應用電路

  • 滿足StrataFlash嵌入式存儲器要求的LDO應用電路,德州儀器(TI)推出的TPS79918低壓差(LDO)線性調(diào)節(jié)器為新的Intel StrataFlash嵌入式存儲器(P30) 提供了所需性能。英特爾公司正從它的第三代180nm StrataFlash嵌入式存儲器(J30)轉(zhuǎn)向它的第四代130nm StrataFlash嵌入式存
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超低壓差CMOS線性穩(wěn)壓器的設計

  • 　隨著筆記本電腦、手機、PDA 等移動設備的普及,對應各種電池電源使用的集成電路的開發(fā)越來越活躍,高性能、低成本、超小型封裝產(chǎn)品正在加速形成商品化。LDO(低壓差)型線性穩(wěn)壓器由于具有結(jié)構(gòu)簡單、成本低廉、低噪聲、
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巧焊場效應管和CMOS集成電路

  • 焊接絕緣柵（或雙柵）場效應管以及CMOS集成塊時，因其輸入阻抗很高、極間電容小，少量的靜電荷即會感應靜電高壓，導致器件擊穿損壞。筆者通過長期實踐摸索出下述焊接方法，取得令人滿意的效果。1.焊絕緣柵場效應管。
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監(jiān)控用CMOS與CCD圖像傳感器對比

  • CCD（Charge Coupled Device）圖像傳感器（以下簡稱CCD）和CMOS圖像傳感器（CMOS Image Sensor以下簡稱CIS）的主要區(qū)別是由感光單元及讀出電路結(jié)構(gòu)不同而導致制造工藝的不同。CCD感光單元實現(xiàn)光電轉(zhuǎn)換后，以電荷的方
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監(jiān)控用CMOS與CCD圖像傳感器技術(shù)對比

  • CCD（ChargeCoupledDevice）圖像傳感器（以下簡稱CCD）和CMOS圖像傳感器（CMOSImageSensor以下簡稱CIS）的主要...
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威盛發(fā)布首款USB3.0集群控制器

  • 　　威盛電子在1月4日推出VIA VL810 SuperSpeed集群控制器，這是USB3.0技術(shù)時代業(yè)內(nèi)首款支持更高傳輸速度的整合單芯片解決方案。 　　USB3.0(即超速USB)的最大數(shù)據(jù)傳輸速度可達5Gbps，是現(xiàn)有USB2.0設備傳輸速度的10倍;此外，該技術(shù)還能提高外部設備與主機控制器之間的互動功能，包括能耗管理上的重要改進。 　　VIA VL810由威盛集團全資子公司VIA Labs研發(fā)，它實現(xiàn)在一個USB接口上連接多個設備從而擴展了計算機的USB性能。一個輸出接口及四個輸入接口不僅支持高
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基于0.13微米CMOS工藝下平臺式FPGA中可重構(gòu)RAM模塊的一種設計方法

  • 基于0.13微米CMOS工藝下平臺式FPGA中可重構(gòu)RAM模塊的一種設計方法,1. 引言

    對于需要大的片上存儲器的各種不同的應用，F(xiàn)PGA 需要提供可重構(gòu)且可串聯(lián)的存儲器陣列。通過不同的配置選擇，嵌入式存儲器陣列可以被合并從而達到位寬或字深的擴展并且可以作為單端口，雙端口
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一種帶熱滯回功能的CMOS溫度保護電路

  • 0 引 言
    隨著集成電路技術(shù)的廣泛應用及集成度的不斷增加，超大規(guī)模集成電路(VLSI)的功耗、芯片內(nèi)部的溫度不斷提高，溫度保護電路已經(jīng)成為了眾多芯片設計中必不可少的一部分。本文在CSMC 0．5／μm CMOS工藝下，
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IBM展示基于極薄SOI襯底的22nm技術(shù)

  • 　　IBM研究人員開發(fā)出了基于極薄SOI(ETSOI)的全耗盡CMOS技術(shù)，面向22nm及以下節(jié)點。 　　在IEDM會議上，IBM Albany研發(fā)中心的Kangguo Cheng稱該FD-ETSOI工藝已獲得了25nm柵長，非常適合于低功耗應用。除了場效應管，IBM的工程師還在極薄SOI襯底上制成了電感、電容等用于制造SOC的器件。 　　該ETSOI技術(shù)包含了幾項工藝創(chuàng)新，包括源漏摻雜外延淀積(無需離子注入)，以及提高的源漏架構(gòu)。 　　該技術(shù)部分依賴于近期SOI晶圓供應商推出了硅膜厚度為6nm的S
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兩種高頻CMOS壓控振蕩器的設計與研究

  • 鎖相環(huán)在通訊技術(shù)中具有重要的地位，在調(diào)制、解調(diào)、時鐘恢復、頻率合成中都扮演著不可替代的角色?？煽卣袷幤魇擎i相環(huán)的核心部分。最近，鑒于對集成電路低功耗和高集成度的追求，越來越多的研究人員投人到基于CMOS工
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10~37 GHz CMOS四分頻器的設計

  • 1 引言
    隨著通信技術(shù)的迅猛發(fā)展，人們對通信系統(tǒng)中單元電路的研究也越來越多。而分頻器廣泛應用于光纖通信和射頻通信系統(tǒng)中，因此，高速分頻器的研究也日益受到關(guān)注。分頻器按實現(xiàn)方式可分為模擬和數(shù)字兩種。模
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奧地利微電子推出全新三通道線性穩(wěn)壓器

  • 　　奧地利微電子公司推出AS1355三路LDO，可在穩(wěn)壓輸出狀態(tài)下提供高達300mA電流，擴展了旗下的低壓差穩(wěn)壓器產(chǎn)品線。 　　奧地利微電子消費及通信部門市場總監(jiān)Bruce Ulrich表示：“奧地利微電子的AS1355 LDO為多路、可調(diào)電壓應用提供了一個超小型解決方案。在許多由未經(jīng)穩(wěn)壓的DC-DC電源和電池供電的應用中，多種非標負載點(POL)電壓越來越普遍。AS1355 LDO憑借奧地利微電子最終測試微調(diào)(FTT)能力，使客戶可在兩周內(nèi)實現(xiàn)樣品或量產(chǎn)數(shù)量的非標準輸出電壓產(chǎn)品。AS135
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