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CMOS振蕩器設(shè)計

  • 1 引言　　　集成電路是采用半導(dǎo)體制作工藝，在一塊較小的單晶硅片上制作上許多晶體管及電阻器、電容器等元器件，并按照多層布線或遂道布線的方法將元器件組合成完整的電子電路。 一個典型的數(shù)字鎖相環(huán)結(jié)構(gòu)如圖1 所示
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標(biāo)準(zhǔn)有助于規(guī)范納米行業(yè)的秩序

  • 制定行業(yè)公認(rèn)的標(biāo)準(zhǔn)是研究納米技術(shù)必不可少的先期工作        就像1849年出現(xiàn)的加利福尼亞淘金熱一樣，納米技術(shù)的出現(xiàn)也帶來了巨大機(jī)遇和極大風(fēng)險。正如在淘金熱時代出現(xiàn)了很多新技術(shù)、利益和挑戰(zhàn)一樣，人們對納米技術(shù)的探索也將不可避免地促使人們開發(fā)一些新工具突破納米關(guān)鍵技術(shù)，抓住創(chuàng)造巨大財 富的機(jī)遇，但是也存在給環(huán)境、健康和安全帶來災(zāi)難性影響的可能性。盡管納米技術(shù)將毋庸置疑地形成很多爆炸性的技術(shù)，催生很多新的研究領(lǐng)域，但是也可能對那些不了解
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高k柵介質(zhì)中電荷俘獲行為的脈沖特征分析

  •        本文介紹了電荷俘獲的原理以及直流特征分析技術(shù)對俘獲電荷進(jìn)行定量分析的局限性。接下來，本文介紹了一種超快的脈沖I-V分析技術(shù)，能夠?qū)哂锌焖偎矐B(tài)充電效應(yīng)（FTCE）的高k柵晶體管的本征（無俘獲）性能進(jìn)行特征分析。 先進(jìn)CMOS器件高k柵技術(shù)的進(jìn)展        近年來，高介電常數(shù)（高k）材料，例如鉿氧化物（HfO2）、鋯氧化物（ZrO2）、氧化鋁（Al2O3）以及
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SuVolta全新CMOS平臺有效降低集成電路功耗

  • 　　SuVolta日前宣布推出PowerShrink?低功耗平臺。該平臺可以有效降低CMOS集成電路2倍以上的功耗，同時保持性能并提高良率。SuVolta和富士通半導(dǎo)體有限公司(Fujitsu Semiconductor Limited)今天還共同宣布，富士通已獲得授權(quán)使用SuVolta創(chuàng)新型PowerShrink?低功耗技術(shù)。 　　
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安森美半導(dǎo)體擴(kuò)充產(chǎn)品陣容推出緊湊150 mA器件

  • ?????? 6月9日，應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商安森美(ON Semiconductor)半導(dǎo)體推出五款超小封裝的低壓降(LDO) 線性穩(wěn)壓器，強(qiáng)化用于智能手機(jī)及其他便攜電子應(yīng)用的現(xiàn)有產(chǎn)品陣容。這些新器件基于互補金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)技術(shù)，均能提供150毫安(mA)的輸出電流。 　　NCP4682和NCP4685超低電流穩(wěn)壓器的供電電流僅為典型值1微安(μA)，輸出電壓范圍為1.2伏(V)至3.3 V。
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PowerShrink平面CMOS平臺有效降低IC功耗

  • SuVoltaPowerShrink低功耗平臺支持電壓調(diào)節(jié)降低功耗50%以上并能保持IC性能.
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0.18 μm CMOS帶隙基準(zhǔn)電壓源的設(shè)計

  • 基準(zhǔn)電壓源可廣泛應(yīng)用于A/D、D/A轉(zhuǎn)換器、隨機(jī)動態(tài)存儲器、閃存以及系統(tǒng)集成芯片中。使用0.18 μm CMOS工藝設(shè)計了具有高穩(wěn)定度、低溫漂、低輸出電壓為0.6 V的CMOS基準(zhǔn)電壓源。
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一種恒跨導(dǎo)CMOS運算放大器的設(shè)計

  • 摘要：設(shè)計了一種寬帶軌對軌運算放大器，此運算放大器在3．3 V單電源下供電，采用電流鏡和尾電流開關(guān)控制來實現(xiàn)輸入級總跨導(dǎo)的恒定。為了能夠處理寬的電平范圍和得到足夠的放大倍數(shù)，采用用折疊式共源共柵結(jié)構(gòu)作為前
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雙眼勝過單目：大陸集團(tuán)新推立體攝像機(jī)

低功率CMOS無線射頻芯片設(shè)計要點

  • 無線通訊市場的趨勢一直朝向低成本、低消耗功率、小體積等目標(biāo)。短距離裝置產(chǎn)品(Short-RangeDevices)...
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應(yīng)用于頻率合成器的寬分頻比CMOS可編程分頻器設(shè)計

  • 提出一種應(yīng)用于射頻頻率合成器的寬分頻比可編程分頻器設(shè)計。該分頻器采用脈沖吞吐結(jié)構(gòu)，可編程計數(shù)器和吞脈沖計數(shù)器都采用改進(jìn)的CMOS源極耦合(SCL)邏輯結(jié)構(gòu)的模擬電路實現(xiàn)，相對于采用數(shù)字電路實現(xiàn)降低了電路的噪聲和減少了版圖面積。同時，對可編程分頻器中的檢測和置數(shù)邏輯做了改進(jìn)，提高分頻器的工作頻率及穩(wěn)定性。最后，采用TSMC的0．13／μm CMOS工藝，利用Cadence Spectre工具進(jìn)行仿真，在4．5 GHz頻率下，該分頻器可實現(xiàn)200～515的分頻比，整個功耗不超過19 mW，版圖面積為106 μ
  • 關(guān)鍵字： 可編程  設(shè)計  CMOS  合成器  頻率  應(yīng)用  

基于CMOS圖像傳感器OV7720的網(wǎng)絡(luò)攝像機(jī)設(shè)計

  • 以網(wǎng)絡(luò)攝像機(jī)為應(yīng)用背景，闡述了數(shù)字CMOS圖像傳感器OV7720芯片的參數(shù)、接口和通信協(xié)議，結(jié)合網(wǎng)絡(luò)攝像機(jī)的開發(fā)環(huán)境，詳細(xì)介紹了芯片與嵌入式CPU的硬件電路和軟件結(jié)構(gòu)。系統(tǒng)以嵌入式Linux作為操作系統(tǒng)，相機(jī)芯片OV7720，OV529對數(shù)字視頻進(jìn)行采集、壓縮編碼并生成MPEG-4碼流。MPEG-4碼流經(jīng)過AT91SAM7X256控制器外掛的網(wǎng)絡(luò)芯片被輸送到PC機(jī)。PC機(jī)端通過內(nèi)嵌MPEG-4解壓插件的IE瀏覽器實時瀏覽視頻和控制網(wǎng)絡(luò)攝像機(jī)的狀態(tài)。
  • 關(guān)鍵字： 網(wǎng)絡(luò)  攝像機(jī)  設(shè)計  OV7720  傳感器  CMOS  圖像  基于  

一種基于PWM的CMOS誤差放大器的設(shè)計

  • 摘要：為解決PWM控制器中輸出電壓與基準(zhǔn)電壓的誤差放大問題，設(shè)計了一款高增益、寬帶寬、靜態(tài)電流小的新型誤差放大器，通過在二級放大器中間增加一級緩沖電路，克服補償電容的前饋效應(yīng)，同時消除補償電容引入的零點。
  • 關(guān)鍵字： CMOS  PWM  誤差放大器    

一種低壓高線性CMOS模擬乘法器設(shè)計

  • 摘要：提出了一種新穎的CMOS四象限模擬乘法器電路，該乘法器基于交叉耦合平方電路結(jié)構(gòu)，并采用減法電路來實現(xiàn)。它采用0．18mu;m CMOS工藝，使用HSPICE軟件仿真。仿真結(jié)果顯示，該乘法器電路在1．8 V的電源電壓下工作
  • 關(guān)鍵字： 法器  設(shè)計  模擬  CMOS  線性  低壓  

0．6 V CMOS軌至軌運算放大器

  • 摘要：為適應(yīng)低壓低功耗設(shè)計的應(yīng)用，設(shè)計了一種超低電源電壓的軌至軌CMOS運算放大器。采用N溝道差分對和共模電平偏移的P溝道差分對來實現(xiàn)軌至軌信號輸入。當(dāng)輸入信號的共模電平處于中間時，P溝道差分對的輸入共模電平
  • 關(guān)鍵字： CMOS  軌至軌  運算放大器    
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