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CMOS集成電路瞬態(tài)電流片外電流傳感器電路

  • 隨著芯片特征尺寸的縮小和電路復(fù)雜程度的增加，有阻開(kāi)路和有阻橋接缺陷的數(shù)目也在增加。同時(shí)，隨著器件密度、復(fù)雜性和時(shí)鐘速度的增加，邏輯測(cè)試技術(shù)已不能提供足夠的故障覆蓋率。為了彌補(bǔ)傳統(tǒng)測(cè)試方法的不足，基于靜
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MAX1471 低功耗、CMOS、超外差、RF雙通道接收器

  • MAX1471是一款低功耗、CMOS、超外差、RF雙通道接收器，用于接收幅移鍵控(ASK)與頻移鍵控(FSK)數(shù)據(jù)，而不需要重 ...
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一種新穎啟動(dòng)方式的CMOS低功耗電流源

  • 1引言電流源是模擬、數(shù)字集成電路中重要的單元[1][2]。電流源的性能直接影響電路及系統(tǒng)的性能。...
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高線(xiàn)性度CMOS調(diào)幅電路技術(shù)介紹

  • 引言本文采用plusmn;5V電源，設(shè)計(jì)出了一種以模擬乘法器為核心電路的輸出信號(hào)與控制電壓成高線(xiàn)性度的電路，并且實(shí)現(xiàn)了單端控制和單端輸出。它在鎖相環(huán)、自動(dòng)增益控制、正弦脈寬調(diào)制(SPWM)、模擬運(yùn)算等方面有著很好的
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富士通半導(dǎo)體展示超高速短距離數(shù)據(jù)傳輸

  • 富士通半導(dǎo)體(上海)有限公司日前宣布，富士通半導(dǎo)體歐洲(FSEU)已經(jīng)證明可以通過(guò)CEI-28G-VSR接口進(jìn)行單信道大于100Gbps的數(shù)據(jù)傳輸，從而將光互聯(lián)論壇(OIF)定義的芯片間電接口數(shù)據(jù)傳輸速率提高到4倍。這項(xiàng)研究成果驗(yàn)證了在利用為長(zhǎng)距離光傳輸系統(tǒng)所開(kāi)發(fā)的CMOS ADC/DAC轉(zhuǎn)換器技術(shù)后，短距離電信號(hào)傳輸所能達(dá)到的數(shù)據(jù)速率。
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用CMOS集成電路制作一個(gè)感應(yīng)驗(yàn)電器

  • 利用CMOS集成電路具有極高的輸入阻抗這一特點(diǎn)，可以自制一個(gè)感應(yīng)式驗(yàn)電器?！　　　、電路原 ...
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LDO集成電路穩(wěn)壓器的結(jié)構(gòu)及選用技術(shù)

  • LDO是新一代的集成電路穩(wěn)壓器，它與三端穩(wěn)壓器最大的不同點(diǎn)在于，LDO是一個(gè)自耗很低的微型片上系統(tǒng)(SoC)。LDO按其靜態(tài)耗流來(lái)分，分為 OmniPowerTM / MicroPowerTM / NanoPowerTM三種產(chǎn)品。OmniPowerTM LDO的靜態(tài)電流
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亞微米CMOS電路中VDD-VSSESD保護(hù)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)二

  • 3 仿真分析及具體設(shè)計(jì)結(jié)果　　3.1 仿真分析　　在亞微米的ESD結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)中，一種常見(jiàn)的具體的ESD瞬態(tài)檢測(cè) ...
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亞微米CMOS電路中VDD-VSSESD保護(hù)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)一

  • 1 引言　　ESD(Electric Static Discharge)保護(hù)結(jié)構(gòu)的有效設(shè)計(jì)是CMOS集成電路可靠性設(shè)計(jì)的重要任務(wù)之一，其E ...
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基于linlog技術(shù)擴(kuò)展傳感器動(dòng)態(tài)范圍的高速相機(jī)

  • 在photonfocuslinlog技術(shù)誕生之前，市面上常規(guī)工業(yè)相機(jī)的感光芯片（CCDorCMOS）的量子積分時(shí)間響應(yīng)都是線(xiàn)性的，...
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Aptina宣布將推出高性能CMOS圖像傳感器

  • Aptina公司是為數(shù)不多的幾個(gè)非日系圖像傳感器制造商，之前就為尼康1系列產(chǎn)品制造過(guò)圖像傳感器。而本次推出新產(chǎn)品可能會(huì)使用在下一代的尼康1產(chǎn)品上，繼續(xù)保持在相應(yīng)速度以及拍攝效能上的優(yōu)勢(shì)。
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Javelin功率放大器獲三星Galaxy S Duos采用

  • 全球首家高性能CMOS 3G功率放大器(PA)創(chuàng)新者Javelin Semiconductor日前宣布，三星電子公司具備雙卡(dual SIM)功能的全新Galaxy S Duos選用Javelin的功率放大器。Galaxy S Duos是采用Android的時(shí)尚型智能手機(jī)，具備4英寸觸控屏幕、1 GHz處理器、500萬(wàn)像素相機(jī)、藍(lán)牙、GPS以及Wi-Fi等功能。
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低壓差（LDO）調(diào)節(jié)器的噪聲源（二）

  • 比較LDO噪聲指標(biāo)均方根噪聲用單一數(shù)值表示，因此它是用于比較不同LDO性能的一個(gè)有用指標(biāo)。然而，進(jìn)行比較的LDO的噪聲指標(biāo)必須是在相同的測(cè)試條件下測(cè)得。例如，在10 Hz至100 kHz范圍內(nèi)，1.2 V輸出的ADP223均方根噪聲
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低壓差（LDO）調(diào)節(jié)器的噪聲源

  • 為什么噪聲源很重要噪聲重要與否，取決于它對(duì)目標(biāo)電路工作的影響程度。例如，一個(gè)開(kāi)關(guān)電源在3 MHz時(shí)具有顯著的輸出電壓紋波，如果它為之供電的電路僅有幾Hz的帶寬，如溫度傳感器等，則該紋波可能不會(huì)產(chǎn)生任何影響。但
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笙科電子:專(zhuān)注RF芯片迎接發(fā)展新機(jī)遇

  • 笙科電子(AMICCOM)自2005年11月作為聯(lián)笙電子的一個(gè)RF部門(mén)獨(dú)立出來(lái)之后，一直致力于專(zhuān)門(mén)從事CMOS制程的短距離無(wú)線(xiàn)通信RF芯片的研發(fā)，借助管理層與技術(shù)團(tuán)隊(duì)在RF領(lǐng)域數(shù)十年的經(jīng)驗(yàn)和自有知識(shí)產(chǎn)權(quán)，該公司為客戶(hù)提供高效、低成本和高集成度的RF前端IC產(chǎn)品。
  • 關(guān)鍵字： 笙科電子  RF  CMOS  201209  
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