e-flash 文章進(jìn)入e-flash技術(shù)社區(qū)

TMS320VC55X系列DSP的FLASH引導(dǎo)方法*

摘要：本文以實際系統(tǒng)開發(fā)基礎(chǔ)為背景，闡述了TMS320C55X系列DSP對FLASH在線燒寫的方法，給出了系統(tǒng)的硬件連接示意圖和完整的燒寫程序，并研究了自舉引導(dǎo)的實現(xiàn)方法以及大程序的二次引導(dǎo)方法。關(guān)鍵詞： TMS320C55X；FLASH；Bootloader；燒寫；二次引導(dǎo) 引言隨著數(shù)字信號處理技術(shù)的快速發(fā)展，DSP被廣泛的應(yīng)用到各種數(shù)字信號處理系統(tǒng)中。最終開發(fā)的系統(tǒng)要想脫離仿真器運行，必須將程序代碼存儲在非易失性存儲器中。FLASH存儲器以其大容量和可在線編程等特點已成為DSP
關(guān)鍵字：嵌入式系統(tǒng) 單片機 TMS320C55X FLASH Bootloader 0707_A 雜志_設(shè)計天地

飛兆推出綠色FPSTM e-SeriesTM系列功率開關(guān)

　　飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出綠色FPS e-Series 的全新飛兆功率開關(guān)(FPS) 產(chǎn)品系列，可為DVD播放器、機頂盒、LCD顯示器和其它25W及更低的電源設(shè)計提供高能效和高系統(tǒng)可靠性。這些綠色FPS產(chǎn)品以飛兆半導(dǎo)體專有的谷底導(dǎo)通(valley switching) 技術(shù)為基礎(chǔ)，與傳統(tǒng)的硬開關(guān)轉(zhuǎn)換器拓?fù)湎啾?，能夠提高功率轉(zhuǎn)換效率1%，并降低EMI的量可達(dá)5dB。這些高度集成的FPS器件結(jié)合了完全達(dá)到額定雪崩值SenseFET、電流模式脈沖寬度調(diào)制 (PW
關(guān)鍵字： e-SeriesTM FPSTM 電源技術(shù) 飛兆功率開關(guān) 模擬技術(shù)

NAND Flash和NOR Flash的比較

　　NOR和NAND是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR flash技術(shù)，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著，1989年，東芝公司發(fā)表了NAND flash結(jié)構(gòu)，強調(diào)降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盤一樣可以通過接口輕松升級。但是經(jīng)過了十多年之后，仍然有相當(dāng)多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存。　　相“flash存儲器”經(jīng)?？梢耘c相“NOR存儲器”互換使用。許多業(yè)內(nèi)人士也搞不清楚NAND閃存技術(shù)相對于NOR技術(shù)的優(yōu)越之處，因
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臺模塊廠飽受NAND Flash缺貨之苦三星陣營臺廠壓力倍增

相較于DRAM價格萎靡不振，近期南韓內(nèi)存大廠三星電子(Samsung Electronics)對于拉抬NAND型閃存( Flash)市場不遺余力，然最令客戶頭痛的問題是，目前三星電子受限于產(chǎn)能問題，釋出給臺廠NAND Flash貨源仍相當(dāng)有限，各模塊廠都飽受缺貨之苦，而隸屬于東芝(Toshiba)陣營的客戶，尤其是內(nèi)存模塊大廠金士頓(Kingston)，由于東芝給予的成本較低，最近在大陸市場低價策略越來越積極，這讓與三星電子站在同一陣營的臺廠壓力倍增。近期三星電子不斷釋出N
關(guān)鍵字： Flash NAND 三星消費電子模塊消費電子

CSR公司推出BlueVOX Flash解決方案

全球領(lǐng)先的藍(lán)牙連接及無線技術(shù)提供商CSR公司（倫敦證券交易所：CSR.L）日前宣布推出BlueVOX Flash解決方案，該解決方案擁有先進(jìn)的軟件功能，適用于高靈活性的低成本耳機。這款基于BlueCore4-Audio Flash芯片的新型解決方案將高性能、低功耗的藍(lán)牙無線電與6Mbits片上可編程閃存及全面的軟件開發(fā)工具包（SDK）結(jié)合在一起，從而完善了軟件的靈活性。藍(lán)牙耳機市場競爭日趨激烈，能否迅速響應(yīng)客戶需求將是決定成敗的關(guān)鍵。CSR公司的BlueVOX Flash包
關(guān)鍵字： BlueVOX CSR Flash 通訊網(wǎng)絡(luò) 無線

盛群半導(dǎo)體推新款8位精簡型MCU HT46R49/E

盛群半導(dǎo)體(Holtek)新推出8位精簡型MCU，內(nèi)建9位的A/DConverter，型號為HT46R49及HT46R49E，具有4K
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如何將ICCAVR程序中的數(shù)組存入FLASH中

如何將ICCAVR程序中的數(shù)組存入FLASH中下面是ICCAVR中對字符串和常數(shù)表格分配可能出現(xiàn)的五種情況: const int table[]={1,2,3};//table表格只分配進(jìn)程序存儲器中 const char string[]="iccavr";//字符串?dāng)?shù)組只分配進(jìn)程序存儲器中const char *prt1 //指針prt1位于數(shù)據(jù)存儲器空間指向程序存儲器空間的字符型數(shù)據(jù) char *const prt2 //指針prt2位于程序存儲器空間指向數(shù)據(jù)存儲器空間的字符型數(shù)據(jù) const ch
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TMS320F28xx DSP中內(nèi)部Flash的應(yīng)用研究

文中列舉的Flash的這幾種用法，在CCS中編程下載到TMS320F28xx DSP開發(fā)板上，并通過運行程序驗證了其正確性。
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電子封條(e-seals)——貿(mào)易速度與安全

RFIDConnections：港口安全，尤其是集裝箱安全問題日益受到美國政府的重視。建議之一就是在集裝箱上安裝電子安全封條(e-seals)以確保集裝箱貨物安全。請問，電子安全封條與傳統(tǒng)集裝箱封條相比有什么優(yōu)點呢？（注：FraserJennings,洛克馬丁集團(LockheedMartin)旗下塞維科技（SaviTechnology）標(biāo)準(zhǔn)與管理委員會副主管） FraserJennings：與傳統(tǒng)機械封條（
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1.9GHz基站前端射頻LNA仿真與實現(xiàn)研究

很多情況下，因為基站與移動設(shè)備不平衡連接的緣故，從基站到移動設(shè)備的信號強度和傳輸距離都要超過移動設(shè)備向基站的反向傳輸，并且由干天線與基站間的反饋損耗，使得這種不平衡性變得更大。為了改善這種不平衡性，擴大基站接收的覆蓋面，最直接的解決方案是加裝塔裝放大器TMA或Masthead放大器。而TMA中最重要的模塊LNA(如圖1所示)對接收的信號具有選頻功能，并把選頻后的信號進(jìn)行低噪聲放大，使系統(tǒng)靈敏度增強，覆蓋半徑增大。 1 LNA的設(shè)計 1．1 LNA結(jié)構(gòu)選擇通常，在LNA的設(shè)計中主要考慮低噪聲系數(shù)(
關(guān)鍵字： CDMA E-pHEMT管 LNA 通訊網(wǎng)絡(luò) 無線

基于E-Link數(shù)據(jù)傳輸器的應(yīng)用技術(shù)探討

利用廉價的″E―Link網(wǎng)絡(luò)數(shù)據(jù)傳輸器″，利用互聯(lián)網(wǎng)取代現(xiàn)場總線,使原現(xiàn)場總線的分布式控制系統(tǒng)方便地轉(zhuǎn)換成基于以太網(wǎng)的分布式控制系統(tǒng)。
關(guān)鍵字：探討應(yīng)用技術(shù) 數(shù)據(jù)傳輸 E-Link 基于

愛特梅爾推出新型ARM7 閃存微控制器

愛特梅爾推出業(yè)界首款支持千兆字節(jié)以上SDRAM、NAND Flash及CompactFlash存儲容量的ARM7 閃存微控制器通用內(nèi)存接口 (UMI) 配有錯誤糾正代碼控制器，能夠防止NAND 閃存丟失數(shù)位愛特梅爾公司 (Atmel® Corporation) 現(xiàn)已為基于ARM7™ 的USB微控制器 SAM7 系列增添三款新產(chǎn)品。全新的 SAM7S
關(guān)鍵字： ARM7 CompactFlash Flash NAND SDRAM 愛特梅爾單片機工業(yè)控制嵌入式系統(tǒng) 閃存微控制器存儲器工業(yè)控制

JTAG口及其對F1aSh的在線編程

本文介紹一種通過JTAG對Flash進(jìn)行的在線編程方法。
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適宜于嵌入式多媒體應(yīng)用的Flash文件系統(tǒng)

隨著電子技術(shù)的不斷發(fā)展，嵌入式系統(tǒng)越來越多地在控制類、消費類、通訊類等電子產(chǎn)品中廣泛應(yīng)用，并且隨著數(shù)字信號處理與人機交互界面等相關(guān)技術(shù)的不斷成熟，嵌入式多媒體應(yīng)用數(shù)量也逐漸上升。多媒體業(yè)務(wù)的數(shù)據(jù)量大，數(shù)據(jù)內(nèi)容復(fù)雜，在多媒體應(yīng)用中數(shù)據(jù)的存儲與管理是不容回避的問題。FLASH存儲器因制造成本低廉、存儲容量大、數(shù)據(jù)非易失、無機械故障，在目前的嵌入式系統(tǒng)中被廣泛用作外存儲器件。然而Flash存儲器卻是一種數(shù)據(jù)正確性非理想的器件，應(yīng)用中可能會出現(xiàn)壞損數(shù)據(jù)單元，這又給應(yīng)用Flash存儲器的嵌入式系統(tǒng)進(jìn)行數(shù)據(jù)存儲管理增
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Flash 編程器的FPGA實現(xiàn)

1 引言閃速存儲器（FLASH Memory）以其集成度高、成本低、使用方便等許多優(yōu)點，廣泛應(yīng)用于通訊設(shè)備、辦公設(shè)備、家用電器、醫(yī)療設(shè)備等領(lǐng)域。利用其保存信息的非易失性和在線更新數(shù)據(jù)參數(shù)的特性，可將其作為具有一定靈活性的只讀存儲器（ROM）使用。現(xiàn)在的數(shù)字電路應(yīng)用系統(tǒng)設(shè)計中，經(jīng)常遇到大容量的數(shù)據(jù)存儲問題。Flash由于容量大、存儲速度快、體積小、功耗低等諸多優(yōu)點，而成為應(yīng)用系統(tǒng)中數(shù)據(jù)存儲器件的首選。由于在研制實時信號處理系統(tǒng)時，需要一塊大容量的Flash來存儲坐標(biāo)變換的數(shù)據(jù)作查找表，因此
關(guān)鍵字： Flash FPGA 編程消費電子消費電子