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NAND和NOR flash詳解

  •            NOR和NAND是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR flash技術(shù),徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著,1989年,東芝公司發(fā)表了NAND flash結(jié)構(gòu),強調(diào)降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盤一樣可以通過接口輕松升級。但是經(jīng)過了十多年之后,仍然有相當多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存。   
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TMS320C64x的16-bit Flash加載的可行性分析與實現(xiàn)

  •   l 引言   在仿真環(huán)境下調(diào)試DSP板程序之后,還有一項重要的工作要做:怎樣實現(xiàn)程序代碼的脫機加載。TMS320C6000系列DSP提供了3種引導方式:不加載、HPI加載以及Flash (ROM)加載。實際應用中,多采用外接Flash來加載程序代碼。此種方法簡單、靈活、成本低,因而受到廣大工程技術(shù)人員的青睞。由于開發(fā)的DSP系統(tǒng)應用板最終要脫離仿真器獨立運行,而TMS320C64x系列DSP本身不帶這樣的存儲體,掉電后程序及數(shù)據(jù)就會丟失。這就需要1個能在斷電后保存程序及初始化數(shù)據(jù)的存儲體。Flash
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內(nèi)存產(chǎn)業(yè)2008年再纏斗 戰(zhàn)線不斷擴大

  •   快閃內(nèi)存產(chǎn)業(yè)的發(fā)展在2007年有點出乎各界意料,整個產(chǎn)業(yè)的高點反而是落在第一季底,第二、三季深受NAND Flash缺貨所苦,大家的發(fā)展反而綁手綁腳,一路往下滑;2007下半年不但沒有傳統(tǒng)的消費性電子產(chǎn)品旺季出現(xiàn),反而NAND Flash價格劇烈的忽上忽下,可說是一團混亂,終于2007年第四季面臨了NAND Flash崩跌走勢,雖然大家對于「寒流」來襲,都已有心理準備,但仍是不敢大意。   TRI觀點:   2007年內(nèi)存產(chǎn)業(yè)的變化多端,出乎大家的意料,然而其中影響甚巨的一個事件,就是Samsun
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基于USB息線的MC68HC908JB8 Flash在線編程

  • 本文采用USB接口的ICP方法,燒寫速度快,無需專用的電平轉(zhuǎn)換芯片,硬件通過微處理器JB8的USB接口與計算機USB口連接即可。
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2008:巨型晶圓廠初露鋒芒

  •   以DRAM和Flash為代表的存儲器平均銷售價格(ASP)自去年年初以來經(jīng)歷了令人震驚的下滑。隨著現(xiàn)貨價格與合約價格不斷創(chuàng)下新低,價格壓力充斥著整個上一季度。由于價格走低,對于NAND閃存等存儲器的需求正在升溫。呈井噴之勢的預測數(shù)字顯示出我們當前正處在黎明前的黑暗階段,一個巨大而不斷增長的市場即將出現(xiàn)。某些預測顯示NAND閃存需求量將從2006年7,370億兆字節(jié)增長至2011年的33.5萬億兆字節(jié)。   大舉擴產(chǎn)NAND閃存   低價同時也推動了需求的增長,使得部分廠商出現(xiàn)供給不足。以東芝(To
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采用AVR Flash微控制器的電動車窗防夾系統(tǒng)

  •   汽車上可自動關(guān)閉的電動車窗或車門設備潛藏著卡死,擠壓以及可能傷人的危險。它們必須能夠反向移動以防止馬達所施加的力超出正常限制。這種特性意味著必須持續(xù)監(jiān)視速度、電流和玻璃的位置。   由于成本和簡化的原因,本文所描述的系統(tǒng)使用普通的帶有霍爾效應傳感器的刷式馬達?;谒俣群团ぞ貙?shù)的檢測算法已通過健壯性和容錯性的驗證。該算法可用于所有帶有A/D 轉(zhuǎn)換器和通過變化引發(fā)中斷的I/O 口的AtmelAVR Flash 微控制器。本文描述的是基本原理,Atmel網(wǎng)站上的應用筆記有關(guān)于實現(xiàn)的詳細描述。   現(xiàn)代
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NAND Flash進軍NB/PC應用領(lǐng)域 借以擴大市占率

  •   拓墣產(chǎn)業(yè)研究所(Topology Research Institute)針對NAND Flash應用市場發(fā)表研究報告指出,2008年起,除了由原手持式消費電子產(chǎn)品將繼續(xù)大量采用NAND Flash作為儲存裝置外,NAND Flash將通過NB與PC的采用,以混合式硬盤或固態(tài)硬盤(SSD)的產(chǎn)品型態(tài),逐步擴大市場占有率,市場需求將從2007年的6.7%增長至15.3%。   拓墣表示,NAND Flash在過去幾年快速擴充產(chǎn)品應用領(lǐng)域,從2004年產(chǎn)品應用比例最高的數(shù)碼相機,到2006年MP3 Pla
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對MC68HC908內(nèi)Flash在線編程的一種方法

  • 本文以MC68HC908QY4為例,詳細分析如何利用監(jiān)控ROM程序?qū)崿F(xiàn)對單片機片內(nèi)Flash的在線編程和應用。
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基于FPGA的串行Flash擴展實現(xiàn)

  •   1 引言   FPGA憑借其方便靈活、可重復編程等優(yōu)點而日益被廣泛應用;閃速存儲器(Flash Memory)以其集成度高、成本低、使用方便等優(yōu)點,在眾多領(lǐng)域中也獲得了廣泛應用。在現(xiàn)代數(shù)字電路設計中。經(jīng)常需要保存大量數(shù)據(jù),而Flash存儲速度快、體積小、功耗低且價格低廉,可在線電擦寫,信息在掉電后不會丟失,因此成為設計人員的首選。   2 M25P80的介紹   Flash是一種具有電可擦除的可編程ROM,可以分為兩大類:并行Flash和串行Flash。并行Flash存儲量大,速度快;而串行Fl
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基于FPGA的串行Flash擴展實現(xiàn)

  •   1 引言   FPGA憑借其方便靈活、可重復編程等優(yōu)點而日益被廣泛應用;閃速存儲器(Flash Memory)以其集成度高、成本低、使用方便等優(yōu)點,在眾多領(lǐng)域中也獲得了廣泛應用。在現(xiàn)代數(shù)字電路設計中。經(jīng)常需要保存大量數(shù)據(jù),而Flash存儲速度快、體積小、功耗低且價格低廉,可在線電擦寫,信息在掉電后不會丟失,因此成為設計人員的首選。   2 M25P80的介紹   Flash是一種具有電可擦除的可編程ROM,可以分為兩大類:并行Flash和串行Flash。并行Flash存儲量大,速度快;而串行Fl
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大容量NAND Flash K9T1G08U0M在網(wǎng)絡存儲中的應用

  •   1 引言   隨著嵌入式系統(tǒng)廣泛應用,嵌入式系統(tǒng)中的數(shù)據(jù)存儲和數(shù)據(jù)管理則成為設計人員考慮的重點。在許多現(xiàn)場不可達數(shù)據(jù)采集應用中采用分布式數(shù)據(jù)存儲,必然帶來數(shù)據(jù)管理的不便,因此,集中管理數(shù)據(jù)成為一種思路。利用成熟的網(wǎng)絡傳輸技術(shù)集中分布式嵌入式系統(tǒng)數(shù)據(jù),采用C/S模式管理數(shù)據(jù)。對于大容量數(shù)據(jù)存儲,選擇介質(zhì)存儲是需要重點考慮的問題。目前大多采用IDE硬盤或SCSI硬盤存儲,但都存在抗震和抗電磁干擾能力差、使用溫度范圍窄,無法長期在惡劣的環(huán)境中長期工作。電子式Flash存儲器具有速度快、容量大、成本低、體積
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年終旺季需求支撐,NAND FLASH合約價短期平穩(wěn)

  •   11月上旬NAND Flash合約價格大致跌幅約為0-5%,比前兩個月跌幅明顯縮小,主要是因為下游客戶在10月已陸續(xù)進行降低庫存的動作,加上市場預期11月中旬要開始準備年底旺季的備貨需求,根據(jù)集邦科技(DRAMeXchange)觀察,NAND Flash價格走勢在11月初已經(jīng)出現(xiàn)止跌回穩(wěn)的現(xiàn)象。   隨著NAND Flash供貨商5X納米制程產(chǎn)品供應量提高后,下游客戶采購顆粒開始轉(zhuǎn)向以8Gb和16Gb MLC為主流,導致TSOP 4G MLC顆粒跌幅約為11%,相較于其它規(guī)格來得顯著。有鑒于9月以來
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奧地利微電子為代工用戶擴展CMOS、高壓、高壓FLASH和RF多項目晶圓服務

  •   奧地利微電子的全方位服務晶圓代工廠業(yè)務部推出一份更加全面的 2008 年度時間表,擴展了其具有成本效益的、快速的專用集成電路(ASIC)原型服務,即所謂以多項目晶圓 (MPW) 或往復運行(shuttle run)。該服務將來自不同用戶的若干設計結(jié)合在一個晶圓上,有助于眾多不同的參與者分攤晶圓和掩膜成本。   RF多項目晶圓服務   奧地利微電子的 MPW 服務包括基于 TSMC(臺積電)0.35µm CMOS 工藝的全程0.35µm尺寸工藝。兼容 SiGe BiCMOS
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FAT文件系統(tǒng)在NAND Flash存儲器上的改進設計

  •        嵌入式系統(tǒng)的大量數(shù)據(jù)都存儲在其F1ash芯片上。根據(jù)Flash器件的固有特性,構(gòu)建一個適合管理NAND Flash存儲器的FAT文件系統(tǒng),并闡述具體的設計思想。該系統(tǒng)改進了FAT表和FRT表的存儲方式,延長了存儲器的使用壽命,提高了穩(wěn)定性。        NAND Flash存儲器是一種數(shù)據(jù)正確性非理想的器件,容易出現(xiàn)位反轉(zhuǎn)現(xiàn)象,同時在使用中可
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07年第三季NAND Flash廠營收逼近39億美元

  •   根據(jù)集邦科技(DRAMeXchange)最新出爐的第三季NANDFlash營收市占率報告指出,NANDFlash品牌廠商在2007年第三季整體營收表現(xiàn)亮麗,逼近三十九億美元,比第二季增長了36.8%;整體NANDFlash位出貨量相較于第二季增長約30%;而就營收排行而言,三星(Samsung)如預期再度蟬連冠軍,東芝(Toshiba)居次,而海力士(Hynix)、美光(Micron)和英特爾(Intel)營收均有顯著的增長。      由于第三季為傳統(tǒng)NANDFlash下游客戶的備貨旺
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