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ASML今年將推出創(chuàng)紀(jì)錄的EUV光刻機(jī)，價(jià)值3億美元

  • ASML 即將推出 NA 為 0.55，分辨率達(dá)到 8nm 的 EUV 設(shè)備。
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臺(tái)積電美國亞利桑那工廠導(dǎo)入首臺(tái) EUV 設(shè)備，預(yù)計(jì) 2025 年量產(chǎn) 4nm 芯片

  • IT之家 8 月 22 日消息，法拉第未來在最新的季度報(bào)告中稱，其虧損有所縮小，并表示已經(jīng)進(jìn)入創(chuàng)收階段。該公司在截至 6 月 30 日的第二季度的虧損為 1.249 億美元（IT之家備注：當(dāng)前約 9.13 億元人民幣），即每股 10 美分，而去年同期的虧損為 1.417 億美元，即每股 44 美分。法拉第未來在本季度沒有報(bào)告任何收入。總運(yùn)營費(fèi)用從 1.375 億美元降至 4,940 萬美元，主要是由于研發(fā)和管理費(fèi)用的減少。法拉第未來在給投資者的信中表示，公司計(jì)劃在未來幾個(gè)月內(nèi)將其制造團(tuán)隊(duì)擴(kuò)大兩倍
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ASML：數(shù)值孔徑0.75超高NA EUV光刻設(shè)備2030年登場

  • 據(jù)日本媒體報(bào)導(dǎo)，光刻機(jī)設(shè)備龍頭阿斯麥（ASML）執(zhí)行副總裁Christophe Fouquet近日在比利時(shí)imec年度盛會(huì)ITF World 2023表示，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)需要2030年開發(fā)數(shù)值孔徑0.75的超高NA EUV光刻技術(shù)，滿足半導(dǎo)體發(fā)展。Christophe Fouquet表示，自2010年以來EUV技術(shù)越來越成熟，半導(dǎo)體制程微縮至2020年前后三年，以超過50%幅度前進(jìn)，不過速度可能會(huì)在2030年放緩。故ASML計(jì)劃年底前發(fā)表首臺(tái)商用High-NA（NA=0.55）EUV微影曝光設(shè)備（原型制作），
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今年轉(zhuǎn)向4nm EUV工藝 英特爾退役11代酷睿移動(dòng)版：10nm再見了

  • 6月7日消息，英特爾今年下半年將會(huì)推出14代酷睿Meteor Lake處理器，首發(fā)Intel 4工藝，這是該公司首款EUV工藝，而且還會(huì)用上全新3D封裝工藝，處理器變化非常大。在迎接4nm EUV的同時(shí)，英特爾也在加快清理遺產(chǎn)，2020年發(fā)布的11代酷睿Tiger Lake處理器現(xiàn)在也進(jìn)入了退役階段，這一批主要是中低端的酷睿i7/i5/i3及賽揚(yáng)系列，包括U系列及H35系列，最高端的就是酷睿i7-1165G7。與之一同退役的還有配套的500系芯片組，包括RM590E，HM570E和QM580E系列。這些產(chǎn)
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消息稱三星半導(dǎo)體將減少 10% 晶圓投片量，EUV 產(chǎn)線成重災(zāi)區(qū)

  • IT之家 5 月 26 日消息，據(jù)韓媒 Aju News 報(bào)道，三星計(jì)劃自 2023 年第三季度開始，對韓國華城園區(qū) S3 工廠減少至少 10% 的晶圓投片量。▲ 圖源：三星報(bào)道稱，三星半導(dǎo)體將在第三季度開始，對華城園區(qū) S3 工廠進(jìn)行減產(chǎn)作業(yè)。S3 工廠是三星半導(dǎo)體于 2018 年建成投產(chǎn)的 12 英寸生產(chǎn)線，目前主要生產(chǎn) 10nm 至 7nm 產(chǎn)品，也是三星半導(dǎo)體 EUV 先進(jìn)工藝的主力生產(chǎn)廠之一，三星為其部署了多臺(tái) ASML 的 NXE3400 EUV 光刻機(jī)。Aju News
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2025搞定2nm工藝 日本芯片公司Rapidus已搞定EUV光刻機(jī)

  • 5月17日消息，原本已經(jīng)落后的日本半導(dǎo)體制造行業(yè)近年來加快了追趕速度，去年8月份索尼、豐田等8家企業(yè)出資成立了Rapidus，計(jì)劃2025年試產(chǎn)2nm工藝，而且很快就籌備了EUV光刻機(jī)。日本當(dāng)前的邏輯工藝還在28nm以上，但是Rapidus公司選擇跳過中間的工藝，直接搞2nm工藝，而5nm以下的工藝都離不開EUV光刻機(jī)，不論研發(fā)還是制造都要先買設(shè)備。Rapidus社長小池淳義日前在采訪中透露，他們已經(jīng)完成了1臺(tái)EUV光刻機(jī)的籌備，不過具體的型號(hào)及進(jìn)度沒有說明，不確定是ASML的哪款EUV光刻機(jī)，何時(shí)安裝、
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柔弱的雕刻大師——EUV光刻機(jī)

  • 在如今這個(gè)信息時(shí)代，如果說我們的世界是由芯片堆積起來的高樓大廈，那么芯片制造，則是這里面高樓的地基，而談到芯片制造各位讀者自然就能想到光刻機(jī)，沒錯(cuò)，作為人類商業(yè)化機(jī)器的工程奇跡，光刻機(jī)自然是量產(chǎn)高性能芯片的必要設(shè)備。特別是隨著這幾年中美貿(mào)易戰(zhàn)的加劇，光刻機(jī)這種大部分可能一生都不會(huì)見到的機(jī)器一下子成了婦孺皆知的存在，那么光刻機(jī)是如何工作的呢？它是如何在方寸之間的芯片上雕刻出上百億的晶體管的呢？本篇文章就著重給大家介紹一下目前最先進(jìn)，也是我國被“卡脖子”的EUV（極紫外）光刻機(jī)。? ? &
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ASML預(yù)測，未來九個(gè)月對中國的銷量將大幅回升

EUV機(jī)臺(tái)被砍單？ 業(yè)界：不太可能

  • 終端市場需求低迷，近期市場傳出臺(tái)積電將宣布調(diào)降今年資本支出，恐沖擊艾司摩爾（ASML）及應(yīng)用材料等設(shè)備廠出貨，甚至傳出艾司摩爾極紫外光（EUV）機(jī)臺(tái)被砍單消息，不過業(yè)界普遍認(rèn)為可能性不高，原因在于EUV機(jī)臺(tái)交期長達(dá)12～15個(gè)月，且中長期來看EUV產(chǎn)能仍供不應(yīng)求。 ASML預(yù)計(jì)19日舉行法人說明會(huì)，可望針對EUV曝光機(jī)已接訂單（backlog）變化提出說明。半導(dǎo)體生產(chǎn)鏈仍在進(jìn)行庫存調(diào)整，市場傳出臺(tái)積電可能在法人說明會(huì)中下修全年資本支出，加上內(nèi)存廠放慢擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃，將導(dǎo)致EUV曝光機(jī)訂單減少或延后，受此消息影響
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國產(chǎn)光刻機(jī)的「行軍難」

  • 3 月 8 日，ASML 發(fā)表聲明回應(yīng)荷蘭政府即將出臺(tái)的半導(dǎo)體設(shè)備出口管制措施。ASML 稱，這些新的出口管制措施側(cè)重于先進(jìn)的芯片制造技術(shù)，包括最先進(jìn)的沉積設(shè)備和浸潤式光刻系統(tǒng)，ASML 將需要申請出口許可證才能發(fā)運(yùn)最先進(jìn)的浸潤式 DUV 系統(tǒng)。ASML 強(qiáng)調(diào)，這些管制措施需要一定時(shí)間才能付諸立法并生效。3 月 9 日，外交部例行記者會(huì)上，有媒體提問，據(jù)報(bào)道，荷蘭外貿(mào)與發(fā)展合作大臣施賴納馬赫爾向荷議會(huì)致函稱，出于國家安全考慮，荷蘭將于今年夏天之前對其芯片出口實(shí)施限制性措施。中方對此有何評(píng)論？外交部發(fā)言人毛
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挑戰(zhàn) ASML，應(yīng)用材料公司重新定義了光刻和圖案化市場

  • EUV 太貴了，有其他解決方法嗎？
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2nm 工藝的計(jì)量策略

  • 晶圓制造工具正變得更加專用于 Si/SiGe 堆棧、3D NAND 和鍵合晶圓對。
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ASML堵了EUV光刻機(jī)的路，但國產(chǎn)光刻機(jī)有3大新方向

  • 眾所周知，當(dāng)前全球只有ASML一家能夠生產(chǎn)EUV光刻機(jī)，甚至可以說很長一段時(shí)間內(nèi)，全球也只有ASML能夠生產(chǎn)光刻機(jī)，不會(huì)有第二家。原因在于ASML把EUV光刻機(jī)的路堵住了，這條路別人是走不通的。ASML與全球眾多的供應(yīng)鏈，形成了捆綁關(guān)系，像蔡司等與ASML形成了利益共同體，EUV光刻機(jī)中，蔡司等廠商至關(guān)重要，掌握核心科技，缺少這些供應(yīng)鏈，其它廠商不可能制造出EUV光刻機(jī)。所以，目前眾多的其它光刻機(jī)企業(yè)，并不打算走EUV光刻機(jī)這條路，在另尋它路。同樣的，國產(chǎn)光刻機(jī)基本上也走不通EUV這條路，只能另尋他路，而
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美國發(fā)起的對華聯(lián)合出口限制留下漏洞？

  • 據(jù)報(bào)道，荷蘭和日本已與美國達(dá)成協(xié)議，共同限制向中國出口芯片制造工具，這將進(jìn)一步削弱中國半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展，因?yàn)槌讼拗浦袊圃焐淌褂?EUV 光刻機(jī)外，進(jìn)一步限制其使用浸沒式 DUV 光刻機(jī)。但在美國對中國發(fā)起的嚴(yán)格出口限制中，中國半導(dǎo)體企業(yè)是否可以利用任何關(guān)鍵漏洞來緩沖沖擊？這似乎是一個(gè)值得仔細(xì)研究的問題。近年來，美國加大了對中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的打壓力度。不僅設(shè)計(jì)了各種策略和行動(dòng)，還動(dòng)員了盟友的參與。在 2022 年 10 月對向中國出口先進(jìn)芯片制造工具和技術(shù)實(shí)施全面出口限制后，美國急于讓擁有 ASML
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euv介紹

在半導(dǎo)體行業(yè)，EUV一般指EUV光刻，即極紫外光刻。 極紫外光刻（英語：Extreme ultra-violet，也稱EUV或EUVL）是一種使用極紫外（EUV）波長的光刻技術(shù)。 EUV光刻采用波長為10-14納米的極紫外光作為光源，可使曝光波長一下子降到13.5nm,它能夠把光刻技術(shù)擴(kuò)展到32nm以下的特征尺寸。 根據(jù)瑞利公式（分辨率=k1·λ/NA），這么短的波長可以提供極高 [ 查看詳細(xì) ]

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