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納米壓?。阂粋€「備胎」走向「臺前」的故事
- 佳能在 10 月 13 日宣布,正式推出納米壓印半導體制造設備。對于 2004 年就開始探索納米壓印技術的佳能來說,新設備的推出無疑是向前邁出了一大步。佳能推出的這個設備型號是 FPA-1200NZ2C,目前可以實現(xiàn)最小線寬 14nm 的圖案化,相當于生產(chǎn)目前最先進的邏輯半導體所需的 5 納米節(jié)點。佳能表示當天開始接受訂單,目前已經(jīng)向東芝供貨。半導體行業(yè)可謂是「苦光刻機久已」,納米壓印設備的到來,讓期盼已久的半導體迎來一線曙光。那么什么是納米壓印技術?這種技術距離真的能夠取代光刻機嗎?納米壓印走向臺前想要
- 關鍵字: 納米壓印 EUV 光刻機
EUV光刻技術仍需克服的三個缺點
- 光刻技術是指在光照作用下,借助光致抗蝕劑(又名光刻膠)將掩膜版上的圖形轉(zhuǎn)移到基片上的技術。其主要過程為:首先紫外光通過掩膜版照射到附有一層光刻膠薄膜的基片表面,引起曝光區(qū)域的光刻膠發(fā)生化學反應;再通過顯影技術溶解去除曝光區(qū)域或未曝光區(qū)域的光刻膠(前者稱正性光刻膠,后者稱負性光刻膠),使掩膜版上的圖形被復制到光刻膠薄膜上;最后利用刻蝕技術將圖形轉(zhuǎn)移到基片上。想要了解光刻技術對半導體供需穩(wěn)定將會產(chǎn)生什么樣的影響,首先要了解的是大家經(jīng)常聽到的 14 納米 DRAM、4 納米應用處理器等用語,要先說明納米是什么意
- 關鍵字: EUV
英特爾首次采用EUV技術的Intel 4制程節(jié)點已大規(guī)模量產(chǎn)
- 近日,英特爾宣布已開始采用極紫外光刻(EUV)技術大規(guī)模量產(chǎn)(HVM)Intel 4制程節(jié)點。據(jù)英特爾中國官微獲悉,近日,英特爾宣布已開始采用極紫外光刻(EUV)技術大規(guī)模量產(chǎn)(HVM)Intel 4制程節(jié)點。據(jù)悉,作為英特爾首個采用極紫外光刻技術生產(chǎn)的制程節(jié)點,Intel 4與先前的節(jié)點相比,在性能、能效和晶體管密度方面均實現(xiàn)了顯著提升。極紫外光刻技術正在驅(qū)動著算力需求最高的應用,如AI、先進移動網(wǎng)絡、自動駕駛及新型數(shù)據(jù)中心和云應用。英特爾“四年五個制程節(jié)點”計劃正在順利推進中。目前,Intel 7和I
- 關鍵字: 英特爾 EUV Intel4
俄羅斯7納米驚人突破 泄國產(chǎn)EUV曝光時間
- 俄羅斯企圖打破艾司摩爾(ASML)先進半導體設備獨占地位!俄媒消息指出,俄羅斯號稱開發(fā)出可取代曝光機的芯片制造工具,甚至發(fā)下豪語,將于2028年研發(fā)出可生產(chǎn)7納米芯片的曝光機,還可擊敗ASML同類產(chǎn)品。俄國目前普遍使用20年前的65納米制程,正在興建28納米晶圓廠。俄羅斯國際新聞通訊社(俄新社)報導,圣彼得堡理工大學研發(fā)出一種「國產(chǎn)曝光復合體」,可用于蝕刻生產(chǎn)無掩模芯片,將有助于解決俄羅斯在微電子領域的技術主權問題??茖W家表示,這款芯片制造設備成本為500萬盧布(約臺幣161萬元),而另一種工具的成本未知
- 關鍵字: 俄羅斯 7納米 EUV
Intel 4技術在愛爾蘭大批量生產(chǎn),點燃歐洲半導體制造能力
- DIGITAL-得益于ASML的芯片機,英特爾在愛爾蘭的尖端技術生產(chǎn)點燃了歐洲革命。在英特爾位于愛爾蘭的最新制造工廠Fab 34的潔凈室里。?英特爾公司?英特爾在技術領域掀起了波瀾,在愛爾蘭推出了英特爾4技術的大批量生產(chǎn),引發(fā)了一場歐洲革命。這標志著極紫外光刻機(EUV)首次用于歐洲大規(guī)模生產(chǎn)。此舉鞏固了英特爾對快節(jié)奏生產(chǎn)戰(zhàn)略的承諾,并提升了歐洲的半導體制造能力。?這家科技巨頭在愛爾蘭、德國和波蘭的投資正在推動整個歐洲大陸的尖端價值鏈。英特爾對可持續(xù)發(fā)展的執(zhí)著也體現(xiàn)在其愛爾蘭氣候行動計
- 關鍵字: 英特爾,EUV,ASML
用新型極紫外光刻膠材料推進半導體工藝
- 新型極紫外光刻膠材料是不斷增強半導體技術的重要基石。
- 關鍵字: EUV
ASML:數(shù)值孔徑0.75超高NA EUV光刻設備2030年登場
- 據(jù)日本媒體報導,光刻機設備龍頭阿斯麥(ASML)執(zhí)行副總裁Christophe Fouquet近日在比利時imec年度盛會ITF World 2023表示,半導體產(chǎn)業(yè)需要2030年開發(fā)數(shù)值孔徑0.75的超高NA EUV光刻技術,滿足半導體發(fā)展。Christophe Fouquet表示,自2010年以來EUV技術越來越成熟,半導體制程微縮至2020年前后三年,以超過50%幅度前進,不過速度可能會在2030年放緩。故ASML計劃年底前發(fā)表首臺商用High-NA(NA=0.55)EUV微影曝光設備(原型制作),
- 關鍵字: ASML NA EUV 光刻設備
與EUV相比,這一光刻技術更具發(fā)展?jié)摿?/a>
- 對于半導體行業(yè)而言,光刻技術和設備發(fā)揮著基礎性作用,是必不可少的。所謂光刻,就是將設計好的圖形從掩模版轉(zhuǎn)印到晶圓表面的光刻膠上所使用的技術。光刻技術最先應用于印刷工業(yè),之后長期用于制造印刷電路板(PCB),1950 年代,隨著半導體技術的興起,光刻技術開始用于制造晶體管和集成電路(IC)。目前,光刻是 IC 制造過程中最基礎,也是最重要的技術。在半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展史上,光刻技術的發(fā)展經(jīng)歷了多個階段,接觸/接近式光刻、光學投影光刻、分步(重復)投影光刻出現(xiàn)時間較早,集成電路生產(chǎn)主要采用掃描式光刻、浸沒式掃描光刻
- 關鍵字: EUV 光刻技術
消息稱三星半導體將減少 10% 晶圓投片量,EUV 產(chǎn)線成重災區(qū)

- IT之家 5 月 26 日消息,據(jù)韓媒 Aju News 報道,三星計劃自 2023 年第三季度開始,對韓國華城園區(qū) S3 工廠減少至少 10% 的晶圓投片量?!?圖源:三星報道稱,三星半導體將在第三季度開始,對華城園區(qū) S3 工廠進行減產(chǎn)作業(yè)。S3 工廠是三星半導體于 2018 年建成投產(chǎn)的 12 英寸生產(chǎn)線,目前主要生產(chǎn) 10nm 至 7nm 產(chǎn)品,也是三星半導體 EUV 先進工藝的主力生產(chǎn)廠之一,三星為其部署了多臺 ASML 的 NXE3400 EUV 光刻機。Aju News
- 關鍵字: 三星 EUV
2025搞定2nm工藝 日本芯片公司Rapidus已搞定EUV光刻機
- 5月17日消息,原本已經(jīng)落后的日本半導體制造行業(yè)近年來加快了追趕速度,去年8月份索尼、豐田等8家企業(yè)出資成立了Rapidus,計劃2025年試產(chǎn)2nm工藝,而且很快就籌備了EUV光刻機。日本當前的邏輯工藝還在28nm以上,但是Rapidus公司選擇跳過中間的工藝,直接搞2nm工藝,而5nm以下的工藝都離不開EUV光刻機,不論研發(fā)還是制造都要先買設備。Rapidus社長小池淳義日前在采訪中透露,他們已經(jīng)完成了1臺EUV光刻機的籌備,不過具體的型號及進度沒有說明,不確定是ASML的哪款EUV光刻機,何時安裝、
- 關鍵字: 日本 EUV 光刻機
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