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李在镕正式回歸，三星半導(dǎo)體是否大舉投資引關(guān)注

  • 先前李在镕涉入政治關(guān)說丑聞的負(fù)面影響尚未完全消除，設(shè)法恢復(fù)各界對三星的信賴也是李在镕須解決的課題。
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EUV、3nm、GAA首次亮相，三星晶圓代工業(yè)務(wù)強(qiáng)勢進(jìn)軍中國市場

  • 　　為進(jìn)一步提升在中國市場晶圓代工領(lǐng)域的競爭力，6月14日，三星電子在中國上海召開 “2018三星晶圓代工論壇(Samsung Foundry Forum 2018)”(SFF)，這是SFF首次在中國舉行，中國半導(dǎo)體市場的影響力可見一斑?！　”敬握搲?，三星電子晶圓代工事業(yè)部戰(zhàn)略市場部部長、副社長裵永昌帶領(lǐng)主要管理團(tuán)隊，介紹了晶圓代工事業(yè)部升級為獨立業(yè)務(wù)部門一年來的發(fā)展成果，以及未來發(fā)展路線圖和服務(wù)，首次發(fā)布了FinFET、GAA等晶體管構(gòu)造與EUV曝光技術(shù)的使用計劃，以及3納米芯片高端工藝的發(fā)展路線圖，
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進(jìn)軍全球5G芯片市場，臺積電7納米EUV工藝聯(lián)發(fā)科M70明年發(fā)

  • 　　聯(lián)發(fā)科高分貝宣布旗下首款5G Modem芯片，代號為曦力(Helio)M70的芯片解決方案將在2019年現(xiàn)身市場的動作，臺面上或是為公司將積極進(jìn)軍全球5G芯片市場作熱身，但臺面下，已決定采用臺積電7納米EUV制程技術(shù)設(shè)計量產(chǎn)的M70 5G Modem芯片解決方案，卻是聯(lián)發(fā)科為卡位臺積電最新主力7納米制程技術(shù)產(chǎn)能，同時向蘋果(Apple)iPhone訂單招手的關(guān)鍵大絕，在高通(Qualcomm)還在三星電子(SAMSUNG)、臺積電7納米制程技術(shù)猶疑之間，聯(lián)發(fā)科已先一步表達(dá)忠誠，而面對高通、蘋果專利訟訴
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中芯1.2億美元下單最先進(jìn)EUV光刻機(jī) 如何躲過《瓦森納協(xié)定》的？

  • 　　據(jù)《日經(jīng)亞洲評論》(Nikkei Asian Review)15日援引消息人士的話稱，中國芯片加工企業(yè)中芯國際(SMIC)向全球最大的芯片設(shè)備制造商——荷蘭ASML訂購了首臺最先進(jìn)的EUV(極紫外線)光刻機(jī)，價值1.2億美元。目前，業(yè)內(nèi)已達(dá)成共識，必須使用EUV光刻機(jī)才能使半導(dǎo)體芯片進(jìn)入7nm，甚至5nm時代。今天，中芯國際方面對觀察者網(wǎng)表示，對此事不做評論。　　消息稱，這臺幾乎相當(dāng)于中芯國際去年全部凈利潤的設(shè)備，將于2019年前交付?！　SML發(fā)言人對《日經(jīng)亞洲評論》表示，該企業(yè)對包括中國客戶在內(nèi)
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中芯1.2億美元下單最先進(jìn)EUV光刻機(jī),后續(xù)還得解決這些問題…

  • 　　據(jù)知情人士透露，中國最大的晶圓代工廠中芯國際已經(jīng)訂購了一臺EUV設(shè)備，在中美兩國貿(mào)易緊張的情況下，此舉旨在縮小與市場領(lǐng)先者的技術(shù)差距，確保關(guān)鍵設(shè)備的供應(yīng)。EUV是當(dāng)前半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中最先進(jìn)也最昂貴的芯片制造設(shè)備。 　　中芯國際的首臺EUV設(shè)備購自荷蘭半導(dǎo)體設(shè)備制造商ASML，價值1.2億美元。盡管中芯目前在制造工藝上仍落后于臺積電等市場領(lǐng)導(dǎo)者兩到三代，此舉仍突顯了該公司幫助提升中國本土半導(dǎo)體制造技術(shù)的雄心壯志，也保證了在最先進(jìn)的光刻設(shè)備方面的供應(yīng)。目前包括英特爾、三星、臺積電等巨頭都在購買該設(shè)備，以確保
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2019年換機(jī)指南：手機(jī)芯片的重磅升級！

  • 種種跡象表明，2018年將是移動處理器、半導(dǎo)體等行業(yè)迎來轉(zhuǎn)折的一年，多種技術(shù)經(jīng)歷多年沉淀后會在今年完成應(yīng)用，然后在2019年爆發(fā)。
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ASML載具供應(yīng)商家登精密談中國EUV的發(fā)展，面臨諸多挑戰(zhàn)

  • 　　載具對于曝光機(jī)發(fā)揮保護(hù)、運送和存儲光罩等功能十分重要。家登精密多年來致力于研究曝光機(jī)載具，并為全球最大的半導(dǎo)體設(shè)備制造商ASML提供載具相關(guān)技術(shù)。 　　我們主要研究EUV的配套技術(shù)，例如EUV的載具以及EUV的配套光罩，是7nm向5nm進(jìn)階的突破口。隨著5nm技術(shù)的升級，EUV的重要性逐漸凸顯出來，而載具的研究也越發(fā)緊迫。過去幾年，家登精密一直專心做一件事，那就是載具的配套研究。去年，我們的技術(shù)產(chǎn)品已經(jīng)達(dá)到國際先進(jìn)水平，這是一個值得自豪的成績。未來，7nm工藝逐漸向5nm升級，技術(shù)的研究會越來越困難
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三星7nm EUV工廠破土動工：新驍龍將在這里誕生

  • 2017年，三星在半導(dǎo)體事業(yè)中的投資達(dá)到了260億美元，創(chuàng)下歷史新高，這主要得益于其存儲芯片的巨大需求。
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臺積電要出售？張忠謀：不慌，價好就賣

  • 在前段時間，臺積電創(chuàng)始人張忠謀在即將退休的時候卻意外表示，其實中國臺灣地區(qū)的企業(yè)本來就不應(yīng)該死守，假如價錢夠好把臺積電賣掉也無妨。
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日媒：三星最高利潤背后的危機(jī)感

  • 　　韓國三星電子2017財年(截至2017年12月)合并營業(yè)利潤創(chuàng)下歷史新高，但其危機(jī)感正在加劇。三星1月31日發(fā)布的財報顯示，營業(yè)利潤同比增長83%，其中僅半導(dǎo)體業(yè)務(wù)盈利就增至上年的2.6倍，約合3.5萬億日元，顯著依賴市場行情，因此危機(jī)感增強(qiáng)。3大主要部門面臨著半導(dǎo)體增長放緩等課題。三星能否在新經(jīng)營團(tuán)隊的領(lǐng)導(dǎo)下，將智能手機(jī)和電視機(jī)的自主技術(shù)培育成新的收益源? 2018財年將成為試金石。 　　三星整體的營業(yè)利潤為53.65萬億韓元，時隔4年再創(chuàng)歷史新高。其中，半導(dǎo)體部門的服務(wù)器和智能手機(jī)存儲銷量堅挺，
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EUV微影前進(jìn)7nm制程，5nm仍存在挑戰(zhàn)

  • 　　EUV微影技術(shù)將在未來幾年內(nèi)導(dǎo)入10奈米(nm)和7nm制程節(jié)點。 不過，根據(jù)日前在美國加州舉辦的ISS 2018上所發(fā)布的分析顯示，實現(xiàn)5nm芯片所需的光阻劑仍存在挑戰(zhàn)。 　　極紫外光(extreme ultraviolet;EUV)微影技術(shù)將在未來幾年內(nèi)導(dǎo)入10奈米(nm)和7nm制程節(jié)點。 不過，根據(jù)日前在美國加州舉辦的年度產(chǎn)業(yè)策略研討會(Industry Strategy Symposium;ISS 2018)所發(fā)布的分析顯示，實現(xiàn)5nm芯片所需的光阻劑(photoresist)仍存在挑戰(zhàn)。
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4nm大戰(zhàn),三星搶先導(dǎo)入將EUV,研發(fā)GAAFET

  • 　　晶圓代工之戰(zhàn)，7nm制程預(yù)料由臺積電勝出，4nm之戰(zhàn)仍在激烈廝殺。 Android Authority報道稱，三星電子搶先使用極紫外光(EUV)微影設(shè)備，又投入研發(fā)能取代「鰭式場效晶體管」(FinFET)的新技術(shù)，目前看來似乎較占上風(fēng)。 　　Android Authority報導(dǎo)，制程不斷微縮，傳統(tǒng)微影技術(shù)來到極限，無法解決更精密的曝光顯像需求，必須改用波長更短的EUV， 才能準(zhǔn)確刻蝕電路圖。 5nm以下制程，EUV是必備工具。 三星明年生產(chǎn)7nm時，就會率先采用EUV，這有如讓三星在6nm以下的競
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?沒有EUV 半導(dǎo)體強(qiáng)國之夢就「難產(chǎn)」？

  • 一時之間，仿佛EUV成為了衡量中國半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)發(fā)展水平的標(biāo)桿，沒有EUV就無法實現(xiàn)半導(dǎo)體強(qiáng)國之夢？
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EUV或?qū)Q定半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)方向，通快加緊布局

  • 　　近日，TRUMPF公司CTO及股東Peter Leibinger在談到令人著迷的激光創(chuàng)新時重點提及極紫外光刻，也就是我們常說的EUV。他認(rèn)為，EUV令人著迷的原因是其極富挑戰(zhàn)性及對世界的重要影響。 　　Peter Leibinger 　　“如果我們無法實現(xiàn)EUV突破，摩爾定律將失效” Peter Leibinger表示：“其影響范圍不僅僅是芯片行業(yè)，智能手機(jī)產(chǎn)業(yè)乃至整個電子裝備產(chǎn)業(yè)都將改變運作方式。” 　　什么是EUV? 　　極紫外光刻(Ex
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EUV面臨的問題和權(quán)衡

  • 　　新的光刻工具將在5nm需要，但薄膜，阻抗和正常運行時間仍然存在問題。 　　Momentum正在應(yīng)用于極紫外(EUV)光刻技術(shù)，但這個談及很久的技術(shù)可以用于批量生產(chǎn)之前，仍然有一些主要的挑戰(zhàn)要解決。 　　EUV光刻技術(shù) - 即將在芯片上繪制微小特征的下一代技術(shù) – 原來是預(yù)計在2012年左右投產(chǎn)。但是幾年過去了，EUV已經(jīng)遇到了一些延遲，將技術(shù)從一個節(jié)點推向下一個階段。 　　如今，GlobalFoundries，英特爾，三星和臺積電相互競爭，將EUV光刻插入到7nm和/或5nm的大容量
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euv介紹

在半導(dǎo)體行業(yè)，EUV一般指EUV光刻，即極紫外光刻。 極紫外光刻（英語：Extreme ultra-violet，也稱EUV或EUVL）是一種使用極紫外（EUV）波長的光刻技術(shù)。 EUV光刻采用波長為10-14納米的極紫外光作為光源，可使曝光波長一下子降到13.5nm,它能夠把光刻技術(shù)擴(kuò)展到32nm以下的特征尺寸。 根據(jù)瑞利公式（分辨率=k1·λ/NA），這么短的波長可以提供極高 [ 查看詳細(xì) ]

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