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ASML預(yù)測，未來九個月對中國的銷量將大幅回升

  • ASML 財務(wù)總監(jiān) Roger Daasen 表示，今年未來幾個季度中國大陸的銷量將顯著回升。
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EUV機臺被砍單？ 業(yè)界：不太可能

  • 終端市場需求低迷，近期市場傳出臺積電將宣布調(diào)降今年資本支出，恐沖擊艾司摩爾（ASML）及應(yīng)用材料等設(shè)備廠出貨，甚至傳出艾司摩爾極紫外光（EUV）機臺被砍單消息，不過業(yè)界普遍認為可能性不高，原因在于EUV機臺交期長達12～15個月，且中長期來看EUV產(chǎn)能仍供不應(yīng)求。 ASML預(yù)計19日舉行法人說明會，可望針對EUV曝光機已接訂單（backlog）變化提出說明。半導(dǎo)體生產(chǎn)鏈仍在進行庫存調(diào)整，市場傳出臺積電可能在法人說明會中下修全年資本支出，加上內(nèi)存廠放慢擴產(chǎn)計劃，將導(dǎo)致EUV曝光機訂單減少或延后，受此消息影響
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國產(chǎn)光刻機的「行軍難」

  • 3 月 8 日，ASML 發(fā)表聲明回應(yīng)荷蘭政府即將出臺的半導(dǎo)體設(shè)備出口管制措施。ASML 稱，這些新的出口管制措施側(cè)重于先進的芯片制造技術(shù)，包括最先進的沉積設(shè)備和浸潤式光刻系統(tǒng)，ASML 將需要申請出口許可證才能發(fā)運最先進的浸潤式 DUV 系統(tǒng)。ASML 強調(diào)，這些管制措施需要一定時間才能付諸立法并生效。3 月 9 日，外交部例行記者會上，有媒體提問，據(jù)報道，荷蘭外貿(mào)與發(fā)展合作大臣施賴納馬赫爾向荷議會致函稱，出于國家安全考慮，荷蘭將于今年夏天之前對其芯片出口實施限制性措施。中方對此有何評論？外交部發(fā)言人毛
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挑戰(zhàn) ASML，應(yīng)用材料公司重新定義了光刻和圖案化市場

  • EUV 太貴了，有其他解決方法嗎？
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2nm 工藝的計量策略

  • 晶圓制造工具正變得更加專用于 Si/SiGe 堆棧、3D NAND 和鍵合晶圓對。
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ASML堵了EUV光刻機的路，但國產(chǎn)光刻機有3大新方向

  • 眾所周知，當(dāng)前全球只有ASML一家能夠生產(chǎn)EUV光刻機，甚至可以說很長一段時間內(nèi)，全球也只有ASML能夠生產(chǎn)光刻機，不會有第二家。原因在于ASML把EUV光刻機的路堵住了，這條路別人是走不通的。ASML與全球眾多的供應(yīng)鏈，形成了捆綁關(guān)系，像蔡司等與ASML形成了利益共同體，EUV光刻機中，蔡司等廠商至關(guān)重要，掌握核心科技，缺少這些供應(yīng)鏈，其它廠商不可能制造出EUV光刻機。所以，目前眾多的其它光刻機企業(yè)，并不打算走EUV光刻機這條路，在另尋它路。同樣的，國產(chǎn)光刻機基本上也走不通EUV這條路，只能另尋他路，而
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美國發(fā)起的對華聯(lián)合出口限制留下漏洞？

  • 據(jù)報道，荷蘭和日本已與美國達成協(xié)議，共同限制向中國出口芯片制造工具，這將進一步削弱中國半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展，因為除了限制中國制造商使用 EUV 光刻機外，進一步限制其使用浸沒式 DUV 光刻機。但在美國對中國發(fā)起的嚴格出口限制中，中國半導(dǎo)體企業(yè)是否可以利用任何關(guān)鍵漏洞來緩沖沖擊？這似乎是一個值得仔細研究的問題。近年來，美國加大了對中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的打壓力度。不僅設(shè)計了各種策略和行動，還動員了盟友的參與。在 2022 年 10 月對向中國出口先進芯片制造工具和技術(shù)實施全面出口限制后，美國急于讓擁有 ASML
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EUV光刻機開始“落幕”了

  • 說到光刻機大家難免會想到三個廠商，荷蘭的ASML公司、尼康和佳能。而光刻機就是制造芯片的核心裝備。現(xiàn)如今光刻機領(lǐng)域的核心地位就是荷蘭的ASML，他與臺積電合作，共同突破了沉浸式DUV光刻機，也正因為此動作，才奠定了ASML在光刻機領(lǐng)域的核心地位。后續(xù)ASML又推出了更加高端的EUV光刻機，而且還是獨家壟斷生產(chǎn)。這就進一步使得ASML成為行業(yè)的巨頭。隨著科技的不斷發(fā)展，市場就要越來越追求高性能以及高要求，ASLM造成的長時間壟斷，導(dǎo)致其他同行沒有辦法發(fā)展。在他自身無法突破的前提下，他的路是越走越窄。在全球范
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三星擬新設(shè)至少10臺EUV光刻機：展露要當(dāng)世界第一的野心

  • 最新消息顯示，盡管全球經(jīng)濟將放緩，但三星仍計劃擴大DRAM與晶圓代工的晶圓產(chǎn)能，明年在其P3晶圓廠新設(shè)至少10臺極紫外光刻設(shè)備（EUV），用于生產(chǎn)最新的12nm級內(nèi)存芯片，而三星目前僅有40臺EUV光刻機。
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三星首次采用韓國本土EUV光刻膠 打破日企壟斷

  • 據(jù)報道，三星首次引入韓國本土公司東進世美肯（Dongjin Semichem）研發(fā)的EUV光刻膠（EUV PR）進入其量產(chǎn)線，這也是三星進行光刻膠本土量產(chǎn)的首次嘗試。在2019年經(jīng)歷與日本的光刻膠等關(guān)鍵原料的供應(yīng)風(fēng)波之后，三星就在嘗試將關(guān)鍵原料的供應(yīng)本土化，經(jīng)過三年的努力，韓國實現(xiàn)了光刻膠本地化生產(chǎn)。在日本限制出口、三星嘗試重構(gòu)EUV光刻膠的供應(yīng)鏈之后，東進世美肯就已開始研發(fā)EUV光刻膠，并在去年通過了三星的可靠性測試，隨后不到一年就被應(yīng)用于三星的大規(guī)模生產(chǎn)線。不過，EUV光刻膠可用于3-50道程序，目前
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有多貴？ASML新EUV光刻機單臺硬件造價2500億：可買三臺頂級航母

  • 都知道光刻機單臺成本非常的貴，但是你知道有多貴嗎？一臺數(shù)億美元的光刻機讓我們看到了一款硬件設(shè)備的價格極限，然而，ASML CEO Peter Wennink最新接受媒體采訪時透露，他們正在全力研制劃時代的新光刻機high-NA EUV設(shè)備，而高NA EUV光刻機系統(tǒng)的單臺造價將在300億到350億歐元之間，約合人民幣2195到2561億元。這個價格什么概念，一搜頂級航母的價格差不多在100億美元左右，而這臺硬件設(shè)備可以買三艘頂級航母，而ASML目前在售的雙工件臺EUV光刻機不過數(shù)億美元，作為下一代產(chǎn)品身價
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事關(guān)EUV光刻技術(shù)，中國廠商公布新專利

  • 近日，據(jù)國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)消息，華為技術(shù)有限公司于11月15日公布了一項于光刻技術(shù)相關(guān)的專利，專利申請?zhí)枮?02110524685X。集成電路制造中，光刻覆蓋了微納圖形的轉(zhuǎn)移、加工和形成環(huán)節(jié)，決定著集成電路晶圓上電路的特征尺寸和芯片內(nèi)晶體管的數(shù)量，是集成電路制造的關(guān)鍵技術(shù)之一。隨著半導(dǎo)體工藝向7nm及以下節(jié)點的推進，極紫外(extreme ultraviolet，EUV)光刻成為首選的光刻技術(shù)。相關(guān)技術(shù)的EUV光刻機中采用強相干光源在進行光刻時，相干光經(jīng)照明系統(tǒng)分割成的多個子光束具有固定的相位關(guān)系，當(dāng)
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美光：成功繞過了EUV光刻技術(shù)

  • 本周美光宣布，采用全球先進1β(1-beta)制造工藝的DRAM內(nèi)存芯片已經(jīng)送樣給部分手機制造商、芯片平臺合作伙伴進行驗證，并做好了量產(chǎn)準備。1β工藝可將能效提高約15％，存儲密度提升35％以上，單顆裸片(Die)容量高達16Gb(2GB)。一個值得關(guān)注的點是，美光稱，1β繞過了EUV（極紫外光刻）工具，而依然采用的是DUV（深紫外光刻）。這意味著相較于三星、SK海力士，美光需要更復(fù)雜的設(shè)計方案。畢竟，DRAM的先進性很大程度上取決于每平方毫米晶圓面積上集成更多更快半導(dǎo)體的能力，各公司目前通過不斷縮小電路
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芯片巨頭美光：成功繞過了EUV光刻技術(shù)

  • 　　本周美光宣布，采用全球最先進1β(1-beta)制造工藝的DRAM內(nèi)存芯片已經(jīng)送樣給部分手機制造商、芯片平臺合作伙伴進行驗證，并做好了量產(chǎn)準備?！　?β工藝可將能效提高約15％，存儲密度提升35％以上，單顆裸片(Die)容量高達16Gb(2GB)?！　∫粋€值得關(guān)注的點是，美光稱，1β繞過了EUV（極紫外光刻）工具，而依然采用的是DUV（深紫外光刻）?！　∵@意味著相較于三星、SK海力士，美光需要更復(fù)雜的設(shè)計方案。畢竟，DRAM的先進性很大程度上取決于每平方毫米晶圓面積上集成更多更快半導(dǎo)體的能力，各公司目
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ASML：有望繼續(xù)向中國出貨非EUV光刻機

  • 近期，全球半導(dǎo)體龍頭設(shè)備企業(yè)阿斯麥（ASML）、泛林（LAM）公布了其最新一季度財報，阿斯麥方面，最新一季度銷售額和利潤均超出市場預(yù)期，其新的凈預(yù)訂額也創(chuàng)下了紀錄。此外阿斯麥CEO Peter Wennink表示，ASML有望繼續(xù)向中國出貨非EUV光刻機；泛林方面，當(dāng)季公司營收創(chuàng)下歷史新高，官方表示，2023年晶圓廠設(shè)備支出將下滑。ASML：有望繼續(xù)向中國出貨非EUV光刻機10月19日，光刻機大廠阿斯麥公布了2022年第三季度財報。數(shù)據(jù)顯示，ASML第三季度凈營收同比增長10%至58億歐元，超出此前業(yè)界預(yù)
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euv介紹

在半導(dǎo)體行業(yè)，EUV一般指EUV光刻，即極紫外光刻。 極紫外光刻（英語：Extreme ultra-violet，也稱EUV或EUVL）是一種使用極紫外（EUV）波長的光刻技術(shù)。 EUV光刻采用波長為10-14納米的極紫外光作為光源，可使曝光波長一下子降到13.5nm,它能夠把光刻技術(shù)擴展到32nm以下的特征尺寸。 根據(jù)瑞利公式（分辨率=k1·λ/NA），這么短的波長可以提供極高 [ 查看詳細 ]

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