首頁(yè)  資訊  商機(jī)   下載  拆解   高校  招聘   雜志  會(huì)展  EETV  百科   問(wèn)答  電路圖  工程師手冊(cè)   Datasheet  100例   活動(dòng)中心  E周刊閱讀   樣片申請(qǐng)
EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> euv

EUV在手天下我有 ASML二季度表現(xiàn)亮眼

  •   全球最大芯片光刻設(shè)備市場(chǎng)供貨商阿斯麥(ASML)近日公布2017第二季財(cái)報(bào)。ASML第二季營(yíng)收凈額21億歐元,毛利率為45%。在第二季新增8臺(tái)EUV系統(tǒng)訂單,讓EUV光刻系統(tǒng)的未出貨訂單累積到27臺(tái),總值高達(dá)28億歐元。   預(yù)估2017第三季營(yíng)收凈額約為22億歐元,毛利率約為43%。因?yàn)槭袌?chǎng)需求和第二季的強(qiáng)勁財(cái)務(wù)表現(xiàn),ASML預(yù)估2017全年?duì)I收成長(zhǎng)可達(dá)25%。   ASML總裁暨執(zhí)行長(zhǎng)溫彼得指出:“ASML今年的主要營(yíng)收貢獻(xiàn)來(lái)自內(nèi)存芯片客戶,尤其在DRAM市場(chǎng)需求的驅(qū)動(dòng)下,這部分的
  • 關(guān)鍵字: EUV  ASML  

三星領(lǐng)先臺(tái)積電引入7納米EUV技術(shù),今年代工市場(chǎng)欲超車聯(lián)電

  •   據(jù)日經(jīng)中文網(wǎng)報(bào)道,7月11日,韓國(guó)三星電子在首爾舉行的說(shuō)明會(huì)上,向客戶等各方介紹了半導(dǎo)體代工業(yè)務(wù)的技術(shù)戰(zhàn)略。新一代7納米半導(dǎo)體將采用最尖端的制造技術(shù),從2018年開始量產(chǎn)。此次說(shuō)明會(huì)上,三星展示了發(fā)展藍(lán)圖,記載了決定性能好壞的電路線寬的微細(xì)化進(jìn)程。三星表示,采用“極紫外光刻(EUV光刻)”新技術(shù)的7納米產(chǎn)品計(jì)劃從2018年開始接單,5納米產(chǎn)品和4納米產(chǎn)品分別將從2019年和2020年開始接單。EUV能大幅提高電路形成工序的效率,7納米以下的產(chǎn)品曾被認(rèn)為難以實(shí)現(xiàn)商用化,而EUV是
  • 關(guān)鍵字: 三星  EUV  

延續(xù)摩爾定律 EUV技術(shù)角色關(guān)鍵

  •   臺(tái)積電已宣布將在2018年第二代7奈米制程中開始導(dǎo)入EUV微影技術(shù),以做為5奈米全面采用EUV的先期準(zhǔn)備。 盡管目前EUV設(shè)備曝光速度仍不如期待且價(jià)格極為高昂,但與采用雙重或多重曝光技術(shù)相比,EUV的投資對(duì)解決先進(jìn)制程不斷攀升的成本問(wèn)題仍是相對(duì)有力的解決方案。   每一季的臺(tái)積電法說(shuō)會(huì)上,張忠謀董事長(zhǎng)或是共同執(zhí)行長(zhǎng)對(duì)于極紫外光(Extreme Ultraviolet, EUV)的發(fā)展進(jìn)度必會(huì)對(duì)臺(tái)下觀眾做一專門的報(bào)告,法人代表對(duì)于EUV的導(dǎo)入時(shí)程亦表示高度興趣。 到底EUV的發(fā)展對(duì)于臺(tái)積電未來(lái)發(fā)展甚至
  • 關(guān)鍵字: 摩爾定律  EUV  

摩爾定律唯一規(guī)則:永遠(yuǎn)不要說(shuō)不可能

  •   摩爾定律在過(guò)去52年中一直是“更小,更快,更便宜”的代名詞,但越來(lái)越多的人認(rèn)為它只是諸多選擇之一,芯片行業(yè)開始針對(duì)特定的市場(chǎng)需求進(jìn)行調(diào)整。   這并沒(méi)有使得摩爾定律失去意義。眾多行業(yè)人士透露,從16/14nm沖擊7nm的公司數(shù)量要多于直接沖擊16/14nm finFET的公司。但是,這種遷移也需要考慮到:   · 當(dāng)代工廠利用16/14nm finFET進(jìn)行相同度量時(shí),節(jié)點(diǎn)命名在20nm之后就變得無(wú)意義。因此,對(duì)于10nm或7nm并沒(méi)有一致的定義。更有價(jià)值的數(shù)
  • 關(guān)鍵字: 摩爾定律  EUV  

7nm爭(zhēng)奪戰(zhàn)即將打響 EUV是否夠成熟?

  • 在先進(jìn)制程方面,玩得起的顯然只剩寥寥可數(shù)的那幾個(gè)大玩家,7nm是一個(gè)重要的節(jié)點(diǎn)。
  • 關(guān)鍵字: 7nm  EUV  

KLA-Tencor 快速有效解決客戶良率問(wèn)題 與中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)一同成長(zhǎng)

  •   看好中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)未來(lái)持續(xù)的蓬勃發(fā)展,工藝控制與成品率管理解決方案提供商KLA-Tencor (科天)透過(guò)半導(dǎo)體檢測(cè)與量測(cè)技術(shù),以最快的速度及最有效的方式 ,幫助客戶解決在生產(chǎn)時(shí)面對(duì)的良率問(wèn)題。KLA-Tencor立志于幫助中國(guó)客戶一起提升良率,降低生產(chǎn)成本,提高生產(chǎn)效率,并與中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)一同成長(zhǎng)?! LA-Tencor中國(guó)區(qū)總裁張智安表示,KLA-Tencor成立至今40年,現(xiàn)于全球17國(guó)擁有6000多位員工。2016財(cái)年,KLA-Tencor營(yíng)收表現(xiàn)來(lái)到30億美元。從硅片檢
  • 關(guān)鍵字: KLA-Tencor  EUV  

半導(dǎo)體押寶EUV ASML突破瓶頸 預(yù)計(jì)2018年可用于量產(chǎn)

  •   摩爾定律(Moore’s Law)自1970年代左右問(wèn)世以來(lái),全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)均能朝此一定律規(guī)則前進(jìn)發(fā)展,過(guò)去數(shù)十年來(lái)包括光微影技術(shù)(Photolithography)等一系列制程技術(shù)持續(xù)的突破,才得以讓半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)能依照摩爾定律演進(jìn),進(jìn)而帶動(dòng)全球科技產(chǎn)業(yè)研發(fā)持續(xù)前進(jìn)。   但為延續(xù)產(chǎn)業(yè)良性發(fā)展,光是依賴于傳統(tǒng)微影技術(shù)仍不夠,因此芯片制造商也正在苦思試圖進(jìn)行一次重大且最具挑戰(zhàn)的變革,即發(fā)展所謂的“極紫外光”(EUV)微影技術(shù),該技術(shù)也成為臺(tái)積電、英特爾(Intel)等
  • 關(guān)鍵字: ASML  EUV   

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中重要一環(huán) EUV光刻最新進(jìn)展如何

  •   ASML宣稱它的Q2收到4臺(tái)EUV訂單,預(yù)期明年EUV發(fā)貨達(dá)10臺(tái)以上。   EUV光刻設(shè)備一再延遲,而最新消息可能在2020年時(shí)能進(jìn)入量產(chǎn),而非??赡軕?yīng)用在5nm節(jié)點(diǎn)。   業(yè)界預(yù)測(cè)未來(lái)在1znm的存儲(chǔ)器生產(chǎn)中可能會(huì)有2層或者以上層會(huì)采用它,及在最先進(jìn)制程節(jié)點(diǎn)(7 or 5nm)的邏輯器件生產(chǎn)中可能會(huì)有6-9層會(huì)使用它。   ASML計(jì)劃2018年時(shí)它的EUV設(shè)備的產(chǎn)能再擴(kuò)大一倍達(dá)到年產(chǎn)24臺(tái),每臺(tái)售價(jià)約1億美元,目前芯片制造商己經(jīng)安裝了8臺(tái),正在作各種測(cè)試。   半導(dǎo)體顧問(wèn)公司的分析師Ro
  • 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體  EUV  

重回摩爾定律兩大武器... EUV+三五族 成大勢(shì)所趨

  •   英特爾在14奈米及10奈米制程推進(jìn)出現(xiàn)延遲,已影響到處理器推出時(shí)程,也讓業(yè)界及市場(chǎng)質(zhì)疑:摩爾定律是否已達(dá)極限?不過(guò),英特爾仍積極尋求在7奈米時(shí)代重回摩爾定律的方法,其中兩大武器,分別是被視為重大微影技術(shù)世代交替的極紫外光(EUV),以及開始采用包括砷化銦鎵(InGaAs)及磷化銦(InP)等三五族半導(dǎo)體材料。   摩爾定律能否持續(xù)走下去,主要關(guān)鍵在于微影技術(shù)難度愈來(lái)愈高。目前包括英特爾、臺(tái)積電、三星等大廠,主要采用多重曝光(multi-patterning)的浸潤(rùn)式微影(immersionlitho
  • 關(guān)鍵字: 摩爾定律  EUV  

EUV微影技術(shù)準(zhǔn)備好了嗎?

  •   又到了超紫外光(EUV)微影技術(shù)的關(guān)鍵時(shí)刻了??v觀整個(gè)半導(dǎo)體發(fā)展藍(lán)圖,研究人員在日前舉辦的IMEC技術(shù)論壇(ITF)上針對(duì)EUV微影提出了各種大大小小即將出現(xiàn)的挑戰(zhàn)。   到了下一代的10nm節(jié)點(diǎn),降低每電晶體成本將會(huì)變得十分棘手。更具挑戰(zhàn)性的是在7nm節(jié)點(diǎn)時(shí)導(dǎo)入EUV微影。更進(jìn)一步來(lái)看,當(dāng)擴(kuò)展到超越5nm節(jié)點(diǎn)時(shí)可能就需要一種全新的晶片技術(shù)了。   目前最迫在眉睫的是中期挑戰(zhàn)。如果長(zhǎng)久以來(lái)一直延遲的EUV微影系統(tǒng)未能在2017年早期就緒的話,7nm制程將會(huì)成為一個(gè)昂貴的半節(jié)點(diǎn)。   不過(guò),研究人
  • 關(guān)鍵字: EUV  SanDisk  

臺(tái)積電采購(gòu)EUV 2018年或邁入7納米時(shí)代

  • 按照現(xiàn)在量產(chǎn)產(chǎn)品工藝進(jìn)展的速度,幾乎可以預(yù)見的是,2018年上7納米的愿望很美好,但是實(shí)際情況卻困難重重,幾乎是不太可能的事,即便在技術(shù)上能實(shí)現(xiàn),在商業(yè)上來(lái)看也不能算是理性的選擇。
  • 關(guān)鍵字: 臺(tái)積電  7納米  EUV  

2016年EUV降臨 半導(dǎo)體格局生變

  •  ASML公司第3代極紫外光(EUV)設(shè)備已出貨6臺(tái)。這預(yù)示著預(yù)示了全球兩家頂級(jí)大廠未來(lái)采用EUV光刻技術(shù),在10nm的量產(chǎn)關(guān)鍵技術(shù)選項(xiàng)中幾乎同步,或者說(shuō)臺(tái)積電在10nm時(shí)順利趕上業(yè)界龍頭英特爾。
  • 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體  EUV  

EUV將在7納米節(jié)點(diǎn)發(fā)威?

  •   核心提示:荷蘭半導(dǎo)體設(shè)備大廠 ASML 現(xiàn)在勉為其難地承認(rèn)了其客戶私底下悄悄流傳了好一陣子的情況:大多數(shù)半導(dǎo)體廠商仍將采用傳統(tǒng)浸潤(rùn)式微影技術(shù)來(lái)生產(chǎn)10奈米制程晶片,而非延遲許久的超紫外光微影(EUV)技術(shù);不過(guò)這恐怕將使得10奈米節(jié)點(diǎn)因?yàn)闊o(wú)法壓低每電晶體成本,而成為不受歡迎的制程。   荷蘭半導(dǎo)體設(shè)備大廠 ASML 現(xiàn)在勉為其難地承認(rèn)了其客戶私底下悄悄流傳了好一陣子的情況:大多數(shù)半導(dǎo)體廠商仍將采用傳統(tǒng)浸潤(rùn)式微影技術(shù)來(lái)生產(chǎn)10奈米制程晶片,而非延遲許久的超紫外光微影(EUV)技術(shù);不過(guò)這恐怕將使得
  • 關(guān)鍵字: EUV  7納米  

KLA-Tencor推出Teron? SL650 光罩檢測(cè)系統(tǒng)

  •   KLA-Tencor 公司(納斯達(dá)克股票代碼:KLAC)宣布推出 Teron? SL650,該產(chǎn)品是專為集成電路晶圓廠提供的一種新型光罩質(zhì)量控制解決方案,支持 20nm 及更小設(shè)計(jì)節(jié)點(diǎn)。Teron SL650 采用 193nm光源及多種 STARlight? 光學(xué)技術(shù),提供必要的靈敏度和靈活性,以評(píng)估新光罩的質(zhì)量,監(jiān)控光罩退化,并檢測(cè)影響成品率的光罩缺陷,例如在有圖案區(qū)和無(wú)圖案區(qū)的晶體增長(zhǎng)或污染。此外,Teron SL650 擁有業(yè)界領(lǐng)先的產(chǎn)能,可支持更快的生產(chǎn)周期,以滿足檢驗(yàn)
  • 關(guān)鍵字: KLA-Tencor  SL650  EUV  

EUV遭受新挫折 半導(dǎo)體10nm工藝步伐蹉跎

  • 當(dāng)半導(dǎo)體工藝發(fā)展到10nm水平時(shí),傳統(tǒng)的光刻工藝將面臨前所未有的挑戰(zhàn),所有經(jīng)典物理的規(guī)律在量子水平下都有可能失效,必須在硅材料之外尋找一種新的、實(shí)用的思路來(lái)進(jìn)一步延續(xù)集成電路的發(fā)展。
  • 關(guān)鍵字: EUV  10nm  
共202條 12/14 |‹ « 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 »

euv介紹

在半導(dǎo)體行業(yè),EUV一般指EUV光刻,即極紫外光刻。 極紫外光刻(英語(yǔ):Extreme ultra-violet,也稱EUV或EUVL)是一種使用極紫外(EUV)波長(zhǎng)的光刻技術(shù)。 EUV光刻采用波長(zhǎng)為10-14納米的極紫外光作為光源,可使曝光波長(zhǎng)一下子降到13.5nm,它能夠把光刻技術(shù)擴(kuò)展到32nm以下的特征尺寸。 根據(jù)瑞利公式(分辨率=k1·λ/NA),這么短的波長(zhǎng)可以提供極高 [ 查看詳細(xì) ]

熱門主題

EUV    樹莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會(huì)員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案:1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473