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EUV光刻技術(shù)或助力芯片突破摩爾定律

  • 　　據(jù)美國科技博客Business Insider報道，在近50年的科技發(fā)展中，技術(shù)變革的速度一直遵循著摩爾定律。一次又一次的質(zhì)疑聲中，英特爾堅定不移地延續(xù)著摩爾定律的魔力。 　　摩爾定律是由英特爾聯(lián)合創(chuàng)始人GordonMoore提出，內(nèi)容為：當(dāng)價格不變時，集成電路上可容納的晶體管數(shù)目，約每隔18個月便會增加一倍，性能也將提升一倍。換言之，每一美元所能買到的電腦性能，將每隔18個月翻兩倍以上。這一定律揭示了信息技術(shù)進(jìn)步的速度。 　　在幾十年來，芯片技術(shù)得以快速變革和發(fā)展，變得更加強(qiáng)大，節(jié)省了更
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ASML提升新EUV機(jī)臺技術(shù)生產(chǎn)效率

  • 　　微影設(shè)備大廠ASML積極提升極紫外線(EUV)機(jī)臺技術(shù)的生產(chǎn)效率，在2012年購并光源供應(yīng)商Cymer后，大幅提升光源效率，從2009年至今光源效率分別為2009年2瓦、2010年5瓦、2011年10瓦，2012年提升至20瓦，目前已達(dá)55瓦，每小時晶圓產(chǎn)出片數(shù)為43片，預(yù)計2013年底前，可達(dá)到80瓦的目標(biāo)，2015年達(dá)250瓦、每小時產(chǎn)出125片。 　　半導(dǎo)體生產(chǎn)進(jìn)入10納米后，雖然可采用多重浸潤式曝光方式，但在一片晶圓上要進(jìn)行多次的微影制程曝光，將導(dǎo)致生產(chǎn)流程拉長，成本會大幅墊高，半導(dǎo)體大廠為
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ASML：量產(chǎn)型EUV機(jī)臺2015年就位

  • 　　極紫外光(EUV)微影技術(shù)將于2015年突破量產(chǎn)瓶頸。傳統(tǒng)浸潤式微影技術(shù)在半導(dǎo)體制程邁入1x奈米節(jié)點后將面臨物理極限，遂使EUV成為產(chǎn)業(yè)明日之星。設(shè)備供應(yīng)商艾司摩爾(ASML)已協(xié)同比利時微電子研究中心(IMEC)和重量級晶圓廠，合力改良EUV光源功率與晶圓產(chǎn)出速度，預(yù)計2015年可發(fā)布首款量產(chǎn)型EUV機(jī)臺。 　　ASML亞太區(qū)技術(shù)行銷協(xié)理鄭國偉提到，ASML雖也同步投入E-Beam基礎(chǔ)研究，但目前對相關(guān)設(shè)備的開發(fā)計劃仍抱持觀望態(tài)度。 　　ASML亞太區(qū)技術(shù)行銷協(xié)理鄭國偉表示，ASML于2012年
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全球半導(dǎo)體代工業(yè)正孕育惡戰(zhàn)

  • 　　5月7日消息，全球代工市場規(guī)模繼2011年增長7%，達(dá)328億美元之后，2012年再度增長16%，達(dá)到393億美元，預(yù)計2013年還將有14%的增長。 　　臺積電與英特爾以前是“河水不犯井水”，但是隨著英特爾開始接受Altera的14nm FPGA訂單，明顯在與臺積電搶單，兩大半導(dǎo)體巨頭開始出現(xiàn)較為明顯的碰撞。目前，臺積電已誓言將加速發(fā)展先進(jìn)制程技術(shù)，希望在10nm附近全面趕上英特爾。 　　而另一家代工廠格羅方德近日也發(fā)出聲音，要在兩年內(nèi)，在工藝制程方面趕上臺積電。 　　
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Intel：14nm進(jìn)展順利 一兩年后量產(chǎn)

  • 　　Intel CTO Justin Rattner近日對外披露說，Intel 14nm工藝的研發(fā)正在按計劃順利進(jìn)行，會在一到兩年內(nèi)投入量產(chǎn)。 　　2013年底，Intel將完成P1272 14nm CPU、P1273 14nm SoC兩項新工藝的開發(fā)，并為其投產(chǎn)擴(kuò)大對俄勒岡州Fab D1X、亞利桑那州Fab 42、愛爾蘭Fab 24等晶圓廠的投資，因此量產(chǎn)要等到2014年了。 　　而從2015年開始，Intel又會陸續(xù)進(jìn)入10nm、7nm、5nm等更新工藝節(jié)點。 　　Rattner指出，Intel
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臺積電2016年10nm制程才將采用EUV技術(shù)

  • 而關(guān)于臺積電是否足夠支應(yīng)大舉投資ASML的支出?瑞信(Credit Suisse)則認(rèn)為，臺積電截至今年第2季為止手頭有約50億美元的現(xiàn)金，估計今年全年，從盈余中可望取得93億美元左右的現(xiàn)金流，且臺積電今年預(yù)估會再募集10億美元左右的公司債，因此大體而言將足夠支付包括今年82.5億美元的資本支出，以及用于ASML的投資費(fèi)用。
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IMEC用EUV曝光裝置成功曝光晶圓

  • 　　IMEC宣布，成功利用ASML的EUV(extreme ultraviolet)曝光裝置NXE:3100進(jìn)行曝光。該EUV曝光裝置配備了日本牛尾電機(jī)的全資子公司德國XTREME technologies GmbH公司生產(chǎn)的LA-DPP(laser assisted discharge produced plasma)方式EUV光源。
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MIT研究顯示電子束光刻可達(dá)9納米精度

  • 　　美國麻省理工學(xué)院(MIT)的研究人員日前發(fā)表的一項研究成果顯示，電子束“光刻”精度可以小到9納米的范圍，刷新了以前一項精度為25納米的結(jié)果，這一進(jìn)展有可能為電子束“光刻”和EUV(超紫外)光刻技術(shù)展開競爭提供了動力。盡管EUV光刻技術(shù)目前在商業(yè)化方面領(lǐng)先一步，有可能在22納米以下的工藝生產(chǎn)中取代目前使用的浸末式光刻技術(shù)，但EUV光刻還面臨一些棘手的問題，如強(qiáng)光源和光掩膜保護(hù)膜等，而采用電子束“光刻”則不會存在這些問題。
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光源問題仍是EUV光刻技術(shù)中的難題

  • 　　GlobalFoundries公司的光刻技術(shù)專家Obert Wood在最近召開的高級半導(dǎo)體制造技術(shù)會議ASMC2011上表示，盡管業(yè)界在改善EUV光刻機(jī)用光源技術(shù)方面取得了一定成效，但光源問題仍是EUV光刻技術(shù)成熟過程中最“忐忑”的因素。 　　
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英特爾10nm設(shè)計規(guī)則初定 EUV技術(shù)恐錯失良機(jī)

  • 　　英特爾公司正在計劃將目前的193nm浸入式微影技術(shù)擴(kuò)展到14nm邏輯節(jié)點，此一計劃預(yù)計在2013下半年實現(xiàn)。同時，這家芯片業(yè)巨頭也希望能在2015年下半年于10nm邏輯節(jié)點使用超紫外光(EUV)微影技術(shù)進(jìn)行生產(chǎn)。 　　
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通向14/15nm節(jié)點的技術(shù)挑戰(zhàn)

  • 　　當(dāng)半導(dǎo)體業(yè)準(zhǔn)備進(jìn)入14/15nm節(jié)點時，將面臨眾多的技術(shù)挑戰(zhàn) 　　對于邏輯電路，STMicro的Thomas Skotnicki認(rèn)為傳統(tǒng)的CMOS制造工藝方法己不再適用。因為當(dāng)器件的尺寸持續(xù)縮小時，由于己達(dá)極限許多缺陷顯現(xiàn)。按IBM技術(shù)經(jīng)理Mukesh Khare看法，如柵氧化層的厚度Tox再縮小有困難。另外，除非采用其它方法，因為隨著互連銅線的尺寸縮小銅線的電阻增大及通孔的電阻增大也是另一個挑戰(zhàn)。
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次世代微影技術(shù)主流之爭　

  • 　　目前次世代微影技術(shù)發(fā)展仍尚未有主流出現(xiàn)，而身為深紫外光 (EUV)陣營主要推手之一的比利時微電子研究中心(IMEC)總裁Luc Van den hove指出，EUV技術(shù)最快于2014年可望進(jìn)入量產(chǎn)，而應(yīng)用存儲器制程又將早于邏輯制程，他也指出，無光罩多重電子束恐怕來不及進(jìn)入量產(chǎn)。 　　
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GlobalFoundries投入EUV技術(shù)　4年后量產(chǎn)

  • 　　繼晶圓代工大廠臺積電宣布跨入深紫外光(EUV)微影技術(shù)后，全球晶圓(Global Foundries)也在美國時間14日于SEMICON West展會中宣布，投入EUV微影技術(shù)，預(yù)計于2012年下半將機(jī)臺導(dǎo)入位于美國紐約的12寸晶圓廠(Fab 8)，將于2014~2015年間正式量產(chǎn)。 　　由于浸潤式微影(Immersion Lithography)機(jī)臺與雙重曝光(double-patterning)技術(shù)，讓微影技術(shù)得以發(fā)展至2x奈米，不過浸潤式微影機(jī)臺采用的是 193nm波長的光源，走到22奈米已
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英特爾認(rèn)為浸入式光刻能延伸到11納米

  • 　　英特爾的先進(jìn)光刻和制造部的Yan Borodovsky表明,英特爾希望EUV或者無掩模電子束光刻能作為193納米浸入式光刻在11納米的后補(bǔ)者,并聲稱11納米可能發(fā)生在2015年。 　　Borodovsky表示193nm浸入式光刻技術(shù)可能延伸到分別在2011和2013年的22nm及16nm 中。 　　   　　在Nikon的年會上許多其它的專家似乎對于EUV光刻也有相似的看法。如Nikon的光刻機(jī)設(shè)計部總經(jīng)理Masato Hamatani認(rèn)為,當(dāng)EUV達(dá)到所有的預(yù)定目標(biāo)時,進(jìn)入量產(chǎn)
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半導(dǎo)體能支撐未來的發(fā)展

  • 　　相比于2009年今年全球半導(dǎo)體業(yè)的態(tài)勢好了許多，但是仍有少部分人提出質(zhì)疑，2010年有那么好嗎?即具備條件了嗎? 　　在今年1月由SEMI主辦的工業(yè)策略年會上(ISS)，有些演講者表示一些擔(dān)憂，認(rèn)為雖然半導(dǎo)體業(yè)正在復(fù)蘇的路上，但是制造商們?nèi)匀鄙偌で?，不肯繼續(xù)大幅的投資，以及不太愿意重新擴(kuò)大招慕員工。 　　恐怕更大的擔(dān)心來自全球半導(dǎo)體業(yè)間的兼并與重組到來，以及產(chǎn)業(yè)能否支持得起22納米及以下技術(shù)的進(jìn)步。 　　IBS的CEO Handle Jones認(rèn)為，雖然工業(yè)正在復(fù)蘇，但是在半導(dǎo)體業(yè)運(yùn)營中仍面臨成
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euv介紹

在半導(dǎo)體行業(yè)，EUV一般指EUV光刻，即極紫外光刻。 極紫外光刻（英語：Extreme ultra-violet，也稱EUV或EUVL）是一種使用極紫外（EUV）波長的光刻技術(shù)。 EUV光刻采用波長為10-14納米的極紫外光作為光源，可使曝光波長一下子降到13.5nm,它能夠把光刻技術(shù)擴(kuò)展到32nm以下的特征尺寸。 根據(jù)瑞利公式（分辨率=k1·λ/NA），這么短的波長可以提供極高 [ 查看詳細(xì) ]

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