首頁　 資訊　 商機 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊 　 Datasheet　 100例 　 活動中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> euv

臺積電取得ASML超紫外光微影設備以研發(fā)新世代工藝

  • 　　TSMC與荷蘭艾司摩爾(ASML)公司今日共同宣布，TSMC將取得ASML公司TWINSCAN™ NXE:3100 - 超紫外光(Extreme Ultra-violet，EUV)微影設備，是全球六個取得這項設備的客戶伙伴之一。 　　這項設備將安裝于TSMC的超大晶圓廠(GigaFab™)-臺積十二廠，用以發(fā)展新世代的工藝技術。TSMC也將成為全球第一個可以在自身晶圓廠發(fā)展超紫外光微影技術的專業(yè)集成電路制造服務業(yè)者。 　　相較于現(xiàn)行浸潤式微影技術以193納米波長當作光源，超
  • 關鍵字： 臺積電  EUV  微影設備  ASML  

三項半導體新技術投入使用的時間將后延至2015-2016年

  • 　　半導體技術市場權威分析公司IC Insights近日發(fā)布的報告顯示，按照他們的估計，450mm技術以及極紫外光刻技術(EUV)投入實用的時間點將再度后延。 　　據(jù)IC Insights預計，基于450mm技術的芯片廠需要到2015-2016年左右才有望開始實用化建設--比預期的時間點后延了兩年左右。另外，預計16nm級別制程技術中也不會應用EUV光刻技術，這項技術會被后延到2015年，在13nm級別的工藝制程中投入實用。 　　另外一項較新的半導體制造技術，可用于制造3D堆疊式芯片的硅通孔技術(TS
  • 關鍵字： EUV  光刻  450mm  

EUV: 一場輸不起的賭局

  • 　　2010年， ASML將有5臺最先進的EUV設備整裝發(fā)往全球的5家客戶。業(yè)界傳言，最新的NXE3100系統(tǒng)將發(fā)送給3家頂級存儲器廠商和2家頂級邏輯廠商。EUV勝利的曙光正在向我們招手，雖然目前工程師們還在荷蘭Veldhoven專為EUV新建的大樓中忙碌，在設備出廠前，解決正在發(fā)生的問題，并預測著各種可能發(fā)生的問題及解決方案。 　　人們談論EUV的各種技術問題已歷時數(shù)年，因為其波長較目前的193nm縮短10倍以上，EUV一直是通往22nm的實力派參賽選手之一。與此同時，延伸immersion技術，用其
  • 關鍵字： ASML  EUV  22nm  

臺積電老將再出山 蔣尚義領命戰(zhàn)研發(fā)

  • 　　不知是否是因為Global Foundries的步步威脅，臺積電28日宣布，延聘3年前離職的蔣尚義博士擔任研究發(fā)展資深副總經(jīng)理，他將直接對張忠謀董事長負責。 　　這是繼張忠謀6月重新執(zhí)政臺積電以來，又一次重大的人事調(diào)整。蔣尚義博士早在1997年即加入臺積電擔任研究發(fā)展副總經(jīng)理，帶領研發(fā)團隊一路順利開發(fā)完成0.25微米、0.18微米、0.13微米、90納米、65納米等各個世代的先進工藝技術，成果斐然。但是三年多前因為要照顧年邁生病的父親而暫時離開，如今因父親仙逝而能再度回到臺積，相信蔣資深副總的回任，
  • 關鍵字： 臺積電  40納米  HKMG  EUV  

EUV蓄勢待發(fā) Carl Zeiss向ASML出貨EUV光學系統(tǒng)

  • 　　德國Carl Zeiss SMT AG已向半導體設備商ASML出貨首臺EUV光學系統(tǒng)。該公司已使EUV光學系統(tǒng)達到了生產(chǎn)要求。 　　光學系統(tǒng)是EUV設備的核心模塊，首臺EUV設備預計將在2010年出貨。幾周前，美國公司Cymer完成了EUV光源的開發(fā)，EUV光源是EUV光刻設備另一個關鍵模塊。該技術將使芯片制造商進一步縮小芯片的特征尺寸，提高生產(chǎn)效率。 　　據(jù)Carl Zeiss 介紹，目前出貨的光學系統(tǒng)已經(jīng)研發(fā)了約15年。
  • 關鍵字： ASML  EUV  光刻設備  

EUV掩膜版清洗—Intel的解決之道

  • 　　對于極紫外（EUV）光刻技術而言，掩膜版相關的一系列問題是其發(fā)展道路上必須跨越的鴻溝，而在這些之中又以如何解決掩膜版表面多層抗反射膜的污染問題最為關鍵。自然界中普遍存在的碳和氧元素對于EUV光線具有極強的吸收能力。在Texas州Austin召開的表面預處理和清洗會議上，針對EUV掩膜版清洗方面遇到的問題和挑戰(zhàn)，Intel Corp. (Santa Clara, Calif.)的Ted Liang主持召開了一次內(nèi)部討論，并在會上向與會的同仁報告了在這一領域Intel和Dai Nippon Printin
  • 關鍵字： 光刻  EUV  掩膜  CMOS  

22納米后EUV光刻還是電子束光刻？市場看法存分歧

  • 浸潤式微顯影雙重曝光能進一步延伸摩爾定律的壽命至32納米，不過，22納米以下究竟哪種技術得以出頭，爭議不斷。據(jù)了解，臺積電目前正積極研發(fā)22納米以下直寫式多重電子束(MEBDW)方案，并已有具體成果，但積極推動深紫外光(EUV)的ASML則表示，目前已有數(shù)家客戶下單，最快2009年便可出貨，但哪種技術最終將「一統(tǒng)江湖」，尚未有定論。     ASML表示，目前深紫外光EUV的光波波長可達13.5納米，約是248波長的KrF顯影設備的15分之1，盡管浸潤式顯
  • 關鍵字： 消費電子  EUV  電子束  消費電子  
共202條 14/14 |‹ « 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14

euv介紹

在半導體行業(yè)，EUV一般指EUV光刻，即極紫外光刻。 極紫外光刻（英語：Extreme ultra-violet，也稱EUV或EUVL）是一種使用極紫外（EUV）波長的光刻技術。 EUV光刻采用波長為10-14納米的極紫外光作為光源，可使曝光波長一下子降到13.5nm,它能夠把光刻技術擴展到32nm以下的特征尺寸。 根據(jù)瑞利公式（分辨率=k1·λ/NA），這么短的波長可以提供極高 [ 查看詳細 ]

熱門主題

EUV    樹莓派    linux   
關于我們 - 廣告服務 - 企業(yè)會員服務 - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473