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2008:巨型晶圓廠初露鋒芒
- 以DRAM和Flash為代表的存儲器平均銷售價格(ASP)自去年年初以來經(jīng)歷了令人震驚的下滑。隨著現(xiàn)貨價格與合約價格不斷創(chuàng)下新低,價格壓力充斥著整個上一季度。由于價格走低,對于NAND閃存等存儲器的需求正在升溫。呈井噴之勢的預測數(shù)字顯示出我們當前正處在黎明前的黑暗階段,一個巨大而不斷增長的市場即將出現(xiàn)。某些預測顯示NAND閃存需求量將從2006年7,370億兆字節(jié)增長至2011年的33.5萬億兆字節(jié)。 大舉擴產(chǎn)NAND閃存 低價同時也推動了需求的增長,使得部分廠商出現(xiàn)供給不足。以東芝(To
- 關鍵字: DRAM Flash 三星 MCU和嵌入式微處理器
采用AVR Flash微控制器的電動車窗防夾系統(tǒng)
- 汽車上可自動關閉的電動車窗或車門設備潛藏著卡死,擠壓以及可能傷人的危險。它們必須能夠反向移動以防止馬達所施加的力超出正常限制。這種特性意味著必須持續(xù)監(jiān)視速度、電流和玻璃的位置。 由于成本和簡化的原因,本文所描述的系統(tǒng)使用普通的帶有霍爾效應傳感器的刷式馬達?;谒俣群团ぞ貙?shù)的檢測算法已通過健壯性和容錯性的驗證。該算法可用于所有帶有A/D 轉換器和通過變化引發(fā)中斷的I/O 口的AtmelAVR Flash 微控制器。本文描述的是基本原理,Atmel網(wǎng)站上的應用筆記有關于實現(xiàn)的詳細描述。 現(xiàn)代
- 關鍵字: AVR Flash 微控制器 汽車電子控制裝置
NAND Flash進軍NB/PC應用領域 借以擴大市占率
- 拓墣產(chǎn)業(yè)研究所(Topology Research Institute)針對NAND Flash應用市場發(fā)表研究報告指出,2008年起,除了由原手持式消費電子產(chǎn)品將繼續(xù)大量采用NAND Flash作為儲存裝置外,NAND Flash將通過NB與PC的采用,以混合式硬盤或固態(tài)硬盤(SSD)的產(chǎn)品型態(tài),逐步擴大市場占有率,市場需求將從2007年的6.7%增長至15.3%。 拓墣表示,NAND Flash在過去幾年快速擴充產(chǎn)品應用領域,從2004年產(chǎn)品應用比例最高的數(shù)碼相機,到2006年MP3 Pla
- 關鍵字: NAND Flash SSD MCU和嵌入式微處理器
基于FPGA的串行Flash擴展實現(xiàn)
- 1 引言 FPGA憑借其方便靈活、可重復編程等優(yōu)點而日益被廣泛應用;閃速存儲器(Flash Memory)以其集成度高、成本低、使用方便等優(yōu)點,在眾多領域中也獲得了廣泛應用。在現(xiàn)代數(shù)字電路設計中。經(jīng)常需要保存大量數(shù)據(jù),而Flash存儲速度快、體積小、功耗低且價格低廉,可在線電擦寫,信息在掉電后不會丟失,因此成為設計人員的首選。 2 M25P80的介紹 Flash是一種具有電可擦除的可編程ROM,可以分為兩大類:并行Flash和串行Flash。并行Flash存儲量大,速度快;而串行Fl
- 關鍵字: 嵌入式系統(tǒng) 單片機 FPGA Flash 串 MCU和嵌入式微處理器
基于FPGA的串行Flash擴展實現(xiàn)
- 1 引言 FPGA憑借其方便靈活、可重復編程等優(yōu)點而日益被廣泛應用;閃速存儲器(Flash Memory)以其集成度高、成本低、使用方便等優(yōu)點,在眾多領域中也獲得了廣泛應用。在現(xiàn)代數(shù)字電路設計中。經(jīng)常需要保存大量數(shù)據(jù),而Flash存儲速度快、體積小、功耗低且價格低廉,可在線電擦寫,信息在掉電后不會丟失,因此成為設計人員的首選。 2 M25P80的介紹 Flash是一種具有電可擦除的可編程ROM,可以分為兩大類:并行Flash和串行Flash。并行Flash存儲量大,速度快;而串行Fl
- 關鍵字: 嵌入式系統(tǒng) 單片機 FPGA Flash 存儲器 MCU和嵌入式微處理器
大容量NAND Flash K9T1G08U0M在網(wǎng)絡存儲中的應用
- 1 引言 隨著嵌入式系統(tǒng)廣泛應用,嵌入式系統(tǒng)中的數(shù)據(jù)存儲和數(shù)據(jù)管理則成為設計人員考慮的重點。在許多現(xiàn)場不可達數(shù)據(jù)采集應用中采用分布式數(shù)據(jù)存儲,必然帶來數(shù)據(jù)管理的不便,因此,集中管理數(shù)據(jù)成為一種思路。利用成熟的網(wǎng)絡傳輸技術集中分布式嵌入式系統(tǒng)數(shù)據(jù),采用C/S模式管理數(shù)據(jù)。對于大容量數(shù)據(jù)存儲,選擇介質存儲是需要重點考慮的問題。目前大多采用IDE硬盤或SCSI硬盤存儲,但都存在抗震和抗電磁干擾能力差、使用溫度范圍窄,無法長期在惡劣的環(huán)境中長期工作。電子式Flash存儲器具有速度快、容量大、成本低、體積
- 關鍵字: 通訊 無線 網(wǎng)絡 NAND Flash K9T1G08U0M MCU和嵌入式微處理器
年終旺季需求支撐,NAND FLASH合約價短期平穩(wěn)
- 11月上旬NAND Flash合約價格大致跌幅約為0-5%,比前兩個月跌幅明顯縮小,主要是因為下游客戶在10月已陸續(xù)進行降低庫存的動作,加上市場預期11月中旬要開始準備年底旺季的備貨需求,根據(jù)集邦科技(DRAMeXchange)觀察,NAND Flash價格走勢在11月初已經(jīng)出現(xiàn)止跌回穩(wěn)的現(xiàn)象。 隨著NAND Flash供貨商5X納米制程產(chǎn)品供應量提高后,下游客戶采購顆粒開始轉向以8Gb和16Gb MLC為主流,導致TSOP 4G MLC顆粒跌幅約為11%,相較于其它規(guī)格來得顯著。有鑒于9月以來
- 關鍵字: 嵌入式系統(tǒng) 單片機 NAND Flash microSD 嵌入式
奧地利微電子為代工用戶擴展CMOS、高壓、高壓FLASH和RF多項目晶圓服務
- 奧地利微電子的全方位服務晶圓代工廠業(yè)務部推出一份更加全面的 2008 年度時間表,擴展了其具有成本效益的、快速的專用集成電路(ASIC)原型服務,即所謂以多項目晶圓 (MPW) 或往復運行(shuttle run)。該服務將來自不同用戶的若干設計結合在一個晶圓上,有助于眾多不同的參與者分攤晶圓和掩膜成本。 RF多項目晶圓服務 奧地利微電子的 MPW 服務包括基于 TSMC(臺積電)0.35µm CMOS 工藝的全程0.35µm尺寸工藝。兼容 SiGe BiCMOS
- 關鍵字: 消費電子 奧地利微電子 CMOS FLASH MCU和嵌入式微處理器
07年第三季NAND Flash廠營收逼近39億美元
- 根據(jù)集邦科技(DRAMeXchange)最新出爐的第三季NANDFlash營收市占率報告指出,NANDFlash品牌廠商在2007年第三季整體營收表現(xiàn)亮麗,逼近三十九億美元,比第二季增長了36.8%;整體NANDFlash位出貨量相較于第二季增長約30%;而就營收排行而言,三星(Samsung)如預期再度蟬連冠軍,東芝(Toshiba)居次,而海力士(Hynix)、美光(Micron)和英特爾(Intel)營收均有顯著的增長。 由于第三季為傳統(tǒng)NANDFlash下游客戶的備貨旺
- 關鍵字: 嵌入式系統(tǒng) 單片機 NAND Flash 三星 MCU和嵌入式微處理器
單片機的FLASH引導裝載系統(tǒng)設計
- 前言DSP系統(tǒng)的引導裝載是指在系統(tǒng)加電時,由DSP將一段存儲在外部非易失性存儲器中的代碼移植到內(nèi)部高速存儲器單元并執(zhí)行的過程。這種方式即可利用外部存儲單元擴展DSP本身有限的ROM資源,又能充分發(fā)揮DSP內(nèi)部資源的高速效能。因此,引導裝載系統(tǒng)的性能直接關系到整個DSP系統(tǒng)的可靠性和處理速度,是DSP系統(tǒng)設計中必不可少的重要環(huán)節(jié)。在裝載系統(tǒng)中,外部非易失性存儲器和DSP的性能尤為重要。FLASH是一種高密度、非易失性的電可擦寫存儲器,而且單位存儲比特的價格比傳統(tǒng)EPROM要低。為此,本文介紹了TMS320C
- 關鍵字: 嵌入式系統(tǒng) 單片機 FLASH 裝載系統(tǒng) DSP 單板計算機
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