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FRAM在汽車行駛記錄儀中的應用

中國的汽車行駛記錄儀中的數(shù)據(jù)應該包括二個部分，一部分為汽車實時數(shù)據(jù)(存放汽車發(fā)生事故前后的數(shù)據(jù))，另一部分...
關鍵字： FRAM 汽車行駛記錄儀電池管理

富士通半導體推出新型1 Mbit 和 2 Mbit FRAM產(chǎn)品

富士通半導體(上海)有限公司日前宣布，推出兩款新型FRAM產(chǎn)品-MB85RS1MT 和 MB85RS2MT，兩款產(chǎn)品分別帶有1 Mbit 和 2 Mbit的存儲器，是富士通半導體提供的最大容量的串口FRAM。這兩款產(chǎn)品將于2013年3月起開始提供新品樣片。
關鍵字：富士通 FRAM

富士通攜六大系列新品亮相2013慕尼黑上海電子展

富士通半導體(上海)有限公司日前宣布出席在中國上海舉行的“第十二屆慕尼黑上海電子展”。在本次電子展中，富士通半導體將展出其最新芯片及系統(tǒng)解決方案。本次展覽是中國電子領域的盛會之一，展出地點為上海新國際博覽中心，展出時間為2013年3月19日至21日。
關鍵字：富士通 FRAM 汽車電子

富士通推出帶新的小封裝的超低功耗16Kb FRAM

富士通半導體(上海)有限公司日前宣布其低功耗鐵電隨機存取存儲器FRAM又添小封裝成員-SON-8封裝的MB85RC16。富士通的MB85RC16提供標準封裝SOP-8,SON-8是為該產(chǎn)品添加的新型封裝。
關鍵字：富士通 FRAM 存儲器

基于FRAM的MCU為低功耗應用提高安全性

21ic訊安全性在包括智能手機配件、智能儀表、個人健康監(jiān)控、遙控以及存取系統(tǒng)等各種應用中正在變得日益重要。要保護收益及客戶隱私，OEM 廠商必須采用安全技術加強系統(tǒng)的防黑客攻擊能力。對于大量這些應用而言，將要
關鍵字：提高安全性應用功耗 FRAM MCU 基于

德州基于領先“金剛狼”技術的MSP430FR59xx微控制器

日前，德州儀器 (TI) 宣布推出基于其突破性“金剛狼”技術平臺的業(yè)界首款最低功耗微控制器樣片。TI 基于 FRAM 的新型 MSP430FR59xx 微控制器使開發(fā)人員能為無線傳感、能量采集、智能電網(wǎng)、工業(yè)、消費、樓宇自動化和安全性等各種應用增加靈活性、提升性能并延長電池壽命。
關鍵字： TI FRAM 嵌入式 MSP430FR59xx

在嵌入式設計中將FRAM用作閃存的替代方案

在嵌入式設計中將FRAM用作閃存的替代方案,　如今，有多種存儲技術均具備改變嵌入式處理領域格局的潛力。然而，迄今為止還沒有哪一種技術脫穎而出成為取代微控制器（MCU）中閃存技術的強勁競爭者，直到FRAM的出現(xiàn)這種情況才得以改變。鐵電隨機存取存儲器（FRA
關鍵字：閃存替代方案用作 FRAM 設計中將嵌入式

富士通推出基于2.7V-5.5V的寬電壓FRAM產(chǎn)品

富士通半導體(上海)有限公司日前宣布，推出其V系列的又一款新產(chǎn)品MB85RC256V。至今為止，富士通V系列FRAM產(chǎn)品已經(jīng)涵蓋了4Kbit，16Kbit，64Kbit，256Kbit等容量。MB85RC256V是富士通首款可在2.7V-5.5V電壓范圍內工作的FRAM產(chǎn)品，為當今對元器件電壓范圍要求高的領域提供了設計的方便。
關鍵字：富士通 FRAM MB85RC256V

富士通推出帶9 KB FRAM的新型高頻RFID標簽芯片

富士通半導體(上海)有限公司日前宣布其FerVID 家族推出用于RFID標簽的一款新的芯片-MB89R112。該芯片用于高頻RFID標簽，帶9 KB的FRAM內存。FerVID家族產(chǎn)品使用鐵電存儲器(FRAM)，具有寫入速度快，高頻可重寫，耐輻射，低功耗操作等特點。
關鍵字：富士通存儲器 FRAM

內置串行接口的鐵電隨機存儲器(FRAM) RFID

鐵電隨機存儲器(FRAM) RFID由于存儲容量大、擦寫速度快一直被用作數(shù)據(jù)載體標簽。內置的串行接口可將傳感器與RFID連接在一起，從而豐富了RFID應用。概述到目前為止，富士通半導體已經(jīng)開發(fā)出了高頻段(13.6MHz)和超高頻
關鍵字： FRAM RFID 內置串行接口

FRAM在汽車雙向報警系統(tǒng)的應用

隨著汽車在中國的普及化,汽車防盜已經(jīng)成汽車安全的一個重要問題。采用GPS防盜,運營成本高,所以只針對一些高檔的汽車。那么一些經(jīng)濟型的汽車如何實現(xiàn)有效防盜，最簡單的方式是在以前簡單的單向報警的系統(tǒng)增加GSM模塊或
關鍵字： FRAM 汽車報警系統(tǒng)

德州儀器推出業(yè)界首款超低功耗 FRAM 微控制器

　　開發(fā)人員藉此可讓世界變得更加智能　　MSP430FR57xx FRAM 微控制器系列可為開發(fā)人員帶來高達100倍的寫入速度增幅及250倍的功耗降幅，因而可從全新的地點獲得更多的有用數(shù)據(jù) 　　北京2011年5月4日電 /美通社亞洲/ -- 日前，德州儀器(TI)宣布推出業(yè)界首款超低功耗鐵電隨機存取存儲器(FRAM)16位微控制器，從而宣告可靠數(shù)據(jù)錄入和射頻(RF)通信能力進入了一個新時代。新型 MSP430FR57xx FRAM 系列的面市進一步彰顯了 TI 在嵌入式處理技術領域的領先地位，與基于
關鍵字： TI FRAM 微控制器

富士通推出基于0.18μm技術的全新FRAM產(chǎn)品

富士通半導體(上海)有限公司近日宣布推出其基于0.18μm技術的全新系列FRAM產(chǎn)品家族。該系列包括MB85RC64V和MB85RC16V 兩個型號，均支持I2C接口且可在5V電壓下工作。
關鍵字：富士通 FRAM MB85RC64V

富士通推出基于0.18 μm全新5V I2C接口FRAM

富士通半導體(上海)有限公司近日宣布推出其基于0.18μm技術的全新系列FRAM產(chǎn)品家族。該系列包括MB85RC64V和MB85RC16V 兩個型號，均支持I2C接口且可在5V電壓下工作，即日起即可供貨。
關鍵字：富士通 FRAM

串行接口的FRAM RFID LSI概述

鐵電隨機存儲器（FRAM）RFID由于存儲容量大、擦寫速度快一直被用作數(shù)據(jù)載體標簽。內置的串行接口可將傳感...
關鍵字：串行接口 FRAM RFID LSI

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fram介紹

鐵電存儲器（FRAM）產(chǎn)品將ROM的非易失性數(shù)據(jù)存儲特性和RAM的無限次讀寫、高速讀寫以及低功耗等優(yōu)勢結合在一起。FRAM產(chǎn)品包括各種接口和多種密度，像工業(yè)標準的串行和并行接口，工業(yè)標準的封裝類型，以及4Kbit、16Kbit、64Kbit、256Kbit和1Mbit等密度。　　非易失性記憶體掉電后數(shù)據(jù)不丟失?？墒撬械姆且资杂洃涹w均源自ROM技術。你能想象到,只讀記憶體的數(shù)據(jù)是不可能修改的 [ 查看詳細 ]