gan ic 文章進(jìn)入gan ic技術(shù)社區(qū)

手機(jī)及可穿戴產(chǎn)品需要快速充電及小體積適配器

　　充電和電池管理對(duì)智能手機(jī)來說，仍是關(guān)鍵的功能，未來多年將持續(xù)有創(chuàng)新。有線和無線充電的改進(jìn)可能大大擴(kuò)展便攜式產(chǎn)品的使用，我們不斷提升此功能的極限。充電系統(tǒng)要求供電產(chǎn)品(如壁式適配器)或無線充電發(fā)射器和接收器(如智能手機(jī)和平板電腦)的設(shè)計(jì)都具高能效。安森美半導(dǎo)體專注于這兩大應(yīng)用，提供完整、優(yōu)化和高能效的充電方案，以滿足所有這些產(chǎn)品的功率要求?！　∈袌?chǎng)對(duì)于更快充電時(shí)間、更大電池容量和更小適配器的要求，把智能手機(jī)和平板電腦的供電能力推到傳統(tǒng)半導(dǎo)體器件不可行的地步。新一代系統(tǒng)將需要氮化鎵(GaN)方案取代傳統(tǒng)M
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國(guó)家戰(zhàn)略助IC產(chǎn)業(yè)“彎道超車” 5G能否成產(chǎn)業(yè)機(jī)遇期？

　　隨著紫光集團(tuán)有限公司一次出資協(xié)議公開，到目前為止，中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)(也被稱為IC產(chǎn)業(yè))最大一筆投資落地。　　日前，紫光集團(tuán)對(duì)外公布，計(jì)劃通過其下屬控股子公司紫光控股，與長(zhǎng)江存儲(chǔ)現(xiàn)有股東共同出資設(shè)立長(zhǎng)江控股以實(shí)現(xiàn)對(duì)長(zhǎng)江存儲(chǔ)的控制，其中，紫光控股出資197億元，占長(zhǎng)江控股注冊(cè)資本的51.04%，擔(dān)任長(zhǎng)江存儲(chǔ)的控股股東。　　“這是我國(guó)IC產(chǎn)業(yè)目前落地的最大規(guī)模項(xiàng)目。”一位立足湖北的券商研究員對(duì)21世紀(jì)經(jīng)濟(jì)報(bào)道記者表示，近幾年來，中國(guó)加大對(duì)IC產(chǎn)業(yè)的政策扶持，特別是在資金方面的投
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【功率器件心得分享】+GaN與SiC新型功率器件

　　1 GaN 功率管的發(fā)展　　微波功率器件近年來已經(jīng)從硅雙極型晶體管、場(chǎng)效應(yīng)管以及在移動(dòng)通信領(lǐng)域被廣泛應(yīng)用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮鎵 ( GaN ) 為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、GaN 材料，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場(chǎng)等突出優(yōu)點(diǎn)，與剛石等半導(dǎo)體材料一起，被譽(yù)為是繼第一代 Ge、Si 半導(dǎo)體材料、第二代 GaAs、InP
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IC卡型H8/310系列單片機(jī)H8/310SeriesMicrocomputer

IC卡型H8/310系列單片機(jī)H8/310SeriesMicrocomputer
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【功率器件心得分享】+GaN與SiC新型功率器件

　　1 GaN 功率管的發(fā)展　　微波功率器件近年來已經(jīng)從硅雙極型晶體管、場(chǎng)效應(yīng)管以及在移動(dòng)通信領(lǐng)域被廣泛應(yīng)用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮鎵 ( GaN ) 為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、GaN 材料，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場(chǎng)等突出優(yōu)點(diǎn)，與剛石等半導(dǎo)體材料一起，被譽(yù)為是繼第一代 Ge、Si 半導(dǎo)體材料、第二代 GaAs、InP
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【功率器件心得分享】GaN與SiC新型功率器件

　　1 GaN 功率管的發(fā)展　　微波功率器件近年來已經(jīng)從硅雙極型晶體管、場(chǎng)效應(yīng)管以及在移動(dòng)通信領(lǐng)域被廣泛應(yīng)用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮鎵 ( GaN ) 為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、GaN 材料，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場(chǎng)等突出優(yōu)點(diǎn)，與剛石等半導(dǎo)體材料一起，被譽(yù)為是繼第一代 Ge、Si 半導(dǎo)體材料、第二代 GaAs、InP
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【功率器件心得分享】MACOM GaN在無線基站中的應(yīng)用

　　MACOM GaN在無線基站中的應(yīng)用　　用于無線基礎(chǔ)設(shè)施的半導(dǎo)體技術(shù)正在經(jīng)歷一場(chǎng)重大的變革，特別是功率放大器(PA)市場(chǎng)。橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管在功率放大器領(lǐng)域幾十年來的主導(dǎo)地位正在被氮化鎵(GaN)撼動(dòng)，這將對(duì)無線基站的系統(tǒng)性能和運(yùn)營(yíng)成本產(chǎn)生深遠(yuǎn)的影響。氮化鎵顯而易見的技術(shù)優(yōu)勢(shì)(包括能源效率提高、帶寬更寬、功率密度更大、體積更小)使之成為L(zhǎng)DMOS的天然繼承者服務(wù)于下一代基站，尤其是1.8GHz以上的蜂窩頻段。盡管以前氮化鎵與LDMOS相比價(jià)格過高，但是MACOM公司
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無畏氮化鎵角逐中功率市場(chǎng)　碳化硅功率元件/模組商機(jī)涌現(xiàn)

　　有鑒于全球環(huán)保意識(shí)抬頭，碳化矽(SiC)與氮化鎵(GaN)兩種功率轉(zhuǎn)換材料備受矚目。其中，碳化矽掌握早期開發(fā)優(yōu)勢(shì)，其功率模組在再生能源與車用電子領(lǐng)域，商機(jī)已紛紛涌現(xiàn)。而主要鎖定低功率市場(chǎng)的氮化鎵，則將緩步進(jìn)軍中功率市場(chǎng)。　　可以彌補(bǔ)天然能源不足缺口的再生能源設(shè)備，為聚焦于中功率、高功率應(yīng)用的碳化矽創(chuàng)造大量需求。另一方面，近期豐田汽車(Toyota)在電動(dòng)車中導(dǎo)入碳化矽(SiC)元件的測(cè)試結(jié)果也已出爐，其在改善能源效率、縮小電源控制系統(tǒng)(PCU)尺寸上的效果，明顯勝過矽元件。　　臺(tái)達(dá)電技術(shù)長(zhǎng)暨總
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KLA-Tencor 快速有效解決客戶良率問題與中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)一同成長(zhǎng)

　　看好中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)未來持續(xù)的蓬勃發(fā)展，工藝控制與成品率管理解決方案提供商KLA-Tencor (科天)透過半導(dǎo)體檢測(cè)與量測(cè)技術(shù)，以最快的速度及最有效的方式，幫助客戶解決在生產(chǎn)時(shí)面對(duì)的良率問題。KLA-Tencor立志于幫助中國(guó)客戶一起提升良率，降低生產(chǎn)成本，提高生產(chǎn)效率，并與中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)一同成長(zhǎng)?！　LA-Tencor中國(guó)區(qū)總裁張智安表示，KLA-Tencor成立至今40年，現(xiàn)于全球17國(guó)擁有6000多位員工。2016財(cái)年，KLA-Tencor營(yíng)收表現(xiàn)來到30億美元。從硅片檢
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國(guó)內(nèi)IC業(yè)熱鬧非凡需以更大雄心瞄準(zhǔn)更廣市場(chǎng)

國(guó)內(nèi)IC業(yè)近年來熱鬧非凡，隔三差五某個(gè)收購、某個(gè)新項(xiàng)目開工的消息此起彼伏，大基金和社會(huì)資本的注入、老牌企業(yè)的橫縱聯(lián)合、新興企業(yè)的雨后春筍，讓人難免生出“春風(fēng)得意馬蹄急”的感覺。
關(guān)鍵字：集成電路 IC

TMR：2019年電源管理IC市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)460億美元

　　市場(chǎng)研調(diào)機(jī)構(gòu)Transparency Market Research(TMR)最新研究報(bào)告指出，科技進(jìn)步正在塑造全球電源管理IC市場(chǎng)動(dòng)態(tài)，可配置性和可程式性方面的創(chuàng)新則在推動(dòng)全球電源管理IC市場(chǎng)成長(zhǎng)。汽車產(chǎn)業(yè)和消費(fèi)性電子產(chǎn)業(yè)對(duì)先進(jìn)系統(tǒng)的需求尤其明顯。TMR預(yù)估，2013~2019年，全球電源管理IC市場(chǎng)年復(fù)合成長(zhǎng)率(CAGR)將達(dá)6.1%。　　根據(jù)openPR報(bào)導(dǎo)，TMR最新研究報(bào)告詳細(xì)分析全球電源管理IC市場(chǎng)的創(chuàng)新趨勢(shì)和其他主要趨勢(shì)，并深入分析這些趨勢(shì)對(duì)各區(qū)域市場(chǎng)成長(zhǎng)的影響，并以應(yīng)用、產(chǎn)品類型和
關(guān)鍵字：電源管理 IC

厚翼科技(HOY Technologies)為業(yè)界唯一專注于內(nèi)存測(cè)試解決方案的供貨商

　　隨著設(shè)計(jì)采用奈米微縮制程的演變，與 IC 設(shè)計(jì)復(fù)雜度與設(shè)計(jì)規(guī)模日趨復(fù)雜，嵌入式內(nèi)存在各項(xiàng)產(chǎn)品的需求比重愈來愈高，內(nèi)存缺陷成為影響芯片良率的變因之一，因此內(nèi)存測(cè)試解決方案的重要性也與日俱增，尤其是車用電子及物聯(lián)網(wǎng)(IoT)的相關(guān)產(chǎn)品，更需要內(nèi)建自我測(cè)試技術(shù)(MBIST, Memory Built-In Self-Test);而車用電子產(chǎn)品對(duì)于其可靠性與安全性已被 ISO26262 規(guī)范，其內(nèi)存自我檢測(cè)(MBIST, Memo
關(guān)鍵字：物聯(lián)網(wǎng) IC 設(shè)計(jì)

中國(guó)IC產(chǎn)業(yè)進(jìn)入成長(zhǎng)階段培育龍頭企業(yè)正逢其時(shí)

中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)要實(shí)現(xiàn)跨越式發(fā)展，就要迅速成就一批行業(yè)的龍頭企業(yè)，這不是一件容易的事，需要有一個(gè)漫長(zhǎng)的培育過程，中國(guó)IC產(chǎn)業(yè)已走出萌芽狀態(tài)，進(jìn)入成長(zhǎng)階段。在這個(gè)跳躍性的成長(zhǎng)中，對(duì)研發(fā)投入的標(biāo)準(zhǔn)會(huì)越來越高，對(duì)技術(shù)創(chuàng)新的要求也會(huì)越來越高。
關(guān)鍵字： IC 集成電路

IC與驅(qū)動(dòng)電路四對(duì)分立器件互補(bǔ)管及RM8Z磁芯電路圖

IC與驅(qū)動(dòng)電路四對(duì)分立器件互補(bǔ)管及RM8Z磁芯電路圖圖IC與驅(qū)動(dòng)電路四對(duì)分立器件互補(bǔ)管及RM8Z磁芯電路圖驅(qū)動(dòng)電路及RM8Z變壓器繞組實(shí)際參數(shù)見圖。
關(guān)鍵字： IC 驅(qū)動(dòng)電路分立器件互補(bǔ)管磁芯電路

松下：力推阻容元件與開發(fā)工具，開關(guān)器件X-GaN效率更高

　　松下被動(dòng)元件展區(qū)，松下位于德國(guó)的器件解決方案部門被動(dòng)元件團(tuán)隊(duì)產(chǎn)品市場(chǎng)經(jīng)理Mustafa Khan介紹了electronica期間剛剛問世的導(dǎo)電性聚合物混合鋁電解電容器--ZK系列。相比之前的ZA和ZC系列性能更優(yōu)，例如比ZC系列更高的容量和高紋波電流?！　K和ZC產(chǎn)品在125C下可工作4000小時(shí)。三種類型產(chǎn)品都有更低的ESR(等效串聯(lián)電阻)和LC，可用于LED、汽車、電力電子、電信等場(chǎng)合。　　松下集團(tuán)汽車&工業(yè)系統(tǒng)公司介紹了其網(wǎng)上工具--LC Simulator，可加速
關(guān)鍵字：松下 X-GaN