gan ic 文章進(jìn)入gan ic技術(shù)社區(qū)

IC廠瑞昱Q1凈利季增34％、EPS為1.47元

　　網(wǎng)通IC廠瑞昱今召開法說會(huì)，公布首季財(cái)報(bào)，稅后凈利季增34%、年減9.6%，至7.41億元，每股稅后盈余為1.47元。　　受到五一拉貨力道不如預(yù)期強(qiáng)勁，瑞昱首季營(yíng)收為74.5億元，較前一季減少1.5%，但仍較去年同期成長(zhǎng)1.6%，不過毛利率因?yàn)楫a(chǎn)品組合優(yōu)化，較前一季成長(zhǎng)1.82個(gè)百分點(diǎn)至44.15%，稅后凈利為7.41億元，季增34%、年減9.6%，每股稅后盈余為1.47元。　　瑞昱董事會(huì)決議將發(fā)放6元現(xiàn)金股利，創(chuàng)歷年股利發(fā)放新高。
關(guān)鍵字：瑞昱 IC

晶圓代工產(chǎn)能漸松　芯片殺價(jià)戰(zhàn)火一觸即發(fā)

　　近期臺(tái)系IC設(shè)計(jì)業(yè)者紛透露上游晶圓代工廠第2季產(chǎn)能利用率恐略滑，晶圓產(chǎn)能吃緊警報(bào)終于暫告解除，由于二線及小型IC設(shè)計(jì)業(yè)者紛可拿到晶圓產(chǎn)能，加上國(guó)內(nèi)、外一線IC設(shè)計(jì)業(yè)者亦開始自臺(tái)積電出走，尋求更便宜晶圓產(chǎn)能，使得終端芯片市場(chǎng)殺價(jià)戰(zhàn)火一觸即發(fā)，晶圓代工產(chǎn)能轉(zhuǎn)松情況，恐沖擊臺(tái)系IC設(shè)計(jì)業(yè)者毛利率表現(xiàn)。　　臺(tái)系一線IC設(shè)計(jì)業(yè)者表示，審視 2015年上半整體市況，全球中、低階智能型手機(jī)需求明顯不如預(yù)期，電視市場(chǎng)亦出現(xiàn)傳統(tǒng)淡季壓力，至于一路被唱衰的平板電腦及PC市場(chǎng)依舊欲振乏力，終端市場(chǎng)需求疲軟，加深品
關(guān)鍵字：晶圓 IC

IC Insights:2014全球IC份額美國(guó)奪冠大陸第六

　　市調(diào)機(jī)構(gòu)IC Insights公布2014年全球IC市場(chǎng)占有率排名，美國(guó)以55%的占比拿下第一名寶座，且無論整合元件制造商(IDM)或無晶圓廠 (Fabless)IC設(shè)計(jì)公司的銷售額市占皆大幅領(lǐng)先其他國(guó)家。臺(tái)灣則以7%的占比排名第四，落在南韓與日本之后;不過單就無晶圓IC設(shè)計(jì)業(yè)的整體表現(xiàn) 來看，依舊穩(wěn)居全球第二，占有率達(dá)18%。　　
關(guān)鍵字： IC 晶圓

去年全球IC市場(chǎng)份額排名大陸僅3%

　　美國(guó)半導(dǎo)體研調(diào)機(jī)構(gòu)IC Insight最新調(diào)查指出，去年全球IC市場(chǎng)市占率排名，美國(guó)以55%穩(wěn)居榜首，且不論是垂直整合廠(IDM)或IC設(shè)計(jì)廠商、無晶圓廠(fabless)皆領(lǐng)先全球，臺(tái)灣居第四，次于韓國(guó)與日本，但此調(diào)查未納入晶圓代工銷售。　　無晶圓廠包括聯(lián)發(fā)科、智原等IC設(shè)計(jì)與設(shè)計(jì)服務(wù)廠商，由于全球智慧手機(jī)成長(zhǎng)快速，這幾年IC設(shè)計(jì)廠主戰(zhàn)場(chǎng)已從電腦轉(zhuǎn)到行動(dòng)裝置，也讓手機(jī)銷售量大的中國(guó)大陸，可藉市場(chǎng)的快速成長(zhǎng)扶植IC設(shè)計(jì)廠商。　　IC Insight表示，中國(guó)大陸半導(dǎo)體全球市占率雖然只有3%，但
關(guān)鍵字： IC 晶圓

將部分量子運(yùn)算電路集成到IC，尺寸大幅度減小

　　日本東京大學(xué)光學(xué)系統(tǒng)研究科物理工學(xué)專業(yè)教授古澤明領(lǐng)導(dǎo)的研究小組宣布，成功將在采用光的“量子隱形傳態(tài)(Quantum teleportation)”中起重要作用的光學(xué)回路集成到了硅芯片上?？梢哉f這向?qū)崿F(xiàn)量子門方式的量子計(jì)算機(jī)邁出了一大步。　　量子隱形傳態(tài)是利用量子糾纏狀態(tài)遙傳多種量子態(tài)中的一種狀態(tài)的方法。由于看上去像量子態(tài)瞬間移動(dòng)，因此被叫做隱形傳態(tài)。　　古澤的研究小組正在研究將這種量子隱形傳態(tài)應(yīng)用于量子計(jì)算機(jī)的基本元件。具體是將量子隱形傳態(tài)的原理用作對(duì)任意量子態(tài)進(jìn)行運(yùn)算
關(guān)鍵字：量子運(yùn)算 IC

國(guó)家大基金或毀了芯片業(yè) 價(jià)格戰(zhàn)只是開始

　　未來幾年將是集成電路的整合年，這意味著市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)會(huì)越來越慘烈，不好的公司肯定都會(huì)出局，有些小的公司會(huì)被并購(gòu)。這些都將是常態(tài)。
關(guān)鍵字： IC

臺(tái)IC設(shè)計(jì)全球2 陸急起直追

　　臺(tái)灣IC設(shè)計(jì)業(yè)去年全球市占率約18%，位居第2;中國(guó)大陸IC設(shè)計(jì)業(yè)急起直追，全球市占率已攀高至9%，位居第3大。　　據(jù)研調(diào)機(jī)構(gòu)IC Insights調(diào)查，美國(guó)去年整體IC全球市占率達(dá)55%，穩(wěn)居全球霸主地位;其中，整合元件制造(IDM)部分全球市占率約52%，IC設(shè)計(jì)業(yè)全球市占率達(dá)63%，雙雙高居全球龍頭。　　南韓與日本IC業(yè)以IDM廠為主，去年IDM全球市占率分別達(dá)26%及12%，分別位居全球第2及第3位;南韓與日本IC設(shè)計(jì)全球市占率都不到1%。　　南韓去年整體IC全球市占率約18%，位
關(guān)鍵字： NXP IC

英飛凌攜高能效增強(qiáng)模式和共源共柵配置硅基板GaN平臺(tái)組合亮相2015年應(yīng)用電力電子會(huì)議暨展覽會(huì)（APEC）

　　英飛凌科技股份公司今日宣布擴(kuò)充其硅基氮化鎵(GaN)技術(shù)和產(chǎn)品組合。目前，英飛凌提供專為要求超高能效的高性能設(shè)備而優(yōu)化的增強(qiáng)模式和級(jí)聯(lián)模式GaN平臺(tái)，包括服務(wù)器、電信設(shè)備、移動(dòng)電源等開關(guān)電源應(yīng)用以及諸如Class D音頻系統(tǒng)的消費(fèi)電子產(chǎn)品。GaN技術(shù)可以大幅地縮小電源的尺寸和減輕電源的重量，這將為GaN產(chǎn)品在諸如超薄LED電視機(jī)等終端產(chǎn)品市場(chǎng)開辟新的機(jī)會(huì)。　　英飛凌科技股份公司電源管理及多元化市場(chǎng)事業(yè)部總裁Andreas Urschitz表示：“英飛凌的硅基GaN產(chǎn)品組合，結(jié)合公司了所
關(guān)鍵字：英飛凌 GaN

英飛凌將與松下電器聯(lián)袂雙雙推出常閉型600VGaN功率器件

　　英飛凌科技股份公司和松下電器公司宣布，兩家公司已達(dá)成協(xié)議，將聯(lián)合開發(fā)采用松下電器的常閉式(增強(qiáng)型)硅基板氮化鎵(GaN)晶體管結(jié)構(gòu)，與英飛凌的表貼(SMD)封裝的GaN器件。在此背景下，松下電器向英飛凌授予了使用其常閉型GaN晶體管結(jié)構(gòu)的許可。按照這份協(xié)議的規(guī)定，兩家公司均可生產(chǎn)高性能GaN器件。由此帶來的益處是客戶可以從兩條渠道獲得采用可兼容封裝的GaN功率開關(guān)。迄今為止，沒有任何其他硅基板GaN器件提供了這樣的供貨組合，雙方商定不披露任何其他合同細(xì)節(jié)。　　作為新一代化合物半導(dǎo)體技術(shù)，硅基板Ga
關(guān)鍵字：英飛凌松下 GaN

TI發(fā)布業(yè)內(nèi)首款80V半橋GaN FET模塊

　　近日，德州儀器推出了業(yè)內(nèi)首款80V、10A集成氮化鎵 (GaN) 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 功率級(jí)原型機(jī)。此次原型機(jī)由位于四方扁平無引線 (QFN) 封裝內(nèi)的一個(gè)高頻驅(qū)動(dòng)器和兩個(gè)采用半橋配置的GaN FET組成，使之非常易于設(shè)計(jì)。如需了解更多信息，敬請(qǐng)?jiān)L問www.ti.com.cn/lmg5200-pr-cn。　　全新的LMG5200 GaN FET功率級(jí)原型機(jī)將有助于加快下一代GaN電源轉(zhuǎn)換解決方案的市場(chǎng)化，此方案為空間有限且高頻的工業(yè)應(yīng)用和電信應(yīng)用提供更高的功率密度和效率。　　TI高壓電源
關(guān)鍵字：德州儀器 GaN

英飛凌將與松下電器聯(lián)袂，雙雙推出常閉型600V GaN功率器件

　　英飛凌科技股份公司和松下電器公司宣布，兩家公司已達(dá)成協(xié)議，將聯(lián)合開發(fā)采用松下電器的常閉式(增強(qiáng)型)硅基板氮化鎵(GaN)晶體管結(jié)構(gòu)，與英飛凌的表貼(SMD)封裝的GaN器件。在此背景下，松下電器向英飛凌授予了使用其常閉型GaN晶體管結(jié)構(gòu)的許可。按照這份協(xié)議的規(guī)定，兩家公司均可生產(chǎn)高性能GaN器件。由此帶來的益處是客戶可以從兩條渠道獲得采用可兼容封裝的GaN功率開關(guān)。迄今為止，沒有任何其他硅基板GaN器件提供了這樣的供貨組合。雙方商定不披露任何其他合同細(xì)節(jié)。　　作為新一代化合物半導(dǎo)體技術(shù)，硅基板Ga
關(guān)鍵字：英飛凌 GaN

2014年我國(guó)IC產(chǎn)業(yè)利潤(rùn)總額同比增長(zhǎng)52%

　　2014年，在國(guó)家一系列政策密集出臺(tái)的環(huán)境下，在國(guó)內(nèi)市場(chǎng)強(qiáng)勁需求的推動(dòng)下，我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)整體保持平穩(wěn)較快增長(zhǎng)，開始迎來發(fā)展的加速期。隨著產(chǎn)業(yè)投入加大、技術(shù)突破與規(guī)模積累，在可以預(yù)見的未來，集成電路產(chǎn)業(yè)將成為支撐自主可控信息產(chǎn)業(yè)的核心力量，成為推動(dòng)兩化深度融合的重要基礎(chǔ)。　　(一)產(chǎn)銷保持穩(wěn)定增長(zhǎng) 　　2014年，我國(guó)重點(diǎn)集成電路企業(yè)主要生產(chǎn)線平均產(chǎn)能利用率超過90%，訂單飽滿，全年銷售狀況穩(wěn)定。據(jù)國(guó)家統(tǒng)計(jì)局統(tǒng)計(jì)，全年共生產(chǎn)集成電路1015.5億塊，同比增長(zhǎng)12.4%，增幅高于上年7.1個(gè)百
關(guān)鍵字： IC 集成電路

英飛凌和松下聯(lián)合開發(fā)GaN技術(shù)

　英飛凌和松下聯(lián)合開發(fā)GaN器件，將松下的增強(qiáng)型GaN材料技術(shù)與英飛凌的SMD封裝技術(shù)相結(jié)合。
關(guān)鍵字：英飛凌松下 GaN

伊頓新發(fā)布的白皮書評(píng)估Exic—— 本安的新保護(hù)等級(jí)

　　盧頓……動(dòng)力管理公司伊頓已經(jīng)發(fā)布其全新白皮書《Ex ic——本安的全新保護(hù)級(jí)別》;本白皮書能夠幫助用戶和制造商對(duì)Ex ic有進(jìn)一步了解，Ex ic是一種最新的本安防護(hù)等級(jí)，它可以對(duì)電氣設(shè)備在易燃易爆環(huán)境中進(jìn)行保護(hù)。本書作者為伊頓Crouse-Hinds部門培訓(xùn)和技術(shù)顧問Phil Saward。Phil Saward在危險(xiǎn)區(qū)域產(chǎn)品和應(yīng)用方面擁有25年的豐富經(jīng)驗(yàn)，并且還在多個(gè)FOUNDATION現(xiàn)場(chǎng)總線委員會(huì)內(nèi)任職。　　Phil Saward說道：&
關(guān)鍵字：伊頓 Ex ic

GaN在射頻功率領(lǐng)域會(huì)所向披靡嗎？

　　氮化鎵(GaN)這種寬帶隙材料將引領(lǐng)射頻功率器件新發(fā)展并將砷化鎵(GaAs)和LDMOS(橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體)器件變成昨日黃花?看到一些媒體文章、研究論文、分析報(bào)告和企業(yè)宣傳文檔后你當(dāng)然會(huì)這樣認(rèn)為，畢竟，GaN比一般材料有高10倍的功率密度，而且有更高的工作電壓(減少了阻抗變換損耗)，更高的效率并且能夠在高頻高帶寬下大功率射頻輸出，這就是GaN，無論是在硅基、碳化硅襯底甚至是金剛石襯底的每個(gè)應(yīng)用都表現(xiàn)出色!帥呆了! 　　至少現(xiàn)在看是這樣，讓我們回顧下不同襯底風(fēng)格的GaN：硅基、碳化硅(S
關(guān)鍵字： GaN 射頻