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臺灣或放松對大陸芯片投資限制

  • 臺灣一直禁止大陸對臺灣的芯片設(shè)計(jì)進(jìn)行投資，現(xiàn)在在大陸紅色供應(yīng)鏈的沖擊下，不得不放開，不然呢。
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Bulk Si技術(shù)近極限，功率半導(dǎo)體大廠加速投入GaN、SiC開發(fā)

  • 　　DIGITIMES Research觀察，傳統(tǒng)以塊體矽(Bulk Si)材料為基礎(chǔ)的功率半導(dǎo)體逐漸難提升其技術(shù)表現(xiàn)，業(yè)界逐漸改以新材料尋求突破，其中氮化鎵(GaN)、碳化矽(SiC)材料技術(shù)最受矚目，氮化鎵具有更高的切換頻率，碳化矽則能承受更高溫、更大電流與電壓，而原有的矽材仍有成本優(yōu)勢，預(yù)計(jì)未來功率半導(dǎo)體市場將三分天下。 　　更高的耐受溫度、電壓，或更高的切換頻率、運(yùn)作頻率，分別適用在不同的應(yīng)用，對于電動(dòng)車、油電混合車、電氣化鐵路而言需要更高電壓，對于新一代的行動(dòng)通訊基地臺，或資料中心機(jī)房設(shè)備而言
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大唐半導(dǎo)體全面布局IC領(lǐng)域 自主產(chǎn)品亮相IC CHINA

  • 　　11月20日專稿(艾斯)去年9月，我國國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金正式設(shè)立，根據(jù)該基金的發(fā)展目標(biāo)，2015年我國集成電路產(chǎn)業(yè)銷售收入要超過3500億元，移動(dòng)智能終端、網(wǎng)絡(luò)通信等部分重點(diǎn)領(lǐng)域集成電路設(shè)計(jì)技術(shù)接近國際一流水平，32/28納米(nm)制造工藝實(shí)現(xiàn)規(guī)模量產(chǎn)。 　　在政策和資本的扶持下，我國的集成電路產(chǎn)業(yè)環(huán)境相較以前大為改善。2014年，大唐電信科技股份有限公司(以下簡稱：大唐電信)整合旗下的安全芯片、智能終端芯片等芯片業(yè)務(wù)，成立了大唐半導(dǎo)體設(shè)計(jì)有限公司(以下簡稱大唐半導(dǎo)體)。 　　在近日于上海
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IC界最強(qiáng)盛事IC CHINA2015今日盛大開展

  • ?        11月11日上午，由中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)、中國電子器材總公司、上海市經(jīng)濟(jì)和信息化委員會(huì)共同主辦的第十三屆中國國際半導(dǎo)體博覽會(huì)暨高峰論壇（以下簡稱IC CHINA2015）在上海新國際博覽中心隆重開幕，IC CHINA2015以”落實(shí)推進(jìn)《綱要》，加速產(chǎn)業(yè)發(fā)展“為主題，打造最具影響力的國家級半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)展示平臺。  IC CHINA2015與“第86屆中國電子展”、
  • 關(guān)鍵字： IC CHINA2015  上海  2015亞洲電子展  

工信部: 十三五中國IC有望實(shí)現(xiàn)“華麗轉(zhuǎn)身”

  • 資本市場較為活躍，兼并重組較多，有效提高了產(chǎn)業(yè)集中度，全球集成電路產(chǎn)業(yè)已進(jìn)入深度調(diào)整與轉(zhuǎn)折期，這是我們實(shí)現(xiàn)“華麗轉(zhuǎn)身”的機(jī)遇期，更是發(fā)展的攻堅(jiān)期。
  • 關(guān)鍵字： IC  集成電路  

硅基GaN射頻功放：正走向大規(guī)模商用

  • 　　硅基GaN潛力大 　　近日，MACOM在京召開新聞發(fā)布會(huì)，MACOM全球銷售高級副總裁黃東鉉語出驚人，“由MACOM發(fā)明的第四代GaN——硅基GaN，由于成本大為降低，將取代目前的SiC基GaN;由于硅基GaN的效率大大提升，也將取代GaA和LDMOS的大部分市場。” 　　圖1 GaN的巨大潛力 　　如圖1，左圖綠餅是目前GaN的市場份額;如果把綠餅看成一張餅，就變成右圖，右圖的綠餅是目前GaN的市場，而未來潛在GaN射頻是占絕大部分的藍(lán)海。
  • 關(guān)鍵字： GaAs  GaN  

臺媒：臺灣IC產(chǎn)業(yè)面對清華紫光的對策

  • 　　大陸國企清華紫光集團(tuán)積極擴(kuò)張IC產(chǎn)業(yè)的版圖，由于獲得國家政策與財(cái)力的支持，采取強(qiáng)勢的購并擴(kuò)張策略，把購并標(biāo)的瞄準(zhǔn)臺灣IC企業(yè)，對臺灣的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)產(chǎn)生強(qiáng)大的沖擊。紫光集團(tuán)董事長趙偉國挖走DRAM大廠南亞科總經(jīng)理高啟全，并高調(diào)宣稱“臺灣既然不讓我們投資，我們就禁止臺灣產(chǎn)品在大陸銷售”、公開表達(dá)合并聯(lián)發(fā)科的意圖，更在10月30日與記憶體封測大廠力成簽約，投入新臺幣190億元參加力成的私募，成為持有力成科技25%股權(quán)的最大單一股東。 　　對于紫光集團(tuán)近乎侵略性的出擊，特別是在臺灣今年
  • 關(guān)鍵字： IC  紫光  

IC China 2015：智領(lǐng)半導(dǎo)體先機(jī) 成就國之大器

  • 　　11月3日上午，IC CHINA新聞發(fā)布會(huì)在上海舉行，來自中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)執(zhí)行副理事長兼秘書長徐小田、中國電子器材總公司常務(wù)副總陳雯海、上海市集成電路行業(yè)協(xié)會(huì)秘書長蔣守雷及到場的近50家媒體和企業(yè)代表，熱議當(dāng)下如何助力成就未來半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)之大國重器!國家年度半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)盛會(huì)—IC China 2015即將于11月11-13日在上海新國際博覽中心拉開帷幕。 　　   　　中國電子器材總公司常務(wù)副總陳雯海 　　發(fā)布會(huì)上，中國電子器材總公司常務(wù)副總陳雯海表示，目前中國半導(dǎo)體市
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實(shí)時(shí)功率GaN波形監(jiān)視的設(shè)計(jì)方案

  • 　　簡介 　　功率氮化鎵 (GaN) 器件是電源設(shè)計(jì)人員工具箱內(nèi)令人激動(dòng)的新成員。特別是對于那些想要深入研究GaN的較高開關(guān)頻率如何能夠?qū)е赂哳l率和更高功率密度的開發(fā)人員更是如此。RF GaN是一項(xiàng)已大批量生產(chǎn)的經(jīng)驗(yàn)證技術(shù)，由于其相對于硅材料所具有的優(yōu)勢，這項(xiàng)技術(shù)用于蜂窩基站和數(shù)款軍用/航空航天系統(tǒng)中的功率放大器。在這篇文章中，我們將比較GaN FET與硅FET二者的退化機(jī)制，并討論波形監(jiān)視的必要性。 　　使用壽命預(yù)測指標(biāo) 　　功率GaN落后于RF GaN的主要原因在于需要花時(shí)間執(zhí)行數(shù)個(gè)供貨商所使
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氮化鎵GaN、碳化硅SiC等寬禁帶材料將成為電力電子未來選擇

  • 　　當(dāng)人們思考電力電子應(yīng)用將使用哪種寬禁帶(WBG)半導(dǎo)體材料時(shí)，都會(huì)不約而同地想到氮化鎵(GaN)或碳化硅(SiC)。這不足為奇。因?yàn)榈壔蛱蓟枋请娏﹄娮討?yīng)用中最先進(jìn)的寬禁帶技術(shù)。市場研究公司Yole Développement在其報(bào)告中指出，電力電子應(yīng)用材料碳化硅、氮化鎵和其他寬禁帶材料具有一個(gè)更大的帶隙，可以進(jìn)一步提高功率器件性能。 　　   　　n型碳化硅SiC晶片到2020年將以21%的CAGR成長至1.1億美元 　　由碳化硅電力設(shè)備市場驅(qū)動(dòng)，n型碳化硅基
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IC China 2015 同期舉辦亞洲電子展

  • 　　2015年11月11日-13日，為期三天的年IC China2015同期舉辦第86屆中國電子展及亞洲電子展將在上海新國際博覽中心隆重開幕。本屆展會(huì)將是全中國乃至全亞洲電子行業(yè)的盛會(huì)，展會(huì)以“信息化推動(dòng)工業(yè)化，電子技術(shù)促進(jìn)產(chǎn)業(yè)升級”為主題，計(jì)劃展會(huì)規(guī)模60000平方米，1200家展商、60000名買家和專業(yè)觀眾。URBANFUN城市范(東莞市雅邦坊百貨有限公司)將攜多款URBANFUN COLOR 、URBANFUN X CITY SERIES、URBANFUN X NATURE
  • 關(guān)鍵字： 電子展  IC   

物聯(lián)網(wǎng)難擔(dān)重任 IC市場的新“引擎”在哪？

  • PC、平板計(jì)算機(jī)與智能型手機(jī)的成長表現(xiàn)都退步，最大希望就在物聯(lián)網(wǎng)，然而現(xiàn)在看來產(chǎn)業(yè)缺乏成長推力
  • 關(guān)鍵字： 物聯(lián)網(wǎng)  IC  

氮化鎵元件將擴(kuò)展功率應(yīng)用市場

  • 　　根據(jù)YoleDeveloppement指出，氮化鎵(GaN)元件即將在功率半導(dǎo)體市場快速發(fā)展，從而使專業(yè)的半導(dǎo)體業(yè)者受惠;另一方面，他們也將會(huì)發(fā)現(xiàn)逐漸面臨來自英飛凌(Infineon)/國際整流器(InternationalRectifier;IR)等大型廠商的競爭或并購壓力。 　　Yole估計(jì)，2015年GaN在功率半導(dǎo)體應(yīng)用的全球市場規(guī)模約為1千萬美元。但從2016-2020年之間，這一市場將以93%的年復(fù)合成長率(CAGR)成長，預(yù)計(jì)在2020年時(shí)可望達(dá)到3千萬美元的產(chǎn)值。 　　目前銷售Ga
  • 關(guān)鍵字： 氮化鎵  GaN  

歐洲持續(xù)主導(dǎo)車用芯片應(yīng)用市場

  • 　　根據(jù)市場調(diào)查公司IC Insights，除了車用以及軍事國防領(lǐng)域以外，亞太地區(qū)(日本除外)將主導(dǎo)2015年所有主要的晶片應(yīng)用市場。 　　歐洲仍將是2015年最大的車用晶片應(yīng)用市場，但亞太地區(qū)正快速地迎頭趕上。根據(jù)IC Insights預(yù)測，美洲地區(qū)的政府與軍事應(yīng)用晶片市場規(guī)模將會(huì)是其他地區(qū)的2倍以上。 　　IC Insights預(yù)計(jì)，亞太地區(qū)的車用晶片應(yīng)用市場將在2016年以前超過歐洲，隨著中國在汽車市場需求帶動(dòng)下，將在汽車生產(chǎn)方面占據(jù)龐大且不斷成長的重要地位。 　　   　　
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EV/HEV市場可期 SiC/GaN功率器件步入快車道

  • 　　根據(jù)Yole Development預(yù)測，功率晶體管將從硅晶徹底轉(zhuǎn)移至碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)基板，以期能在更小的空間中實(shí)現(xiàn)更高功率。 　　在最新出版的“GaN與SiC器件驅(qū)動(dòng)電力電子應(yīng)用”(GaN and SiC Devices for Power Electronics Applications)報(bào)告中，Yole Development指出，促進(jìn)這一轉(zhuǎn)型的巨大驅(qū)動(dòng)力量之一來自電動(dòng)車(EV)與混合動(dòng)力車(HEV)產(chǎn)業(yè)。Yole預(yù)期EV/HEV產(chǎn)業(yè)將持續(xù)大力推動(dòng)Si
  • 關(guān)鍵字： SiC  GaN  
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