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EEPW首頁 >> 主題列表 >> gate driver

基于世平安森美半導體 LV8310 Single-Phase Pre Driver 應(yīng)用于車內(nèi)空調(diào)循環(huán)扇方案

  • 由于現(xiàn)代人對于生活物質(zhì)的享受要求愈來愈高,汽車駕駛?cè)藢τ谲噧?nèi)空間主觀的價值感要求也是一樣,不管是行駛時可能產(chǎn)生的種種噪音及靜止時冷氣空調(diào)循環(huán)扇的音量亦是,以空調(diào)風扇噪音來說,三相馬達也許是低噪的最佳選擇,但整體成本較高,基于成本及整體效能考量,安森美推出的可優(yōu)化超前角單相直流無刷馬達驅(qū)動方案,可說是性價比最高的選擇。安森美新推出的LV8310 Single phase pre driver 提供可彈性選擇功率晶體以配合不同功率需求的條件及可調(diào)整的轉(zhuǎn)速曲線以優(yōu)化可控轉(zhuǎn)速檔次的一致性和可調(diào)整超前角功能以優(yōu)化功
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基于 Richtek RT7083GQW MCU+Gate Driver 54W-BLDC壁掛爐熱風機解決方案

  • 近年來，最吸引人眼球的可能是“5G”、“人工智能”、“自動駕駛”等時髦的詞匯，大家的注意力也都集中在這些領(lǐng)域，但其實，有一個已經(jīng)真正落地，大部分人都還沒注意到的應(yīng)用——直流無刷電機（BLDC）市場正在悄然興起，而且成長迅速。根據(jù)市場公開的資料，2018年全球無刷直流電機的市場規(guī)模為153.6億美元，樂觀的市場研究機構(gòu)預計未來五年，市場將會以13%的年復合增長率持續(xù)增長；當然也有機構(gòu)認為年復合增長率會在6.5%左右。但不論是6.5%，還是13%的增長率，這個市場都非常值得期待。由于BLDC本身可以節(jié)約能源，
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世平基于安森美半導體 NCP51820 650V Hi-Low Side GaN MOS Driver 應(yīng)用于小型化工業(yè)電源供應(yīng)器方案

  • 安森美GAN_Fet驅(qū)動方案(NCP51820)。 數(shù)十年來，硅來料一直統(tǒng)治著電晶體世界。但這個狀況在發(fā)現(xiàn)了砷化鎵（GaAs）和砷化鎵、磷（GaAsP）等不同特性的材料后,已經(jīng)逐漸開始改變。由開發(fā)了由兩種或三種材料制成的化合物半導體，它們具有獨特的優(yōu)勢和優(yōu)越的特性。但問題在于化合物半導體更難制造且更昂貴。雖然它們比硅具有明顯的優(yōu)勢。作為解決方案出現(xiàn)的兩個化合物半導體器件是氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）功率電晶體。這些器件可與壽命長的硅功率LDMOS MOSFET和超結(jié)MOSFET競爭。GaN和SiC器
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基于安森美半導體 NCP1632 Interleave PFC應(yīng)用于的 1KW 馬達驅(qū)動器解決方案

  • 馬達驅(qū)動系統(tǒng)是工業(yè)環(huán)境中自動化系統(tǒng)的關(guān)鍵組成部分，因為它們在電力消耗中占很大比例。這種驅(qū)動系統(tǒng)在實現(xiàn)節(jié)能方面具有核心作用。隨著自動化的發(fā)展速度，馬達驅(qū)動是未來工業(yè)設(shè)施的中堅力量。因應(yīng)市場的增長及要求，安森美半導體關(guān)注于提高馬達驅(qū)動系統(tǒng)的效率，同時為更高的電流、更精確的控制和更好的系統(tǒng)可靠性進行設(shè)計。安森美半導體完整的馬達驅(qū)動解決方案，通過領(lǐng)先業(yè)界的 MOSFET、IGBT、柵極驅(qū)動器和電源模組解決了這一挑戰(zhàn)。而此方案，支援各種低電壓電機，包括有刷、無刷和步進馬達，并提供可隔離及高性能運算放大器，保證用電安
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基于Toshiba TB9062FNG 的3相Sensor-less BLDC Motor Pre-Driver 之廚房抽油煙機方案

  • 隨著馬達(電動機)發(fā)展日新月異, 相對也提升家庭應(yīng)用需求, 現(xiàn)階段家用抽油煙機要求聲音越變越小, 也要求變頻省電, 更隨著環(huán)保意識抬頭, 抽油煙機的抽風效率更顯重要!排油煙機是煮飯時最重要的工具，如果沒有的話，你再煎魚或是炒菜的時候，會導致全廚房都是油煙味，如果沒有防治好的話，還會飄到客廳房間，除了油煙味很重外，對身體也不好！經(jīng)過研究顯示這些油煙含有多種致癌物，因此為了自己的健康著想，一臺好的排油煙機可以給一個好的煮飯環(huán)境， 可以替你帶走大量廚房油煙, 可以避免吸入致癌物, 同時又能降低噪音讓廚房靜悄悄,
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SK海力士引領(lǐng)High-k/Metal Gate工藝變革

  • 由于傳統(tǒng)微縮(scaling)技術(shù)系統(tǒng)的限制，DRAM的性能被要求不斷提高，而HKMG(High-k/Metal Gate)則成為突破這一困局的解決方案。SK海力士通過采用該新技術(shù)，并將其應(yīng)用于全新的1anm LPDDR5X DRAM, 即便在低功率設(shè)置下也實現(xiàn)了晶體管性能的顯著提高。本文針對HKMG及其使用益處進行探討。厚度挑戰(zhàn): 需要全新的解決方案組成DRAM的晶體管(Transistor)包括存儲數(shù)據(jù)的單元晶體管(Cell Transistor)、恢復數(shù)據(jù)的核心晶體管(Core Tr
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怎樣利用信號平均技術(shù)消除噪聲干擾提升重復信號采樣的精準度

  • 許多高速數(shù)據(jù)采集應(yīng)用，如激光雷達或光纖測試等，都需要從嘈雜的環(huán)境中采集小的重復信號，因此對于數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的設(shè)計來說，最大的挑戰(zhàn)就是如何最大限度地減少噪聲的影響。利用信號平均技術(shù)，可以讓您的測量測試系統(tǒng)獲取更加可靠的、更加有效的測試數(shù)據(jù)。
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高速數(shù)傳中定時同步設(shè)計與FPGA實現(xiàn)

  • 摘要 文中對適用于高速突發(fā)通信的基于數(shù)字濾波平方的定時同步算法進行了研究。通過對在高速數(shù)據(jù)傳輸通信中，該定時同步環(huán)路的定時誤差估計模塊進行并行結(jié)構(gòu)實現(xiàn)，大幅降低了系統(tǒng)對于時鐘的要求，且更加易于實現(xiàn);將文
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單顆LED大功率手電筒 AMC7135 LED Driver

  • 這款單顆LED大功率手電筒是以單顆發(fā)光二極管(LED)作為光源的一種新型照明工具，它具有省電、耐用、亮度強等優(yōu)點。可用于夜行、登山、野營、醫(yī)用、維修等。且使用效果很不錯。一、LED的選擇現(xiàn)在大功率LED的功率有1W、
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Linux下SANE Driver自動化測試工具的設(shè)計與實現(xiàn)

  • SANE（Scanner Access Now Easy）是一個應(yīng)用程序接口API（Application Programming Interface）[1]，提供了對光柵圖像掃描硬件的標準訪問[2]。Linux對掃描儀的支持就是通過SANE實現(xiàn)的。SANE標準中將實現(xiàn)SANE接口的驅(qū)
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Soft-start enhances LED driver

  • To emulate the natural soft start of an incandescent bulb, this circuit makes use of the thermal-foldback protection built into an LED-driver IC (MAX16832). It thereby avoids the annoying and almost i
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LED driver solution for MR16 and similar retrofit lamps

  • This application note presents an LED driver solution for MR16 and similar retrofit lamps. The circuit drives LEDs from a 12VAC input. The solution works with both magnetic and electronic transformers
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Boost driver for long LED strings

  • The long strings of LEDs commonly found in TV and display backlighting, street lights, and parking garage lights require a current driver capable of producing high voltages. This reference design prov
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傳三星正積極研究Gate-last工藝

  • 　　據(jù)消息來源透露，三星公司的芯片制造技術(shù)發(fā)展戰(zhàn)略可能發(fā)生較大的變化，他們正在考慮轉(zhuǎn)向使用gate-last工藝制作high-k器件。按照三星原來的計劃，他們將在年內(nèi)推出的28/32nm制程芯片產(chǎn)品中使用gate-first工藝來制作high-k型器件。不過也有人認為三星很可能只在28/32nm制程 中才會采用gate-first工藝，而在22nm制程則會轉(zhuǎn)向采用gate-last工藝。于此同時，三星芯片代工業(yè)務(wù)部門的副總裁Ana Hunter則拒絕就三星轉(zhuǎn)向gate-last工藝事宜發(fā)表任何評論。
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