hbm 內(nèi)存 文章 進(jìn)入hbm 內(nèi)存技術(shù)社區(qū)
重“芯”認(rèn)識(shí)內(nèi)存
- 前言 有人就不明白DIYer買東西為什么要挑來挑去,為什么一定要對(duì)CPU超頻?其實(shí)如今的DIYer早已和以前有很大不同,他們除了追求產(chǎn)品性價(jià)比之外,也享受DIY給自身帶來的樂趣。注重產(chǎn)品細(xì)節(jié),追求產(chǎn)品的差異性是目前DIYer最津津樂道的話題。在同一款產(chǎn)品里面挑選出最突出的,更是給不少DIYer帶來精神上的滿足,這就是所謂的“DIY精神”。 消費(fèi)者在選購內(nèi)存時(shí),最關(guān)注的地方莫過于產(chǎn)品的價(jià)格、產(chǎn)品的做工以及產(chǎn)品的真?zhèn)紊?,而產(chǎn)品的細(xì)節(jié)卻并未引起人們的關(guān)注,譬如不同內(nèi)存顆粒就使得內(nèi)存會(huì)有著截然不同
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iSuppli全球芯片市場預(yù)測 銷售增長率降至3.5%
- 日前,iSuppli公司將2007年全球芯片銷售預(yù)測下調(diào),增長率由之前預(yù)測的6%減少到3.5%。預(yù)計(jì)2007年,全球半導(dǎo)體收入將從2,606億美元上升到2,699億美元,比2006年上漲3.5%,iSuppli在6月份發(fā)表了年增長率6%的預(yù)測。 這次向下修訂半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的背景是:芯片銷售增長、內(nèi)存行業(yè)正在改進(jìn)、并且電子設(shè)備市場的展望也在升高。然而,2007年下半年較強(qiáng)勁的市場條件還不足完全彌補(bǔ)上半
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iSuppli:9月內(nèi)存價(jià)格將再次開始下滑
- 根據(jù)市場研究機(jī)構(gòu)iSuppli的預(yù)測,在經(jīng)歷短暫的緩沖之后,DRAM內(nèi)存廠商的市場條件從9月份起將再次變得惡劣。iSuppli此前預(yù)期在結(jié)束了二季度嚴(yán)重的價(jià)格下跌之后,市場將保持目前的相對(duì)強(qiáng)勢,直到10月份價(jià)格才會(huì)再次下跌。但是iSuppli現(xiàn)在預(yù)期價(jià)格下跌提前了一個(gè)月,9月份就會(huì)開始。 近期的DRAM內(nèi)存市場供應(yīng)鏈由于廠商和分銷商仍在繼續(xù)處理存貨造成大量的不確定性,因而市場條件也處在不斷變化中。而且由于液晶顯示器供應(yīng)不足導(dǎo)致價(jià)格上漲,也將促使一些個(gè)人電腦削減了對(duì)內(nèi)存的預(yù)算,造成DRAM內(nèi)存現(xiàn)貨市
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產(chǎn)業(yè)剖析:NAND FLASH市場發(fā)展
- NOR 和NAND 是閃存(Flash Memory)的兩大主要類型,強(qiáng)調(diào)可靠性的NOR 主要用途在于應(yīng)用程序和操作系統(tǒng)儲(chǔ)存(Code Storage),成本較低的NAND 則主要使用于數(shù)據(jù)儲(chǔ)存(Data Storage)方面,近來由于手機(jī)、數(shù)字相機(jī)、數(shù)字音樂播放機(jī)、可攜式媒體播放機(jī)(PMP)、機(jī)頂盒(STB)等終端產(chǎn)品的需求旺盛,帶動(dòng)兩者銷售量持續(xù)成長,尤其NAND 在蘋果計(jì)算機(jī)推出的數(shù)字音樂播放機(jī)iPod 熱賣
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NAND Flash下半年將出現(xiàn)供不應(yīng)求現(xiàn)象
- 根據(jù)內(nèi)存市場研究公司集邦科技(DRAMeXchang)所發(fā)表的最新報(bào)告,七月上旬NAND Flash合約價(jià)出爐;SLC市場供給吃緊、合約價(jià)大漲,平均漲幅約15%~30%。而根據(jù)集邦的研究數(shù)據(jù)來觀察,整體NAND Flash需求將在本季超過供給,下半年NAND Flash產(chǎn)出將供不應(yīng)求。 在MLC部分,集邦表示,因供貨商持續(xù)將產(chǎn)能轉(zhuǎn)往8Gb以上的產(chǎn)品,另外加上iPhone題材所帶來的預(yù)期心理,4Gb產(chǎn)出日益降低而大漲30%,高容量MLC也順勢漲了
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相變內(nèi)存成為研發(fā)熱點(diǎn) 趕超F(xiàn)eRAM與MRAM
- 相變內(nèi)存(Phase Change Memory,PCM)是近年來內(nèi)存業(yè)界熱門研發(fā)主題之一,針對(duì)此一新式內(nèi)存技術(shù)發(fā)展趨勢與廠商專利現(xiàn)況,工研院IEK-ITIS計(jì)劃發(fā)表最新研究報(bào)告指出,臺(tái)灣地區(qū)已有不少廠商投入該技術(shù)的研發(fā),相較于FeRAM與MRAM,在PCM領(lǐng)域發(fā)展機(jī)會(huì)較大。 工研院IEK-ITIS計(jì)劃分析師陳俊儒表示,相變化材料在1970年代開始有重量級(jí)的公司投入研究資源,但受限于當(dāng)時(shí)半導(dǎo)體工藝技術(shù),相變化材料在2000年以前的商業(yè)應(yīng)用還是以光盤片為主
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iSuppli提升近期內(nèi)存市場條件評(píng)測等級(jí)
- 北京時(shí)間7月19日硅谷動(dòng)力從國外媒體處獲悉:市場研究機(jī)構(gòu)iSuppli在內(nèi)存市場有增長跡象和貫穿2007年的內(nèi)存價(jià)格下滑結(jié)束的情況下,將近期DRAM內(nèi)存供應(yīng)商面臨市場條件等級(jí)由消極提升到中性,同時(shí)對(duì)NAND閃存的市場條件等級(jí)做了同樣的調(diào)整。 iSuppli在今年一月中旬把DRAM內(nèi)存市場的條件等級(jí)降為消極,當(dāng)時(shí)DRAM內(nèi)存市場正處在嚴(yán)重低迷的狀態(tài),到六月底DRAM內(nèi)存的價(jià)格下滑超過了70%。但是,iSuppli預(yù)期市場在6月底將跌到底部,7月上半月隨著內(nèi)存原始制造商DRAM內(nèi)存價(jià)格的上漲,內(nèi)存
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粵港海關(guān)嚴(yán)打效應(yīng)持續(xù) 內(nèi)地內(nèi)存價(jià)大漲65%
- 僅僅一個(gè)多月,在全國內(nèi)存市場占80%的1GB DDR2-667內(nèi)存條的價(jià)格就從最低價(jià)的200元左右漲到330元以上,漲幅高達(dá)65%。 昨日,《第一財(cái)經(jīng)日?qǐng)?bào)》從深圳內(nèi)存廠家獲悉,引發(fā)此次內(nèi)存價(jià)格狂飆的主要原因是深圳的某兩家渠道商的走私貨物被深圳海關(guān)扣押,被扣押的貨物以內(nèi)存條為主,總值達(dá)1億元之巨。 “這股嚴(yán)打風(fēng)潮不知道什么時(shí)候能過去?!鄙钲趦?nèi)存廠家負(fù)責(zé)人黃偉(化名)透露,現(xiàn)在內(nèi)地內(nèi)存經(jīng)銷商已基本停止大宗走私行為,目前市場上所銷售的產(chǎn)品基本都是之前的庫存
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DDR內(nèi)存接口的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)
- 針對(duì)當(dāng)今電子系統(tǒng)對(duì)高速大容量內(nèi)存的需要,本文闡述了使用DDR控制器IP核來設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)DDR內(nèi)存接口的方法。
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三星暫停內(nèi)存芯片供貨 海力士南亞市場趁機(jī)搶單
- 由于內(nèi)存市場需求長期疲軟,計(jì)算機(jī)OEM廠商對(duì)內(nèi)存砍價(jià)過甚,三星已決定中止對(duì)計(jì)算機(jī)OEM廠商的DRAM供貨,其中還包括戴爾和惠普等大廠。但如此一來正好給了其對(duì)手海力士半導(dǎo)體和南亞一個(gè)絕佳的機(jī)會(huì),兩家紛紛爭搶OEM廠商的訂單。 據(jù)市場研究機(jī)構(gòu)DRAMeXchange稱,五月下旬512MB和1GB的DDR2報(bào)價(jià)已跌至14美元和28美元,512MB的DDR2-533和1GB的DDR2-667則為17.5和35美元。 現(xiàn)在的DRAM價(jià)格可說已跌至谷地,報(bào)價(jià)甚至比生產(chǎn)成本還低。為抵制如此無理的
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內(nèi)存DRAM芯片價(jià)格達(dá)谷底即將回調(diào)達(dá)到波谷
- 亞洲芯片制造商上周末召開了會(huì)議,研究結(jié)果表明內(nèi)存DRAM芯片價(jià)格已經(jīng)達(dá)到了波谷,未來將有所上浮。在上周四的全球市場上,DRAM內(nèi)存平均售價(jià)再次下滑了五個(gè)百分點(diǎn),而該數(shù)字在周五也處于下滑態(tài)勢。計(jì)算機(jī)內(nèi)存制造商三星電子和現(xiàn)代半導(dǎo)體甚至表示,內(nèi)存產(chǎn)品的售價(jià)迅速下調(diào),有可能影響到公司4到6月季度盈利情況。實(shí)際上,自從今年開始,某些內(nèi)存產(chǎn)品的售價(jià)足足下滑了70%。 “如今的價(jià)格已經(jīng)幾乎達(dá)到了最低點(diǎn),我們都在等待重新的上浮?!盌aiwa研究所分析家JaeLee先生表示,“如果庫存量下滑,價(jià)格上浮
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內(nèi)存價(jià)格終于反彈 業(yè)內(nèi)持不同意見
- 在5月18-25日,DRAM內(nèi)存價(jià)格終于出現(xiàn)了反彈,業(yè)界分析家對(duì)該現(xiàn)象是標(biāo)志著大范圍的調(diào)整開始還是僅僅是一個(gè)短期現(xiàn)象持有不同意見。 據(jù)DRAMeXchange的數(shù)據(jù)顯示,從5月18日開始,包括eTT在內(nèi)各種頻率型號(hào)的512MB DDR2內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格據(jù)呈上升勢頭。在所有類型當(dāng)中,eTT壓低內(nèi)存升幅最大,達(dá)到16%。 一些業(yè)內(nèi)人士擔(dān)心DRAM現(xiàn)貨市場的價(jià)格反彈將會(huì)影響DRAM合同價(jià)格的調(diào)整。來自DRAM內(nèi)存廠商的消息稱現(xiàn)還沒有收到電腦廠商需求急劇變化的反饋,而來自內(nèi)存模組廠的消息稱,由于DRAM廠商
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內(nèi)存價(jià)格終于反彈 業(yè)內(nèi)持不同意見
- 在5月18-25日,DRAM內(nèi)存價(jià)格終于出現(xiàn)了反彈,業(yè)界分析家對(duì)該現(xiàn)象是標(biāo)志著大范圍的調(diào)整開始還是僅僅是一個(gè)短期現(xiàn)象持有不同意見。 據(jù)DRAMeXchange的數(shù)據(jù)顯示,從5月18日開始,包括eTT在內(nèi)各種頻率型號(hào)的512MB DDR2內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格據(jù)呈上升勢頭。在所有類型當(dāng)中,eTT壓低內(nèi)存升幅最大,達(dá)到16%。 一些業(yè)內(nèi)人士擔(dān)心DRAM現(xiàn)貨市場的價(jià)格反彈將會(huì)影響DRAM合同價(jià)格的調(diào)整。來自DRAM內(nèi)存廠商的消息稱現(xiàn)還沒有收到電腦廠商需求急劇變化的反饋,而來自內(nèi)存模組廠的消息稱,由于DRA
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PC大廠刻意壓低內(nèi)存 上下游博弈仍在繼續(xù)
- 內(nèi)存顆粒在最近一兩天終于價(jià)格開始反彈,DDR2 512Mb ETT顆粒昨天收盤于1.58美元,而DDR2 512Mb 667MHz則從1.7美元反彈至1.76美元。 內(nèi)存業(yè)者表示,DRAM制造廠不再殺低出貨,再加上部份模組廠開始趁低收貨,是帶動(dòng)近日DRAM現(xiàn)貨價(jià)跌深反彈的主因。只是目前終端市場需求依然疲軟,因此DRAM價(jià)格是否就此落底,仍待進(jìn)一步觀察。 創(chuàng)見上海代表處的總經(jīng)理顏明吉表示,此前內(nèi)存之所以狂跌,戴爾和惠普等PC大廠故意觀望是非常重要的因素。 去年年末Vi
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