hbm 內(nèi)存文章進(jìn)入hbm 內(nèi)存技術(shù)社區(qū)

如何獲得足夠的HBM，并將其堆疊的足夠高？

任何新的內(nèi)存方法都必須具備可制造性與成本效益，方能被采用。
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SK 海力士介紹全球首款 16-High HBM3E 內(nèi)存，明年初出樣

11 月 4 日消息，SK 海力士 CEO 郭魯正今日在韓國(guó)首爾舉行的 SK AI Summit 2024 上介紹了全球首款 16-High HBM3E 內(nèi)存。該產(chǎn)品可實(shí)現(xiàn) 48GB 的單堆棧容量，預(yù)計(jì)明年初出樣。雖然一般認(rèn)為 16 層堆疊 HBM 內(nèi)存直到下一世代 HBM4 才會(huì)正式商用，但參考內(nèi)存領(lǐng)域 IP 企業(yè) Rambus 的文章，HBM3E 也有擴(kuò)展到 16 層的潛力。此外注意到，SK 海力士為今年 2 月 IEEE ISSCC 2024 學(xué)術(shù)會(huì)議準(zhǔn)備的論文中也提到了可實(shí)現(xiàn) 1280G
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芝奇與華碩突破 DDR5-12112 內(nèi)存頻率超頻世界紀(jì)錄

10 月 30 日消息，芝奇國(guó)際今日宣布再度刷新內(nèi)存頻率超頻世界紀(jì)錄，由華碩 ROG 極限超頻者 SAFEDISK 上傳的成績(jī)，通過(guò)液態(tài)氮極限超頻技術(shù)，創(chuàng)下 DDR5-12112 的超頻紀(jì)錄。該紀(jì)錄使用的是芝奇 Trident Z5 旗艦系列 DDR5 內(nèi)存，搭配最新英特爾酷睿 Ultra 9 285K 處理器及華碩 ROG MAXIMUS Z890 APEX 主板。IT之家附圖如下：此成績(jī)已上傳至 HWBOT 及 CPU-Z，超越了 10 月 25 日微星 MEG Z890 UNIFY-X
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AI需求持續(xù)爆發(fā)！“HBM霸主”SK海力士Q3營(yíng)收、利潤(rùn)雙創(chuàng)記錄

獲悉，周四，SK海力士公布了創(chuàng)紀(jì)錄的季度利潤(rùn)和營(yíng)收，這反映出市場(chǎng)對(duì)與英偉達(dá)(NVDA.US)處理器一起用于人工智能開(kāi)發(fā)的存儲(chǔ)芯片的強(qiáng)勁需求。作為英偉達(dá)的供應(yīng)商，這家韓國(guó)存儲(chǔ)芯片巨頭第三季度的營(yíng)業(yè)利潤(rùn)達(dá)到7.03萬(wàn)億韓元(51億美元)，上年同期為虧損1.8萬(wàn)億韓元，高于分析師預(yù)期的6.9萬(wàn)億韓元。營(yíng)收大增94%，達(dá)到17.6萬(wàn)億韓元，而市場(chǎng)預(yù)期為18.2萬(wàn)億韓元。今年以來(lái)，SK海力士股價(jià)累計(jì)上漲逾35%，原因是該公司在設(shè)計(jì)和供應(yīng)為英偉達(dá)人工智能加速器提供動(dòng)力的尖端高帶寬內(nèi)存(HBM)方面擴(kuò)大了對(duì)三星電子(S
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消息稱 SK 海力士收縮 CIS 業(yè)務(wù)規(guī)模，全力聚焦 HBM 等高利潤(rùn)產(chǎn)品

10 月 17 日消息，據(jù)韓媒 ZDNET Korea 當(dāng)?shù)貢r(shí)間昨日?qǐng)?bào)道，SK 海力士正縮減 CIS （注：即 CMOS 圖像傳感器）等次要業(yè)務(wù)規(guī)模，全力聚焦高利潤(rùn)產(chǎn)品 HBM 以及 CXL 內(nèi)存、PIM、AI SSD 等新興增長(zhǎng)點(diǎn)。SK 海力士今年減少了對(duì) CIS 業(yè)務(wù)的研發(fā)投資，同時(shí)月產(chǎn)能已低于 7000 片 12 英寸晶圓，不足去年一半水平。而這背后是 2023 年 CIS 市場(chǎng)三大巨頭索尼、三星、豪威共占據(jù) 3/4 市場(chǎng)份額，SK 海力士?jī)H以 4% 排在第六位，遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。同時(shí)，SK 海力
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HBM對(duì)DRAM廠的貢獻(xiàn)逐季攀升

TrendForce指出，隨著AI服務(wù)器持續(xù)布建，高帶寬內(nèi)存（HBM）市場(chǎng)處高成長(zhǎng)階段，平均售價(jià)約是DRAM產(chǎn)品的三至五倍，待下一代HBM3e量產(chǎn)，加上產(chǎn)能擴(kuò)張，營(yíng)收貢獻(xiàn)將逐季上揚(yáng)。TrendForce指出，HBM市場(chǎng)仍處于高成長(zhǎng)階段，由于各大云端廠商持續(xù)布建AI服務(wù)器，在GPU算力與內(nèi)存容量都將升級(jí)下，HBM成為其中不可或缺的一環(huán)，帶動(dòng)HBM規(guī)格容量上升。如NVIDIA Blackwell平臺(tái)將采用192GB HBM3e內(nèi)存、AMD的MI325更是提升到288GB以上。由于HBM生產(chǎn)難度高、良率仍有顯著
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HBM3e 12hi面臨良率和驗(yàn)證挑戰(zhàn)，2025年HBM是否過(guò)剩仍待觀察

近期市場(chǎng)對(duì)于2025年HBM可能供過(guò)于求的擔(dān)憂加劇，而據(jù)TrendForce集邦咨詢資深研究副總吳雅婷表示，由于明年廠商能否如期大量轉(zhuǎn)進(jìn)HBM3e仍是未知數(shù)，加上量產(chǎn)HBM3e 12hi的學(xué)習(xí)曲線長(zhǎng)，目前尚難判定是否會(huì)出現(xiàn)產(chǎn)能過(guò)剩局面。根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查，Samsung（三星）、SK hynix（SK海力士）與Micron（美光）已分別于2024年上半年和第三季提交首批HBM3e 12hi樣品，目前處于持續(xù)驗(yàn)證階段。其中SK hynix與Micron進(jìn)度較快，有望于今年底完成
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HBM外另一大關(guān)注重點(diǎn)：新一代存儲(chǔ)器GDDR7是什么？

隨著GDDR7存儲(chǔ)器標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格于今年確定，存儲(chǔ)器業(yè)者開(kāi)始推出GDDR7解決方案。與目前的GDDR6和GDDR6X相比，GDDR7提供大升級(jí)，提高游戲和其它類型工作負(fù)載的性能。什么是GDDR7存儲(chǔ)器呢？其實(shí)GDDR（Graphics Double Data Rate）的「G」，可以得知是用于GPU的顯示存儲(chǔ)器，如即將推出的NVIDIA Blackwell RTX 50系列。新一代GDDR6于2018年問(wèn)世，首先用于NVIDIA RTX 20系列和AMD RX 5000系列GPU，其起始的顯存時(shí)脈頻率為14
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TrendForce：今年 Q2 NAND 閃存出貨增長(zhǎng)放緩，AI SSD 推動(dòng)營(yíng)收環(huán)比增長(zhǎng) 14%

IT之家 9 月 9 日消息，TrendForce 集邦咨詢今天下午發(fā)布報(bào)告指出，由于服務(wù)器終端庫(kù)存調(diào)整接近尾聲，加上 AI 推動(dòng)了大容量存儲(chǔ)產(chǎn)品需求，今年第二季度 NAND Flash（閃存）價(jià)格持續(xù)上漲。但由于 PC 和智能手機(jī)廠商庫(kù)存偏高，導(dǎo)致 Q2 NAND Flash 位元出貨量環(huán)比下降 1%，平均銷售單價(jià)上漲了 15%，總營(yíng)收達(dá) 167.96 億美元（IT之家備注：當(dāng)前約 1193.37 億元人民幣），較前一季實(shí)現(xiàn)環(huán)比增長(zhǎng) 14.2%。各廠商營(yíng)收情況如下：三星：第二季時(shí)積極回應(yīng)客戶對(duì)
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消息稱三星 1b nm 移動(dòng)內(nèi)存良率欠佳，影響 Galaxy S25 系列手機(jī)開(kāi)發(fā)

IT之家 9 月 4 日消息，據(jù)韓媒 ZDNET Korea 報(bào)道，三星電子 MX 部門(mén) 8 月向 DS 部門(mén)表達(dá)了對(duì)面向 Galaxy S25 系列手機(jī)的 1b nm （IT之家注：即 12nm 級(jí)） LPDDR 內(nèi)存樣品供應(yīng)延誤的擔(dān)憂。三星電子于 2023 年 5 月啟動(dòng) 1b nm 工藝 16Gb DDR5 內(nèi)存量產(chǎn)，后又在當(dāng)年 9 月發(fā)布 1b nm 32Gb DDR5，并一直在內(nèi)部推進(jìn) 1b nm LPDDR 移動(dòng)內(nèi)存產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)工作。然而該韓媒此前就在今年 6 月
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TrendForce：內(nèi)存下半年價(jià)格恐摔

根據(jù)TrendForce最新調(diào)查，消費(fèi)型電子需求未如預(yù)期回溫，中國(guó)大陸地區(qū)的智能型手機(jī)，出現(xiàn)整機(jī)庫(kù)存過(guò)高的情形，筆電也因?yàn)橄M(fèi)者期待AI PC新產(chǎn)品而延遲購(gòu)買，市場(chǎng)持續(xù)萎縮。此一現(xiàn)象，導(dǎo)致以消費(fèi)型產(chǎn)品為主的內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)走弱，第二季價(jià)格較第一季下跌超過(guò)30％。盡管現(xiàn)貨價(jià)至8月份仍與合約價(jià)脫鉤，但也暗示合約價(jià)可能的未來(lái)走向。TrendForce表示，2024年第二季模塊廠在消費(fèi)類NAND Flash零售通路的出貨量，已大幅年減40％，反映出全球消費(fèi)性內(nèi)存市場(chǎng)正遭遇嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。內(nèi)存產(chǎn)業(yè)雖一向受周期因素影響，但202
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SK 海力士：美股七大科技巨頭均表達(dá)定制 HBM 內(nèi)存意向

IT之家 8 月 20 日消息，據(jù)韓媒 MK 報(bào)道，SK 海力士負(fù)責(zé) HBM 內(nèi)存業(yè)務(wù)的副總裁 Ryu Seong-soo 當(dāng)?shù)貢r(shí)間昨日在 SK 集團(tuán) 2024 年度利川論壇上表示，M7 科技巨頭都表達(dá)了希望 SK 海力士為其開(kāi)發(fā)定制 HBM 產(chǎn)品的意向。IT之家注：M7 即 Magnificent 7，指美股七大科技巨頭蘋(píng)果、微軟、Alphabet（谷歌）、特斯拉、英偉達(dá)、亞馬遜以及 Meta。Ryu Seong-soo 提到其在周末仍不斷工作，與 M7 企業(yè)進(jìn)行電話溝通，并為滿足這些企業(yè)的需
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HBM 帶動(dòng)，三大內(nèi)存原廠均躋身 2024Q1 半導(dǎo)體 IDM 企業(yè)營(yíng)收前四

IT之家 8 月 13 日消息，據(jù) IDC 北京時(shí)間本月 7 日?qǐng)?bào)告，三大內(nèi)存原廠三星電子、SK 海力士、美光分列 2024 年一季度半導(dǎo)體 IDM（IT之家注：整合組件制造）企業(yè)營(yíng)收榜單第 1、3、4 位，第二位則是英特爾?！?圖源 IDC報(bào)告表示，數(shù)據(jù)中心對(duì) AI 訓(xùn)練與推理的需求飆升，其中對(duì) HBM 內(nèi)存的需求提升尤為明顯。HBM 自身的高價(jià)和對(duì)通用 DRAM 產(chǎn)能的壓縮也推動(dòng) DRAM 平均價(jià)格上升，使總體內(nèi)存市場(chǎng)營(yíng)收大幅成長(zhǎng)。此外終端設(shè)備市場(chǎng)回穩(wěn)，AI PC、智能手機(jī)逐步發(fā)售，同樣提升
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因 HBM3/3E 內(nèi)存產(chǎn)能擠占，SK 海力士 DDR5 被曝漲價(jià) 15~20%

IT之家 8 月 13 日消息，華爾街見(jiàn)聞報(bào)道稱，SK 海力士已將其 DDR5 DRAM 芯片提價(jià) 15%-20%。供應(yīng)鏈人士稱，海力士 DDR5 漲價(jià)主要是因?yàn)?HBM3/3E 產(chǎn)能擠占。今年 6 月就有消息稱 DDR5 價(jià)格在今年有著 10%-20% 上漲空間：各大廠商已為 2024 年 DDR5 芯片分配產(chǎn)能，這表明價(jià)格已經(jīng)不太可能下降；再加上下半年是傳統(tǒng)旺季，預(yù)計(jì)價(jià)格會(huì)有所上漲。▲ SK 海力士 DDR5 DRAMIT之家今日早些時(shí)候還有報(bào)道，SK 海力士等三大原廠采用 EUV
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美光將在中國(guó)臺(tái)灣加碼投資，或聚焦HBM

行業(yè)人士消息，美光總裁暨CEO Sanjay Mehrotra在今年7月訪問(wèn)中國(guó)臺(tái)灣，將帶來(lái)更進(jìn)一步合作，例如在人工智能（AI）應(yīng)用扮演重要角色的高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）。據(jù)悉，美光將加碼在中國(guó)臺(tái)灣投資，除制造HBM先進(jìn)制程外，不排除有機(jī)會(huì)在中國(guó)臺(tái)灣創(chuàng)建第二個(gè)研發(fā)中心。據(jù)悉，中國(guó)臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)部門(mén)于2021年5月申請(qǐng)領(lǐng)航企業(yè)研發(fā)深耕計(jì)劃（大A+），提出DRAM先進(jìn)技術(shù)暨高帶寬存儲(chǔ)器研發(fā)領(lǐng)航計(jì)劃，在中國(guó)臺(tái)灣設(shè)立第一個(gè)研發(fā)中心，獲補(bǔ)助47億元新臺(tái)幣，將研發(fā)先進(jìn)制程落腳在中國(guó)臺(tái)灣生產(chǎn)。2021年，美光在中國(guó)臺(tái)灣申請(qǐng)
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