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英偉達、臺積電和 SK 海力士深化三角聯(lián)盟：HBM4 內存2026年量產(chǎn)

  • 7 月 13 日消息，韓媒 businesskorea 報道，英偉達、臺積電和 SK 海力士將組建“三角聯(lián)盟”，為迎接 AI 時代共同推進 HBM4 等下一代技術。SEMI 計劃今年 9 月 4 日舉辦 SEMICON 活動（其影響力可以認為是半導體行業(yè)的 CES 大展），包括臺積電在內的 1000 多家公司將展示最新的半導體設備和技術，促進了合作與創(chuàng)新。預計這次會議的主要焦點是下一代 HBM，特別是革命性的 HBM4 內存，它將開啟市場的新紀元。IT之家援引該媒體報道，SK 海力士總裁 Kim Joo-
  • 關鍵字： 英偉達  臺積電  SK  海力士深  HBM4  內存  

信越推出新型半導體后端制造設備，可無需中介層實現(xiàn) HBM 內存 2.5D 集成

  • IT之家 7 月 11 日消息，日本信越化學 6 月 12 日宣布開發(fā)出新型半導體后端制造設備，可直接在封裝基板上構建符合 2.5D 先進封裝集成需求的電路圖案?！?nbsp;蝕刻圖案這意味著可在 HBM 內存集成工藝中完全省略昂貴的中介層（Interposer），在大大降低生產(chǎn)成本的同時也縮短了先進封裝流程?！?nbsp;2.5D 集成結構對比信越表示，該新型后端設備采用準分子激光器蝕刻布線，無需光刻工藝就能批量形成大面積的復雜電路圖案，達到了傳統(tǒng)制造路線無法企及的精細度。結合信越化學開發(fā)的光
  • 關鍵字： 信越化學  HBM  先進封裝  

高速運算平臺內存爭霸 AI應用推升內存需求

  • 在不同AI運算領域中，依照市場等級的需要，大致上可以分成三種，一種是作為高性能運算中心的人工智能、機器學習與圖形處理的超高速運算與傳輸需求；一種是一般企業(yè)的AI服務器、一般計算機與筆電的演算應用；另一種是一般消費電子如手機、特殊應用裝置或其它邊緣運算的應用。現(xiàn)階段三種等級的應用，所搭配的內存也會有所不同，等級越高內存的性能要求越高，業(yè)者要進入的門坎也越高。不過因為各類AI應用的市場需求龐大，各種內存的競爭也異常的激烈，不斷地開發(fā)更新產(chǎn)品，降低成本，企圖向上向下擴大應用，所以只有隨時保持容量、速度與可靠度的
  • 關鍵字： 高速運算平臺  內存  AI  內存需求  

從應用端看各類內存的機會與挑戰(zhàn) 跨領域新市場逐漸興起

  • 內存是現(xiàn)代電子產(chǎn)品不可或缺的組件，隨著科技的進步，內存的容量、速度、功耗等特性也不斷提升，為各種應用帶來了新的機遇和挑戰(zhàn)。本文將從應用端出發(fā)，探討各類內存的機會與挑戰(zhàn)。動態(tài)隨機存取內存（DRAM）DRAM是當前計算器系統(tǒng)中最常見的主存儲器技術，具備高速讀寫和相對較低的成本。它廣泛應用于PC、服務器、移動設備和游戲機中。隨著人工智能和大數(shù)據(jù)應用的興起，DRAM的需求持續(xù)增長，尤其是在需要高速數(shù)據(jù)處理和低延遲的應用場景。DRAM的主要挑戰(zhàn)在于其揮發(fā)性和功耗問題。DRAM需要持續(xù)供電以維持數(shù)據(jù)，這限制了其在移動
  • 關鍵字： 應用端  內存  

全球三大廠HBM沖擴產(chǎn) 明年倍增

  • AI應用熱！SK海力士、三星及美光等全球前三大內存廠，積極投入高帶寬內存（HBM）產(chǎn)能擴充計劃，市場人士估計，2025年新增投片量約27.6萬片，總產(chǎn)能拉高至54萬片，年增105％。 HBM是AI芯片占比最高的零組件，根據(jù)外媒拆解，英偉達H100近3,000美元成本，SK海力士HBM成本就占2,000美元，超過生產(chǎn)封裝。HBM經(jīng)歷多次迭代發(fā)展，進入第四代HBM3和第五代HBM3E，AI芯片相繼采用HBM3E，SK海力士在2023年基本上是壟斷HBM3市場，而2024年HBM3與HBM3E訂單都滿載。美光2
  • 關鍵字： SK海力士  三星  美光  HBM  

內存制造技術再創(chuàng)新，大廠新招數(shù)呼之欲出

  • 制造HBM難，制造3D DRAM更難。
  • 關鍵字： HBM  3D DRAM  

三星Q2營利暴增15倍 遠超外界預期

  • 韓國三星電子表示，因人工智能AI需求暢旺，內存芯片的售價因此也水漲船高，上季營業(yè)利益可望飆升約15倍，比路透社4日報導的預估值13倍還要多。這家全球最大內存芯片制造商預估，集團整體第2季營利為10.4兆韓元，約75億美元，年增1,452.2%。同時，營收也大增23.3%，達74兆韓元。不過，三星這次并沒有揭露凈利數(shù)字。 4到6月這1季，是三星自2022年第3季曾創(chuàng)下營業(yè)利益高達10.8兆韓元以后，全集團營利再次沖高到10兆韓元以上。另外，三星第2季的營利，也比自己2023年一整年的6.5兆韓元要高出不少。
  • 關鍵字： 三星  內存  

三星HBM芯片據(jù)稱通過英偉達測試

  • 財聯(lián)社7月4日電，韓國媒體NewDaily報道稱，三星電子的HBM3e芯片通過了英偉達的產(chǎn)品測試，三星將很快就大規(guī)模生產(chǎn)HBM并供應給英偉達一事展開談判。
  • 關鍵字： 三星  HBM  芯片  英偉達  測試  

HBM、先進封裝利好硅晶圓發(fā)展

  • 隨著人工智能技術快速發(fā)展，AI芯片需求正急劇上升，推動先進封裝以及HBM技術不斷提升，硅晶圓產(chǎn)業(yè)有望從中受益。近期，環(huán)球晶董事長徐秀蘭對外透露，AI所需的HBM內存芯片，比如HBM3以及未來的HBM4，都需要在裸片（die）上做堆疊，層數(shù)從12層到16層增加，同時結構下面還需要有一層基底的晶圓，這增加了硅晶圓的使用量。此前，媒體報道，AI浪潮之下全球HBM嚴重供不應求，原廠今明兩年HBM產(chǎn)能售罄，正持續(xù)增加資本投資，擴產(chǎn)HBM。據(jù)業(yè)界透露，相較于同容量、同制程的DDR5等內存技術，HBM高帶寬存儲芯片晶圓
  • 關鍵字： HBM  先進封裝  硅晶圓  

什么是GDDR7內存——有關即將推出的圖形VRAM技術

  • 什么是 GDDR7 內存？它是用于 GPU 的下一代圖形內存，例如即將推出的 Nvidia Blackwell RTX 50 系列。它將在未來幾年內用于各種產(chǎn)品，為現(xiàn)有的 GDDR6 和 GDDR6X 解決方案提供代際升級，從而提高游戲和其他類型的工作負載的性能。但這個名字下面還有很多事情要做。自從第二代GDDR內存（用于“圖形雙倍數(shù)據(jù)速率”）推出以來，這種模式就非常清晰。GDDR（前身為 DDR SGRAM）早在 1998 年就問世了，每隔幾年就會有新的迭代到來，擁有更高的速度和帶寬。當前一代
  • 關鍵字： GDDR7  內存  圖形VRAM  美光  三星  

美光預計愛達荷州、紐約州新晶圓廠分別于 2027、2028 財年投運

  • IT之家 6 月 28 日消息，美光在業(yè)績演示文稿中表示，其位于美國愛達荷州博伊西總部和紐約州克萊的新 DRAM 內存晶圓廠將分別于 2027、2028 財年正式投運：譯文：愛達荷州晶圓廠要到 2027 財年才會帶來有意義的位元供應，而紐約（州）的建設資本支出預計要到 2028 財年或更晚才會帶來位元供應的增長。原文：This Idaho fab will not contribute to meaningful bit supply until fiscal 2027 and the New
  • 關鍵字： 美光  內存  晶圓廠  

三星 Q3內存喊漲15～20％

  • 據(jù)韓媒報導，隨著AI應用熱度不減，三星電子日前告知戴爾、慧與（HPE）等主要客戶，將在第三季提高服務器用的DRAM和企業(yè)級NAND閃存的價格15～20％。   臺系內存模塊大廠聞訊分析，三星此舉主要趁著第三季電子產(chǎn)業(yè)旺季來臨前率先喊漲，以期拉抬目前略顯疲軟的現(xiàn)貨價行情，但合約價實際成交價格，仍需視市場供需而定。以位產(chǎn)出市占率來看，2023年三星于全球DRAM及NAND Flash比重，分別是46.8％及32.4％，皆居全球之冠。根據(jù)外電報導指出，三星電子第二季已將供應給企業(yè)的NAND閃存價格，調
  • 關鍵字： 三星  內存  

HBM之后存儲器市場掀起新風暴

  • AI人工智能應用持續(xù)推動存儲器市場前行，其中HBM（高帶寬內存）是當之無愧的“寵兒”，不斷吸引存儲器廠商加大資本支出與擴產(chǎn)。與此同時，存儲器市場新的力量已經(jīng)悄然形成，GDDR7有望接過HBM大棒，在AI浪潮下繼續(xù)推動存儲器市場穩(wěn)步向前。GDDR7與HBM的差異GDDR7與HBM同屬于圖形DRAM，二者均具備高帶寬和高速數(shù)據(jù)傳輸能力，可為AI計算提供強大支持，不過GDDR7與HBM在技術、應用場景與性能表現(xiàn)方面略有不同。GDDR7主要用于增強GPU的可用帶寬和內存容量，是GDDR家族的最新一代技術。今年3月
  • 關鍵字： HBM  存儲器  

HBM供應吃緊催生DRAM漲價 美光股價飆漲

  • 內存大廠美光預計6月26日公布季報，自美光的高帶寬內存（HBM）開始供貨給輝達后，已化身為AI明星股，年初至今，美光股價大漲近七成，市值大增636.26億美元，至1,545.22億美元。 市場分析師預期，美光經(jīng)營層將大談需求改善、行業(yè)供應緊張、價格進一步上揚，以及他們供應給輝達和其他AI芯片廠商的HBM，下一世代的發(fā)展，提出對后市正向的看法。由于AI應用的需求，人們對DRAM、HBM的興趣與日俱增，且內存市場通常存在「FOMO」（Fear of missing out）現(xiàn)象，意思是「害怕錯失機會」，在美光
  • 關鍵字： HBM  DRAM  美光  

HBM產(chǎn)能緊 美光傳大舉擴產(chǎn)

  • 在人工智能（AI）熱潮席卷全球下，帶動市場對于高帶寬內存（HBM）需求大幅增長，造成產(chǎn)能緊張。知情者透露，美國內存芯片大廠美光（Micron）為掌握更多HBM產(chǎn)量，正在美國打造多條測試生產(chǎn)線以求擴大產(chǎn)能，并首度考慮在馬來西亞生產(chǎn)HBM，同時擴大在臺中的產(chǎn)能。 日本經(jīng)濟新聞20日報導，美光今年6月初曾經(jīng)表示目標在2025年底，把其HBM市占率大幅提升至目前的逾3倍，達到25％附近，這跟其目前在全球DRAM市占率差不多，美光正積極要在HBM領域追上韓國SK海力士與三星電子。知情者表示，美光正擴大其愛達荷州博伊
  • 關鍵字： HBM  美光  
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