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江波龍聯(lián)合多家知名廠商發(fā)起內(nèi)存質(zhì)量聯(lián)盟，促進(jìn)算力產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展

?11月8日，2024存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)研討會(huì) (Memory Trend Seminar 2024，以下簡(jiǎn)稱“MTS”）在深圳盛大舉行，眾多行業(yè)專家、企業(yè)代表及媒體代表齊聚深圳，共同探討未來(lái)存儲(chǔ)技術(shù)的發(fā)展和趨勢(shì)。? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?
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市況好轉(zhuǎn) 內(nèi)存廠Q3獲利嗨

NAND Flash現(xiàn)貨價(jià)于8月中旬反彈，DRAM價(jià)格也在9月開(kāi)始回升，內(nèi)存市況確立好轉(zhuǎn)，帶動(dòng)內(nèi)存族群獲利能力普遍呈現(xiàn)攀升。觀察第三季內(nèi)存族群財(cái)報(bào)，內(nèi)存制造大廠包括南亞科、旺宏及華邦電仍呈小幅虧損；內(nèi)存模塊廠創(chuàng)見(jiàn)、威剛、廣穎、品安、宇瞻單季每股稅后純益（EPS）皆有1元以上，宜鼎及群聯(lián)單季EPS更分別有3、4元以上亮眼成績(jī)。另從毛利率、營(yíng)利率及稅后純益率三大財(cái)務(wù)指標(biāo)來(lái)看，第三季財(cái)報(bào)數(shù)字呈現(xiàn)「三率三升」的內(nèi)存廠商，則有創(chuàng)見(jiàn)、威剛、十銓、廣穎、宜鼎、品安，財(cái)務(wù)成績(jī)表現(xiàn)亮眼。此外，威剛14日公告10月自結(jié)財(cái)務(wù)數(shù)
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三星、美光大動(dòng)作，擴(kuò)產(chǎn)HBM

存儲(chǔ)市場(chǎng)消費(fèi)電子應(yīng)用疲軟的環(huán)境下，HBM成為發(fā)展新動(dòng)能，備受大廠重視。近期，三星、美光傳出將擴(kuò)產(chǎn)HBM的消息。大廠積極布局HBM近期，媒體報(bào)道三星為了擴(kuò)大HBM產(chǎn)能，已收購(gòu)三星顯示（Samsung Display）韓國(guó)天安廠區(qū)內(nèi)部分建筑及設(shè)備，用于HBM生產(chǎn)。據(jù)悉，三星計(jì)劃在天安廠建立一條新封裝線，用于大規(guī)模生產(chǎn)HBM，該公司已花費(fèi)105億韓元購(gòu)買上述建筑和設(shè)備等，預(yù)計(jì)追加投資7000億-1萬(wàn)億韓元。此前，據(jù)三星電子副社長(zhǎng)、DRAM產(chǎn)品與技術(shù)團(tuán)隊(duì)負(fù)責(zé)人黃尚俊透露，三星已開(kāi)發(fā)出9.8Gbps的H
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美光科技宣布推出32Gb單片芯片128GB DDR5 RDIMM內(nèi)存

當(dāng)?shù)貢r(shí)間11月9日，存儲(chǔ)大廠美光科技宣布推出32Gb單片芯片128GB DDR5 RDIMM內(nèi)存，速度高達(dá)8000MT/s，可支持當(dāng)前和未來(lái)的數(shù)據(jù)中心工作負(fù)載。據(jù)美光介紹，該產(chǎn)品采用美光1β(1-beta)技術(shù)，與競(jìng)爭(zhēng)性3DS硅通孔(TSV)產(chǎn)品相比，位密度提高45%以上、能源效率提高高達(dá)24%、延遲降低高達(dá)16%、AI訓(xùn)練性能提升高達(dá)28%。該產(chǎn)品旨在滿足數(shù)據(jù)中心和云環(huán)境中各種關(guān)鍵任務(wù)應(yīng)用程序的性能和數(shù)據(jù)處理需求，包括人工智能(AI)、存儲(chǔ)數(shù)據(jù)庫(kù)(IMDB)）以及多線程、多核計(jì)數(shù)一般計(jì)算工作負(fù)載的高效處
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消息稱三星電子將從明年 1 月開(kāi)始向英偉達(dá)供應(yīng) HBM3 內(nèi)存，此前已向 AMD 供貨

IT之家 11 月 13 日消息，韓國(guó)日?qǐng)?bào)稱，三星電子打破了 SK 海力士為 NVIDIA 獨(dú)家供應(yīng) HBM 3 的局面，該公司計(jì)劃從明年 1 月開(kāi)始向英偉達(dá)提供 HBM3。有分析師預(yù)測(cè)稱，今年以來(lái)一直低迷的三星電子半導(dǎo)體業(yè)務(wù)業(yè)績(jī)將在明年迅速?gòu)?fù)蘇。一些猜測(cè)認(rèn)為，三星電子可能會(huì)在明年下半年在 HBM 市場(chǎng)份額上超過(guò) SK 海力士。此前，三星電子已成功向美國(guó) AMD 供應(yīng) HBM3 內(nèi)存，但由于 AMD 在該市場(chǎng)的主導(dǎo)地位并不大，因此據(jù)說(shuō)供應(yīng)有限。市場(chǎng)研究公司 Trend Force 預(yù)測(cè)，SK 海
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HBM 的未來(lái)是光速 - 集成光子學(xué)的未來(lái)設(shè)計(jì)

HBM 的未來(lái)不僅是光明的：它還具有光速、超帶寬和超低功耗。在今年的開(kāi)放計(jì)算項(xiàng)目 (OCP) 全球峰會(huì)上，三星先進(jìn)封裝團(tuán)隊(duì) Yan Li 向我們展示了一個(gè)比我們想象的更加集成的未來(lái)：隨著高帶寬內(nèi)存 (HBM) 的進(jìn)一步發(fā)展，熱和晶體管密度問(wèn)題可能會(huì)得到解決。通過(guò)光子學(xué)來(lái)解決。光子學(xué)基于一種可以對(duì)單個(gè)光子（光的粒子/波）信息進(jìn)行編碼的技術(shù)，這意味著它改善了（幾乎）我們當(dāng)前計(jì)算環(huán)境中我們關(guān)心的一切。功耗大幅降低（發(fā)射的是光粒子而不是電子流），處理速度也得到提高（延遲達(dá)到飛秒級(jí)，傳播速度接近光
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三星、美光計(jì)劃擴(kuò)大HBM產(chǎn)能

在消費(fèi)級(jí)存儲(chǔ)市場(chǎng)低迷的背景下，高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）技術(shù)已成為新的驅(qū)動(dòng)力，最新報(bào)告指出三星和美光兩家公司正積極籌備擴(kuò)張HBM DRAM 。三星耗資105億韓元，收購(gòu)了三星顯示位于韓國(guó)天安市的某些工廠和設(shè)備，以擴(kuò)大HBM產(chǎn)能。三星還計(jì)劃再投資7000億至1萬(wàn)億韓元，用于新建新的封裝線。此前報(bào)道，三星副總裁兼DRAM產(chǎn)品和技術(shù)團(tuán)隊(duì)負(fù)責(zé)人Hwang Sang-jun先生透露，三星已開(kāi)發(fā)出速度為9.8Gbps的HBM3E，并計(jì)劃開(kāi)始向客戶提供樣品。同時(shí)，三星還正在開(kāi)發(fā)HBM4的各種技術(shù)，包括針對(duì)高溫?zé)崽匦院突旌湘I
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抓住 AI 大趨勢(shì)，三星、美光積極籌備 HBM 擴(kuò)建計(jì)劃

IT之家 11 月 8 日消息，在消費(fèi)級(jí)存儲(chǔ)市場(chǎng)低迷的背景下，高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）技術(shù)已成為新的驅(qū)動(dòng)力，最新報(bào)告指出三星和美光兩家公司正積極籌備擴(kuò)張 HBM DRAM。圖源：三星最新報(bào)道稱三星電子耗資 105 億韓元，收購(gòu)了三星顯示位于韓國(guó)天安市的某些工廠和設(shè)備，以擴(kuò)大 HBM 產(chǎn)能。三星電子還計(jì)劃再投資 7000 億至 1 萬(wàn)億韓元，用于新建新的封裝線。IT之家此前報(bào)道，三星電子副總裁兼 DRAM 產(chǎn)品和技術(shù)團(tuán)隊(duì)負(fù)責(zé)人 Hwang Sang-jun 先生透露，三星已開(kāi)發(fā)出速度為 9.8Gbp
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不負(fù)期待：與美光相約2023進(jìn)博會(huì)

不負(fù)期待?與美光相約2023進(jìn)博會(huì)2023年11月5日，第六屆中國(guó)國(guó)際進(jìn)口博覽會(huì)正式開(kāi)幕，吸引了來(lái)自世界各地的企業(yè)參展。其中，美光首次亮相進(jìn)博會(huì)，為業(yè)界帶來(lái)了一系列創(chuàng)新的內(nèi)存和存儲(chǔ)產(chǎn)品及解決方案，并展示了其為賦能數(shù)據(jù)經(jīng)濟(jì)發(fā)展，推動(dòng)人工智能和5G應(yīng)用進(jìn)步所付出的不懈努力。深入存儲(chǔ)四大應(yīng)用領(lǐng)域美光的展位以“深耕存儲(chǔ)領(lǐng)域，賦能數(shù)字中國(guó)”為主題，向觀眾展示了一系列高性能內(nèi)存和存儲(chǔ)產(chǎn)品。展臺(tái)劃分為數(shù)據(jù)中心、汽車與智能邊緣領(lǐng)域、移動(dòng)設(shè)備以及PC客戶端四大應(yīng)用領(lǐng)域，最新的產(chǎn)品和解決方案令人印象深刻。這些創(chuàng)新的
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SK 海力士第三季度虧損大幅收窄，人工智能芯片成救命稻草

IT之家?10 月 26 日消息，全球第二大內(nèi)存芯片制造商 SK 海力士公司表示，人工智能的熱潮將推動(dòng)芯片利潤(rùn)增長(zhǎng)，該公司在第三季度的虧損比上一季度大幅縮小。該公司在周四表示，用于人工智能的高級(jí)芯片的強(qiáng)勁需求，緩解了由于智能手機(jī)和電腦等設(shè)備中使用的普通芯片需求持續(xù)低迷而造成的影響。SK 海力士表示，其銷售用于科技設(shè)備的 DRAM 芯片的業(yè)務(wù)，在第三季度重新盈利，而今年前兩個(gè)季度都是虧損的。該芯片制造商在一份聲明中說(shuō)：“DRAM 業(yè)務(wù)…… 預(yù)計(jì)隨著生成型人工智能的繁榮而繼續(xù)改善。仍然虧損的 NAN
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美光推出 1β DDR5 DRAM：7200 MT/s、性能比前代提升 50%

IT之家 10 月 11 日消息，美光公司今天發(fā)布新聞稿，進(jìn)一步擴(kuò)展了 1β（1-beta）工藝節(jié)點(diǎn)技術(shù)，推出 16Gb DDR5 內(nèi)存。美光演示的 1β DDR5 DRAM 目前已經(jīng)開(kāi)始向數(shù)據(jù)中心和 PC 用戶提供，峰值速度可以達(dá)到 7200 MT/s。這款新型 DDR5 內(nèi)存采用先進(jìn)的 high-k CMOS 器件技術(shù)，4 相時(shí)鐘和時(shí)鐘同步（clock-sync）1，相比較上一代性能提高 50%，每瓦性能提高了 33%。全新 1β DDR5 DRAM 產(chǎn)品線提供 4,800 MT/s 至 7
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明年，DDR5內(nèi)存或?qū)⒊蔀橹髁?/a>

據(jù)媒體引述內(nèi)存模組制造商表示，主要半導(dǎo)體制造商正在增加DDR5內(nèi)存的可用容量，該內(nèi)存預(yù)計(jì)將在2024年成為主流。預(yù)計(jì)到2023年底，他們的DDR5內(nèi)存bit銷售額合計(jì)將占bit銷售額總額的30-40%。DDR5是第5代雙倍數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存，又稱DDR5 SDRAM。相比DDR4，DDR5在帶寬，頻率上優(yōu)勢(shì)都是非常明顯的。今年來(lái)，DDR5的動(dòng)態(tài)頻繁傳來(lái)：三星方面，該公司于今年5月量產(chǎn)12納米級(jí)16Gb DDR5 DRAM，于9月已成功開(kāi)發(fā)12nm級(jí)32Gb DDR5 DRAM。三星表示，全新12

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有選擇的后摩爾堆疊時(shí)代

臺(tái)積電、英特爾等大廠近年來(lái)不斷加大對(duì)異構(gòu)集成制造及相關(guān)研發(fā)的投入。隨著 AIGC、8K、AR/MR 等應(yīng)用的不斷發(fā)展，3D IC 堆疊和 chiplet 異構(gòu)集成已成為滿足未來(lái)高性能計(jì)算需求、延續(xù)摩爾定律的主要解決方案。不久前，華為公布了一項(xiàng)芯片堆疊技術(shù)的新專利，顯示了該公司在芯片技術(shù)領(lǐng)域的創(chuàng)新實(shí)力。這項(xiàng)專利提供了一種簡(jiǎn)化芯片堆疊結(jié)構(gòu)制備工藝的方法，有望解決芯片堆疊過(guò)程中的各種技術(shù)難題。堆疊技術(shù)可以提高芯片的效率，并更好地利用可用空間，進(jìn)一步推動(dòng)芯片技術(shù)的進(jìn)步。盡管目前該專利與將兩個(gè) 14nm 芯片堆疊成
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三星推出其首個(gè)LPCAMM內(nèi)存解決方案開(kāi)啟內(nèi)存模組新未來(lái)

三星電子宣布已開(kāi)發(fā)出其首款 7.5Gbps（千兆字節(jié)每秒）低功耗壓縮附加內(nèi)存模組（LPCAMM）形態(tài)規(guī)格，這有望改變個(gè)人計(jì)算機(jī)和筆記本電腦的 DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）市場(chǎng)，甚至改變數(shù)據(jù)中心的DRAM市場(chǎng)。三星的突破性研發(fā)成果已在英特爾平臺(tái)上完成了系統(tǒng)驗(yàn)證。三星LPCAMM內(nèi)存模組結(jié)構(gòu)示意圖截至目前，個(gè)人計(jì)算機(jī)和筆記本電腦都在使用傳統(tǒng)的 LPDDR DRAM 或基于 DDR 的 So-DIMM（小型雙重內(nèi)嵌式內(nèi)存模組）。然而受結(jié)構(gòu)限制，LPDDR需要被直接安裝在設(shè)備的主板上，導(dǎo)致其在維修
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消息稱三星和 SK 海力士改進(jìn) HBM 封裝工藝，即將量產(chǎn) 12 層產(chǎn)品

IT之家 9 月 12 日消息，根據(jù)韓國(guó) The Elec 報(bào)道，三星電子和 SK 海力士?jī)杉夜炯铀偻七M(jìn) 12 層 HBM 內(nèi)存量產(chǎn)。生成式 AI 的爆火帶動(dòng)英偉達(dá)加速卡的需求之外，也帶動(dòng)了對(duì)高容量存儲(chǔ)器（HBM）的需求。HBM 堆疊的層數(shù)越多，處理數(shù)據(jù)的能力就越強(qiáng)，目前主流 HBM 堆疊 8 層，而下一代 12 層也即將開(kāi)始量產(chǎn)。報(bào)道稱 HBM 堆疊目前主要使用正使用熱壓粘合（TCB）和批量回流焊（MR）工藝，而最新消息稱三星和 SK 海力士正在推進(jìn)名為混合鍵合（Hybrid Bonding
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