hbm 內(nèi)存文章進(jìn)入hbm 內(nèi)存技術(shù)社區(qū)

要漲價(jià)？?jī)?nèi)存、閃存同時(shí)需求大漲

這兩年，DRAM內(nèi)存芯片、NAND閃存芯片都需求疲軟，導(dǎo)致價(jià)格持續(xù)處于地位，內(nèi)存、SSD硬盤(pán)產(chǎn)品也越來(lái)越便宜。不過(guò)，這種好日子似乎要結(jié)束了。根據(jù)集邦咨詢(xún)最新研究報(bào)告，預(yù)計(jì)在2024年，內(nèi)存、閃存原廠仍然會(huì)延續(xù)減產(chǎn)策略，尤其是虧損嚴(yán)重的閃存，但與此同時(shí)，至少在2024年上半年，消費(fèi)電子市場(chǎng)需求仍不明朗，服務(wù)器需求相對(duì)疲弱。由于內(nèi)存、閃存市場(chǎng)在2023年已經(jīng)處于低谷，價(jià)格也來(lái)到相對(duì)低點(diǎn)，因此預(yù)計(jì)在2024年，內(nèi)存、閃存芯片的市場(chǎng)需求將分別大漲13.0％、16.0％，相比今年高出大約6.5個(gè)、5.0
關(guān)鍵字：內(nèi)存閃存

HBM：高帶寬內(nèi)存吸引各大科技巨頭搶購(gòu)的“魔力”到底是什么？

由于各大企業(yè)對(duì)布局AI領(lǐng)域的興趣激增，同時(shí)，SK海力士在用于生成式AI領(lǐng)域的高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）DRAM方面處于市場(chǎng)領(lǐng)先地位，其二季度用于AI領(lǐng)域的高性能DRAM銷(xiāo)售增長(zhǎng)強(qiáng)勁，對(duì)高端DRAM的需求增長(zhǎng)了一倍多。繼英偉達(dá)之后，全球多個(gè)科技巨頭都在競(jìng)購(gòu)SK海力士的第五代高帶寬內(nèi)存HBM3，包括AMD、微軟和亞馬遜等等。
關(guān)鍵字： HBM 高帶寬內(nèi)存海力士三星美光

大模型市場(chǎng)，不止帶火HBM

近日，HBM 成為芯片行業(yè)的火熱話(huà)題。據(jù) TrendForce 預(yù)測(cè)，2023 年高帶寬內(nèi)存（HBM）比特量預(yù)計(jì)將達(dá)到 2.9 億 GB，同比增長(zhǎng)約 60%，2024 年預(yù)計(jì)將進(jìn)一步增長(zhǎng) 30%。2008 年被 AMD 提出的 HBM 內(nèi)存概念，在 2013 年被 SK 海力士通過(guò) TSV 技術(shù)得以實(shí)現(xiàn)，問(wèn)世 10 年后 HBM 似乎真的來(lái)到了大規(guī)模商業(yè)化的時(shí)代。HBM 的概念的起飛與 AIGC 的火爆有直接關(guān)系。AI 服務(wù)器對(duì)帶寬提出了更高的要求，與 DDR SDRAM 相比，HBM 具有更高的帶寬和更
關(guān)鍵字： HBM ChatGPT AI

Intel傲騰內(nèi)存死而不僵：再活3個(gè)月

2022年9月底，Intel宣布徹底終結(jié)Optane傲騰業(yè)務(wù)，包括SSD固態(tài)硬盤(pán)、PMem持久內(nèi)存兩大產(chǎn)品線(xiàn)，但是現(xiàn)在，傲騰內(nèi)存還要再掙扎一下。Intel原計(jì)劃在今年9月30日之后停止出貨傲騰持久內(nèi)存100系列，但是現(xiàn)在，Intel將截止期限延長(zhǎng)到了12月29日，多供貨3個(gè)月。同時(shí)，Intel建議客戶(hù)，按照0.44％的年故障率備足存貨，以備不時(shí)之需。不過(guò)，Intel并未解釋延長(zhǎng)出貨期限的原因，不知道是客戶(hù)仍有需求，還是庫(kù)存太多清不完？傲騰持久內(nèi)存的地位介于傳統(tǒng)DIMM內(nèi)存、傲騰SSD之間，將數(shù)據(jù)比特保存在
關(guān)鍵字：英特爾 Intel 傲騰 SSD PMem 內(nèi)存

AI及HPC需求帶動(dòng)對(duì)HBM需求容量將年增近60%

為解決高速運(yùn)算下，存儲(chǔ)器傳輸速率受限于DDR SDRAM帶寬而無(wú)法同步成長(zhǎng)的問(wèn)題，高帶寬存儲(chǔ)器（High Bandwidth Memory，HBM）應(yīng)運(yùn)而生，其革命性傳輸效率是讓核心運(yùn)算元件充分發(fā)揮效能的關(guān)鍵。據(jù)TrendForce集邦咨詢(xún)研究顯示，目前高端AI服務(wù)器GPU搭載HBM已成主流，預(yù)估2023年全球HBM需求量將年增近六成，來(lái)到2.9億GB ，2024年將再成長(zhǎng)三成。TrendForce集邦咨詢(xún)預(yù)估到2025年，全球若以等同ChatGPT的超大型AIGC產(chǎn)品5款、Midjourney的
關(guān)鍵字： AI HPC HBM TrendForce

三星將于今年下半年開(kāi)始批量生產(chǎn)HBM芯片

AI服務(wù)器需求，帶動(dòng)HBM提升，繼HanmiSemiconductor之后，又有一存儲(chǔ)大廠在加速HBM布局。據(jù)韓媒《TheKoreaTimes》6月27日?qǐng)?bào)道，三星電子將于今年下半年開(kāi)始批量生產(chǎn)高帶寬內(nèi)存（HBM）芯片，以滿(mǎn)足持續(xù)增長(zhǎng)的人工智能（AI）市場(chǎng)。根據(jù)報(bào)道，三星將量產(chǎn)16GB、24GB的HBM3存儲(chǔ)芯片，這些產(chǎn)品數(shù)據(jù)處理速度可達(dá)到6.4Gbps，有助于提高服務(wù)器的學(xué)習(xí)計(jì)算速度。三星執(zhí)行副總裁Kim Jae-joon在4月份的電話(huà)會(huì)議上表示，該公司計(jì)劃在今年下半年推出下一代HBM3P產(chǎn)品，以滿(mǎn)
關(guān)鍵字：三星 HBM

AI大勢(shì)！GPU訂單排到明年、HBM與先進(jìn)封裝需求大漲

2023年ChatGPT引發(fā)的AI熱潮仍在繼續(xù)，近期媒體報(bào)道，今年擁有云端相關(guān)業(yè)務(wù)的企業(yè)，大多都向英偉達(dá)采購(gòu)了大量GPU，目前該公司訂單已排至2024年。同時(shí)，由于英偉達(dá)大量急單涌入，晶圓代工企業(yè)臺(tái)積電也從中受益。據(jù)悉，英偉達(dá)正向臺(tái)積電緊急追單，這也令臺(tái)積電5納米制程產(chǎn)能利用率推高至接近滿(mǎn)載。臺(tái)積電正以超級(jí)急件（superhotrun）生產(chǎn)英偉達(dá)H100、A100等產(chǎn)品，而且訂單排至年底。業(yè)界認(rèn)為，隨著ChatGPT等AIGC（生成式人工智能）快速發(fā)展，未來(lái)市場(chǎng)對(duì)GPU的需求將不斷上升，并將帶動(dòng)HBM以及
關(guān)鍵字： AI GPU HBM 先進(jìn)封裝

英特爾至強(qiáng)CPU Max系列：整合高帶寬內(nèi)存（HBM）和至強(qiáng)處理器內(nèi)核

治療癌癥、減緩全球變暖、保護(hù)生態(tài)健康——當(dāng)今世界充滿(mǎn)了各種挑戰(zhàn)。因此，通過(guò)科技緊跟時(shí)代發(fā)展步伐，并充分利用不斷增長(zhǎng)的數(shù)據(jù)至關(guān)重要。這不僅涉及數(shù)據(jù)的處理速度，也涉及能夠處理的海量數(shù)據(jù)，以及數(shù)據(jù)在內(nèi)存和處理器之間的傳輸速度。英特爾設(shè)計(jì)工程部首席工程師、英特爾?至強(qiáng)? CPU Max系列（代號(hào)Sapphire Rapids HBM）首席架構(gòu)師Ugonna Echeruo如此描述這一挑戰(zhàn)：究其根本，一顆CPU是從內(nèi)存獲取信息、對(duì)其進(jìn)行處理并更新。CPU最終可以處理的信息量受限于數(shù)據(jù)傳輸“管道”的寬窄。
關(guān)鍵字：英特爾至強(qiáng)CPU 高帶寬內(nèi)存 HBM 至強(qiáng)處理器內(nèi)核

RAM 是如何工作的？

計(jì)算機(jī)關(guān)閉時(shí)，RAM 中存儲(chǔ)的信息會(huì)丟失，而長(zhǎng)期存儲(chǔ)設(shè)備（SSD 或 HDD）中的數(shù)據(jù)會(huì)保留。
關(guān)鍵字： RAM 內(nèi)存

2023 年全球半導(dǎo)體收入將下降 11%

經(jīng)濟(jì)逆風(fēng)持續(xù)。
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體內(nèi)存

AI服務(wù)器需求帶動(dòng)HBM供應(yīng)

AI服務(wù)器出貨動(dòng)能強(qiáng)勁帶動(dòng)HBM（high bandwidth memory）需求提升，據(jù)TrendForce集邦咨詢(xún)研究顯示，2022年三大原廠HBM市占率分別為SK海力士（SK hynix）50%、三星（Samsung）約40%、美光（Micron）約10%。此外，高階深度學(xué)習(xí)AI GPU的規(guī)格也刺激HBM產(chǎn)品更迭，2023下半年伴隨NVIDIA H100與AMD MI300的搭載，三大原廠也已規(guī)劃相對(duì)應(yīng)規(guī)格HBM3的量產(chǎn)。因此，在今年將有更多客戶(hù)導(dǎo)入HBM3的預(yù)期下，SK海力士作為目
關(guān)鍵字： AI服務(wù)器 HBM SK海力士

西部數(shù)據(jù)宣布進(jìn)一步削減生產(chǎn)和投資，NAND 晶圓產(chǎn)量將減少至 30%

IT之家 2 月 7 日消息，據(jù)韓媒 Business Korea 報(bào)道，在內(nèi)存半導(dǎo)體行業(yè)持續(xù)低迷的情況下，全球 NAND 閃存市場(chǎng)第四大公司西部數(shù)據(jù)宣布將進(jìn)一步縮減設(shè)備投資和生產(chǎn)。西部數(shù)據(jù) 1 月 31 日在 2022 年第四季度業(yè)績(jī)電話(huà)會(huì)議上表示，2023 財(cái)年設(shè)備投資總額將達(dá)到 23 億美元（當(dāng)前約 156.17 億元人民幣）。據(jù)IT之家了解，這一數(shù)字比 2022 年 10 月披露的 27 億美元（當(dāng)前約 183.33 億元人民幣）下降了 14.8%，與 2022 年 8 月公布
關(guān)鍵字： NAND 內(nèi)存西部數(shù)據(jù)

瀾起科技：計(jì)劃年內(nèi)完成 CKD 芯片量產(chǎn)版本研發(fā)并實(shí)現(xiàn)出貨

IT之家 2 月 6 日消息，據(jù)瀾起科技披露的投資者關(guān)系活動(dòng)記錄，瀾起科技近日在接受機(jī)構(gòu)調(diào)研時(shí)表示，公司 2022 年 9 月宣布在業(yè)界率先推出 DDR5 第一子代時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器（簡(jiǎn)稱(chēng) CKD 芯片）工程樣片，并已送樣給業(yè)界主流內(nèi)存廠商，該產(chǎn)品將用于新一代臺(tái)式機(jī)和筆記本電腦內(nèi)存。據(jù)介紹，在 DDR5 初期，桌面端臺(tái)式機(jī)和筆記本電腦的 UDIMM、SODIMM 模組需要搭配一顆 PMIC 和一顆 SPD，暫不需要 CKD 芯片。當(dāng) DDR5 數(shù)據(jù)速率達(dá)到 6400MT / s 及以上時(shí)，PC 端內(nèi)存如
關(guān)鍵字：瀾起科技 CKD 芯片內(nèi)存

SK海力士研發(fā)全球最快內(nèi)存：超越DDR5-4800 80％！

SK海力士宣布，已經(jīng)研發(fā)出全新、全球最快的MCR DDR5 DIMM內(nèi)存，起步速率就可以達(dá)到8Gbps，相比于標(biāo)準(zhǔn)的DDR5-4800快了多達(dá)80％，也追平了DDR5內(nèi)存條的最高紀(jì)錄—— 芝奇剛剛發(fā)售DDR5-8000。這種新內(nèi)存由SK海力士聯(lián)合Intel、瑞薩共同研發(fā)，面向服務(wù)器領(lǐng)域。MCR全稱(chēng)“ Multiplexer Combined Ranks ”，多路復(fù)用器組合列的意思。它采用了Intel MCR技術(shù)，通過(guò)在DRAM內(nèi)存模組、CPU處理器之間加入特殊的
關(guān)鍵字： SK海力士 DDR5 DIMM 內(nèi)存

瀾起科技：DDR5 世代內(nèi)存模組配套芯片需求將大幅增加

IT之家 12 月 5 日消息，根據(jù)瀾起科技今日披露的投資者關(guān)系活動(dòng)記錄，瀾起科技在接受機(jī)構(gòu)調(diào)研時(shí)表示，隨著 DDR5 相關(guān)產(chǎn)品滲透率的穩(wěn)步提升，2022 年第三季度公司的內(nèi)存接口芯片和內(nèi)存模組配套芯片收入均有所增長(zhǎng)，從而推動(dòng)互連類(lèi)芯片產(chǎn)品線(xiàn)業(yè)務(wù)的增長(zhǎng)。據(jù)介紹，內(nèi)存接口及模組配套芯片的需求量和服務(wù)器內(nèi)存模組的數(shù)量呈正相關(guān)。行業(yè)對(duì)內(nèi)存容量的需求是持續(xù)增加的，為滿(mǎn)足內(nèi)存容量的增長(zhǎng)需求，主要通過(guò)兩種方式來(lái)實(shí)現(xiàn)，一是提升內(nèi)存顆粒密度，二是增加內(nèi)存模組數(shù)量。如果在一定時(shí)期內(nèi)存顆粒密度提升放緩，則內(nèi)存容量增
關(guān)鍵字：內(nèi)存 DDR5