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hbm 內(nèi)存 文章 進入hbm 內(nèi)存技術社區(qū)

南亞科宣布10nm級內(nèi)存完全自主開發(fā) DDR4/LPDDR4/DDR5齊發(fā)

  • 全球DRAM內(nèi)存芯片主要掌握在三星、SK海力士、美光三家公司中，他們的份額高達95%以上，關鍵原因就在于這三家的技術專利形成了極高的門檻，其他公司突圍起來很難。南亞科之前的內(nèi)存也是來自美光授權，今年他們將轉(zhuǎn)向自研的10nm級內(nèi)存，未來將自產(chǎn)DDR4/LPDDR4/DDR5等內(nèi)存顆粒。在美光前兩年全資收購華亞科之后，南亞科技變成了全球第四大內(nèi)存廠，不過份額只有2%左右，而且技術來源也主要是美光授權，而且技術落后較多，在三星、美光、SK海力士轉(zhuǎn)向1X、1Y、1Znm工藝之后，南亞的主力還是30nm等，來自美光
  • 關鍵字： 三星  美光  內(nèi)存  

美光出樣DDR5內(nèi)存：1Znm工藝、性能提升85%

  • 2020年AMD、Intel即將推出的新一代CPU處理器還會支持DDR4內(nèi)存，但是下一代DDR5內(nèi)存已經(jīng)近在眼前，2021年就會正式上市。今天美光宣布開始向客戶出樣最新的DDR5內(nèi)存，基于1Znm工藝，性能提升了85%。與DDR4內(nèi)存相比，DDR5標準性能更強，功耗更低，起步頻率至少4800MHz，最高6400MHz。其它變化還有，電壓從1.2V降低到1.1V，同時每通道32/40位（ECC）、總線效率提高、增加預取的Bank Group數(shù)量以改善性能等。美光現(xiàn)在出樣的DDR5內(nèi)存使用了最新的1Znm工藝
  • 關鍵字： 美光  內(nèi)存  DDR5  

三星工廠發(fā)生意外斷電：損失尚在評估、部分內(nèi)存/閃存產(chǎn)線需3天恢復

  • 本周三，三星電子對外確認，部分半導體芯片產(chǎn)線臨時停車，原因是1分鐘的突然斷電。事發(fā)地點位于三星華城工業(yè)園，波及到的多是DRAM和NAND芯片生產(chǎn)線。據(jù)悉，此次意外是因為當?shù)剌旊娋€纜問題造成，預計產(chǎn)能完全恢復需要2~3天時間。三星在聲明中稱，他們正全面檢查產(chǎn)線，全面評估受損程度。匿名消息人士透露，此次停車的損失在數(shù)百萬美元左右，算不上重大。有分析人士認為，此次停車將減少三星的芯片庫存，作為最大的存儲芯片制造上，會否帶來連鎖效應尚不得而知。尤其是最新多方消息預判，明年內(nèi)存、閃存、MLCC、液晶面板等諸多元器件
  • 關鍵字： 三星  內(nèi)存  閃存  

三星閃存、內(nèi)存晶圓廠遭遇停電 分析師：對清庫存是重大利好

  • 在內(nèi)存、閃存價格處于一個很敏感的拐點階段，三星在韓國華城的內(nèi)存及閃存工廠突然遭遇停電事故。對于這件事，大家很容易聯(lián)系到之前三星、海力士、東芝、美光等存儲芯片工廠遭遇的火災、停電、跳閘等事故，不少人會心一笑。調(diào)侃歸調(diào)侃，這次事件最大的問題在于三星損失多嚴重，對內(nèi)存閃存的影響有多大。官方表示，他們正全面檢查產(chǎn)線，全面評估受損程度。匿名消息人士透露，此次停車的損失在數(shù)百萬美元左右，算不上重大，而且只要2-3天就可以恢復正常。從目前的信息來看，三星認為事件影響不大，數(shù)百萬美元的損失意味著只有極少數(shù)的晶圓受到影響，
  • 關鍵字： 三星  內(nèi)存  閃存  

三星存儲工廠斷電停產(chǎn) 影響到底有多大？

  • 北京時間2020年1月1日消息，三星電子公司今天表示，在昨天下午發(fā)生大約一分鐘的斷電事故后，其華城芯片工廠的部分芯片生產(chǎn)已經(jīng)暫停。三星在一份聲明中表示，正在檢查生產(chǎn)線以備重新啟動，并正在評估造成的損失。需要指出的，這不是三星存儲工廠第一次出現(xiàn)停電事。根據(jù)資料顯示，在2018年3月，三星位于Pyeongtaek（平澤市）的NAND閃存工廠也曾出現(xiàn)過停電事故，雖然停電僅持續(xù)了半小時，但依然損壞了5000~6000片晶圓，是三星當月產(chǎn)量的11%，預計相當于3月份的全球供應的3.5%。事后，根據(jù)預計此次事故造成了
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1萬億次寫入壽命 傳三星1Gb eMRAM內(nèi)存良率已達90%

  • 今年3月份，三星宣布全球第一家商業(yè)化規(guī)模量產(chǎn)eMRAM(嵌入式磁阻內(nèi)存)，基于28nm FD-SOI(全耗盡型絕緣層上硅)成熟工藝，內(nèi)存容量8Mb，可廣泛應用于MCU微控制器、IoT物聯(lián)網(wǎng)、AI人工智能領域。MRAM是一種非易失性存儲，其前景被廣泛看好，Intel、IBM、TDK、三星、希捷等行業(yè)巨頭多年來一直都在研究，讀寫速度可以媲美SRAM、DRAM等傳統(tǒng)內(nèi)存，當同時又是非易失性的，也就是可以斷電保存數(shù)據(jù)，綜合了傳統(tǒng)內(nèi)存、閃存的有點。三星量產(chǎn)的eMRAM內(nèi)存是基于磁阻的存儲，擴展性非常好，在非易失性、
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蘋果中國官網(wǎng)上架DDR4 ECC內(nèi)存套件：44040元

  • 有不少網(wǎng)友發(fā)現(xiàn)，蘋果中國官網(wǎng)悄悄更新了內(nèi)存套件，其中新上架的DDR4 ECC內(nèi)存套件為：256GB (2×128GB) 和32GB (2×16GB) DDR4 ECC。從蘋果官網(wǎng)給出的售價來看，256GB DDR4 ECC套件（2933MHz LR-DIMM，為兩個128GB DIMM）售價為44040元，而32GB DDR4 ECC 2933MHz R-DIMM（兩個16GB DIMM）售價為5872元。如果查看蘋果內(nèi)存套件和Mac Pro技術規(guī)格會發(fā)現(xiàn)，蘋果根據(jù)芯片密度使用DDR4 ECC 2933M
  • 關鍵字： 蘋果  內(nèi)存  

兆易創(chuàng)新募資33.2億元研發(fā)DRAM內(nèi)存 最快2021年量產(chǎn)

  • 國內(nèi)最大的NOR閃存公司兆易創(chuàng)新上周末發(fā)表公告，宣布向10位投資者定向募集33.2億元資金，主要用于DRAM內(nèi)存研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化，最快2021年開始量產(chǎn)。在募資公告中，兆易創(chuàng)新公布了這個項目的預計實施時間及整體進度安排，具體如下：·2020年，兆易創(chuàng)新將啟動首款DRAM芯片產(chǎn)品定義，包括市場定位、產(chǎn)品規(guī)格及芯片設計工藝。·2020年，兆易創(chuàng)新將定義首款芯片的生產(chǎn)職稱，并將經(jīng)過驗證后的設計開展流片試樣，反復修改直至通過系統(tǒng)驗證?！?021年，對首款芯片試樣進行封裝測試，并送交系統(tǒng)芯片商進行功能認證，并最終通過客
  • 關鍵字： 內(nèi)存  內(nèi)存顆粒  

集邦咨詢：供給調(diào)整速度不及需求成長，2020年第一季顯卡內(nèi)存價格快速翻漲

  • 近日，根據(jù)集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)最新調(diào)查，2020年第一季除了因1X納米良率問題導致供貨不及，使得服務器內(nèi)存價格領漲以外，顯卡內(nèi)存價格也快速反轉(zhuǎn)向上。由于顯卡內(nèi)存相較于其他產(chǎn)品類別，屬于價格波動明顯的淺碟市場，因此在買方積極拉貨下，預期價格將較前一季上漲逾5%，漲幅為所有產(chǎn)品中最高。顯卡與游戲機規(guī)格提升，高容量GDDR6需求增溫觀察2020年整體需求狀況，市場正快速從GDDR5轉(zhuǎn)向GDDR6，顯卡市場中，NVIDIA的主流產(chǎn)品RTX顯卡幾乎已經(jīng)全部轉(zhuǎn)用GDDR6，而AMD正在積
  • 關鍵字： 顯卡  內(nèi)存  

芝奇再發(fā)極品內(nèi)存：DDR4-3200延遲只有CL14、單條32GB

  • 我們知道，內(nèi)存的性能不僅僅取決于頻率高低，也要看延遲，甚至很多時候延遲的重要性要超過頻率。芝奇此前就發(fā)布過DDR4-4000 CL15高頻低延遲內(nèi)存(單條8GB)，現(xiàn)在又帶來了DDR4-3200 CL14，而且單條容量達32GB！新內(nèi)存分布在Trident Z RGB(幻光戟)、Trident Z Royal(皇家戟)、Trident Z Neo(焰光戟)三個系列中，單條容量統(tǒng)一都是32GB，搭載業(yè)界最高32Gb DDR4內(nèi)存顆粒，提供雙條共64GB、四條共128GB、八條共256GB三種套裝，主流雙通道
  • 關鍵字： 芝奇  內(nèi)存  DDR4  

內(nèi)存、固態(tài)硬盤價格扛不住了！漲起來

  • 最近一段時間內(nèi)，大家有入手內(nèi)存和固態(tài)硬盤嗎？有購買需求的小伙伴們可以入手了，因為內(nèi)存和SSD都已經(jīng)開始漲價了。
  • 關鍵字： 內(nèi)存  閃存  DRAMeXchange  

中國公司DDR4架構(gòu)成國際標準 正參與DDR5內(nèi)存標準制定

  • 日前瀾起科技董事長楊崇和在參與活動時表態(tài)，公司正積極參與DDR5內(nèi)存標準的制定。內(nèi)存價格每次大起大落，中國公司都很受傷，因為國內(nèi)幾乎沒有公司可以參與內(nèi)存標準，全球內(nèi)存主要控制在三星、SK海力士、美光三大公司中，技術標準也掌握在Intel、AMD、三星等公司中。瀾起科技是國內(nèi)為數(shù)不多的設計DDR內(nèi)存接口芯片的公司之一，該公司成立于2004年，是全球內(nèi)存接口芯片的主要供應商之一，憑借領先的技術水平，在DDR4階段逐步確立了行業(yè)領先優(yōu)勢，公司2018年營業(yè)收入175,766.46萬元，凈利潤73,687.84萬
  • 關鍵字： 內(nèi)存  

三星將向中國芯片廠再投資80億美元：欲用創(chuàng)新壓制

  • 據(jù)韓國媒體報道稱，三星電子將對其中國芯片工廠增加80億美元的投資，以促進NAND閃存芯片的生產(chǎn)。據(jù)預計，由于供應有限，以及對5G設備和網(wǎng)絡需求的不斷上升，明年全球內(nèi)存芯片市場將出現(xiàn)反彈。
  • 關鍵字： 三星  內(nèi)存  芯片  

引領存儲新架構(gòu) 構(gòu)建數(shù)據(jù)金字塔 英特爾通過傲騰和QLC NAND技術變革存儲未來

  • 近日，以“數(shù)智·未來”為主題的2019中國數(shù)據(jù)與存儲峰會在北京成功舉辦。匯聚全球數(shù)據(jù)存儲領域知名的專家學者、企業(yè)領軍人物與代表性企業(yè)用戶，本次峰會旨在幫助企業(yè)和社會提升數(shù)據(jù)智能水平，推動全球存儲與數(shù)據(jù)產(chǎn)業(yè)發(fā)展。英特爾公司中國區(qū)非易失性存儲事業(yè)部總經(jīng)理劉鋼先生出席大會并發(fā)表演講，不僅從產(chǎn)品層面闡述了英特爾如何通過傲騰?技術和QLC NAND?技術填補當前存儲層級中的巨大鴻溝，還通過諸多用戶案例進一步展示英特爾如何通過內(nèi)存與存儲的產(chǎn)品、技術創(chuàng)新引領存儲新架構(gòu)，構(gòu)建數(shù)據(jù)金字塔。英特爾公司中國區(qū)非易失性存儲事業(yè)部
  • 關鍵字： QLC  NAND  內(nèi)存  

邊緣AI為智能零售、智能工廠帶來的改變

  • 　　Amit?Gattani?（美光嵌入式產(chǎn)品事業(yè)部?高級市場總監(jiān)）　　摘?要：存儲器廠商美光介紹了邊緣AI為機器視覺和智能零售、智能工廠應用帶來的變化，以及美光的存儲器解決方案。　　關鍵詞：邊緣AI；智能零售；智能工廠；內(nèi)存　　1 智能零售、智能工廠的AI機會　　邊緣AI正在智能零售、智能工廠/制造、智能城市/交通等工業(yè)應用領域迅速崛起。它提供了更智能的業(yè)務洞察，以實現(xiàn)更高的生產(chǎn)力、更低的運營成本，并更好地理解人們的行為。例如，零售商正在部署基于邊緣AI的系統(tǒng)，幫助更好地了解顧客行為、員工行為，管理店內(nèi)
  • 關鍵字： 201912  邊緣AI  智能零售  智能工廠  內(nèi)存  
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