hbm 內(nèi)存文章進(jìn)入hbm 內(nèi)存技術(shù)社區(qū)

10/7nm、內(nèi)存市場(chǎng)持續(xù)推動(dòng)晶圓設(shè)備需求增長(zhǎng)

Fab供應(yīng)商在2017年迎來(lái)了一個(gè)繁榮周期。然而，在邏輯/晶圓設(shè)備中，設(shè)備需求在2017年仍相對(duì)不溫不火。在2018年，設(shè)備需求看起來(lái)強(qiáng)勁，盡管該行業(yè)將很難超過(guò)2017年所創(chuàng)下的紀(jì)錄。
關(guān)鍵字：內(nèi)存晶圓

復(fù)旦大學(xué)設(shè)計(jì)出新型態(tài)光敏感性半導(dǎo)體內(nèi)存

　　近日有研究團(tuán)隊(duì)基于原子級(jí)薄度的半導(dǎo)體設(shè)計(jì)出一種內(nèi)存，除了具有良好的性能，也可以在完全不需要電力輔助的情況下，用光線就能消除儲(chǔ)存數(shù)據(jù)，團(tuán)隊(duì)認(rèn)為這種新的內(nèi)存在系統(tǒng)整合型面板(System on Panel)上，具有十分大的應(yīng)用潛力。　　Phys.org 報(bào)導(dǎo)，復(fù)旦大學(xué)和中國(guó)科學(xué)院微電子研究所的 Long-Fei He 及相關(guān)研究人員最近在新的應(yīng)用物理學(xué)快報(bào)(AIP)期刊上發(fā)表了一個(gè)關(guān)于新型態(tài)內(nèi)存的論文。　　由于大多數(shù)現(xiàn)有的內(nèi)存技術(shù)都太過(guò)笨重，無(wú)法整合應(yīng)用在顯示面板上，研究人員一直都在研究全新的設(shè)
關(guān)鍵字：內(nèi)存微電子

賣(mài)不出去！內(nèi)存暴漲價(jià)自食惡果：沒(méi)貨、降價(jià)

內(nèi)存價(jià)格持續(xù)上漲了幾乎兩年的時(shí)間，對(duì)于接下來(lái)的內(nèi)存行情，經(jīng)銷(xiāo)商普遍不看好，主要是渠道需求不佳，行情繼續(xù)橫盤(pán)，恐怕依然會(huì)有很大的震蕩，關(guān)鍵就看DDR4顆粒供應(yīng)緊張能否有所改善了。
關(guān)鍵字：內(nèi)存 DDR4

三星因內(nèi)存漲價(jià)被發(fā)改委約談：或涉及行業(yè)壟斷

已經(jīng)持續(xù)了一年半的漲價(jià)潮正在為三星等存儲(chǔ)巨頭提供越來(lái)越多的現(xiàn)金流，隨著中國(guó)企業(yè)未來(lái)進(jìn)入存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)，其也必然會(huì)面臨來(lái)自三星、美光、爾必達(dá)等企業(yè)的價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)。
關(guān)鍵字：三星內(nèi)存

注意，存儲(chǔ)半導(dǎo)體業(yè)可能要有點(diǎn)事了

　　國(guó)家發(fā)改委不排除針對(duì)存儲(chǔ)半導(dǎo)體業(yè)發(fā)起反壟斷調(diào)查。　　因?yàn)?，許多廠商不斷反映說(shuō)，連續(xù)7個(gè)月，內(nèi)存價(jià)漲到離譜。比如8G內(nèi)存條一度超過(guò)1000元。相比過(guò)去，漲了兩倍還多。　　這只是內(nèi)存產(chǎn)品線，還有閃存領(lǐng)域。　　而消息里，其實(shí)還有更多玩味的地方。　　我這會(huì)腦子不大靈光，就順著亂七八糟的感受寫(xiě)下去了。　　表面看，消息仍還屬于產(chǎn)業(yè)范疇。畢竟，一年以前，存儲(chǔ)半導(dǎo)體漲價(jià)似乎就已獲得輿論支撐。當(dāng)初，最直接的因素如下：　　一、終端需求：筆記本處于更新?lián)Q代周期，內(nèi)存漲價(jià)有它的邏輯;閃存產(chǎn)品線上，諸多
關(guān)鍵字：存儲(chǔ) 內(nèi)存

美光起訴聯(lián)華電子盜用內(nèi)存芯片技術(shù)

　　中國(guó)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正在極速爆發(fā)，這也引起了國(guó)外巨頭們的恐慌，他們當(dāng)然不希望這塊國(guó)產(chǎn)廠商能夠迎頭追上。　　據(jù)臺(tái)灣電子時(shí)報(bào)報(bào)道稱(chēng)，美光科技在美國(guó)加州的一家聯(lián)邦地方法庭提交了訴狀，指控聯(lián)華電子以及下屬的福建省晉華集成電路公司盜用了自身的內(nèi)存芯片技術(shù)。　　　　在訴狀中，美光強(qiáng)調(diào)是他們的兩位前員工通過(guò)閃存盤(pán)盜取了公司的技術(shù)資料，然后交給了聯(lián)華電子，當(dāng)然晉華集成電路也分享并拿到這個(gè)技術(shù)，但現(xiàn)在最大的問(wèn)題，這種后者尚未生產(chǎn)出內(nèi)存芯片，所以無(wú)法強(qiáng)調(diào)賠償事宜。　　對(duì)于這個(gè)舉動(dòng)，業(yè)內(nèi)人士
關(guān)鍵字：美光內(nèi)存

喜大普奔！內(nèi)存價(jià)格崩盤(pán)：一個(gè)月暴降30%

最近一個(gè)多月的時(shí)間內(nèi)，尤其是雙11之后，內(nèi)存價(jià)格開(kāi)始普遍下滑，而且幅度相當(dāng)夸張，最高甚至接近30%。
關(guān)鍵字：內(nèi)存 DRAM

內(nèi)存/SSD齊漲價(jià)：三星Q4利潤(rùn)預(yù)計(jì)暴漲77％

　　DRAM內(nèi)存、NAND閃存芯片持續(xù)供不應(yīng)求，而作為全球頭號(hào)供應(yīng)商的三星電子這一段時(shí)間以來(lái)賺得盆滿缽滿，而且形勢(shì)越來(lái)越好，至少對(duì)三星是如此。　　繼三季度利潤(rùn)暴漲創(chuàng)紀(jì)錄后，韓國(guó)金融信息機(jī)構(gòu)FnGuide的調(diào)研數(shù)據(jù)顯示，受芯片業(yè)務(wù)強(qiáng)勁表現(xiàn)的驅(qū)動(dòng)，三星電子2017年第四季度的利潤(rùn)有望再次創(chuàng)下新高。　　市場(chǎng)普遍預(yù)計(jì)，三星電子第四季度的營(yíng)業(yè)利潤(rùn)將達(dá)到16.3萬(wàn)億韓元(約合人民幣980億元)，同比增長(zhǎng)77.2%，相比第三季度的14.5萬(wàn)億韓元也將增長(zhǎng)12.4%。　　韓國(guó)投資銀行甚至預(yù)計(jì)的最高數(shù)字甚至達(dá)到
關(guān)鍵字：內(nèi)存 SSD

內(nèi)存/閃存行業(yè)周期即將逆轉(zhuǎn)，存儲(chǔ)器芯片景氣或觸頂

自2016年一季度以來(lái)半導(dǎo)體行業(yè)所享受的強(qiáng)勁市場(chǎng)需求和史無(wú)前例的定價(jià)權(quán)難以為繼，NAND閃存超級(jí)周期料將發(fā)生逆轉(zhuǎn)。
關(guān)鍵字：內(nèi)存閃存

c行業(yè)周期即將逆轉(zhuǎn)，存儲(chǔ)器芯片景氣或觸頂

　　摩根士丹利(Morgan Stanley，大摩)26日以明年存儲(chǔ)器芯片獲利恐難顯著成長(zhǎng)為由，將三星電子公司(Samsung Electronics Co Ltd)投資評(píng)等自“加碼”降至“中性權(quán)重”，目標(biāo)價(jià)下修3.4%至280萬(wàn)韓元。大摩指出，隨著NAND型快閃存儲(chǔ)器報(bào)價(jià)在2017年第四季開(kāi)始反轉(zhuǎn)，下行風(fēng)險(xiǎn)隨之升高;在此同時(shí)，2018年第一季以后的DRAM供需能見(jiàn)度也已降低。自2016年一季度以來(lái)半導(dǎo)體行業(yè)所享受的強(qiáng)勁市場(chǎng)需求和史無(wú)前例的定價(jià)權(quán)難以為繼，N
關(guān)鍵字：內(nèi)存閃存

至少到明年一季度！內(nèi)存價(jià)格依舊持續(xù)維持高位

　　近一年多來(lái)，內(nèi)存價(jià)格持續(xù)高漲，雖然這一段時(shí)間暫時(shí)有所平穩(wěn)，漲價(jià)的勢(shì)頭似乎被遏制住了，但想降價(jià)的話短期內(nèi)還是個(gè)夢(mèng)。　　　　據(jù)博板堂統(tǒng)計(jì)，2017年10月份中國(guó)區(qū)TOP11內(nèi)存品牌總出貨量又下滑了10%左右，連續(xù)兩個(gè)月倒退。　　原因主要是上游DRAM內(nèi)存顆粒供應(yīng)依然十分緊張，而且供貨時(shí)間有限，再加上雙11電商備貨影響，整個(gè)市場(chǎng)異常慘淡。　　　　作為內(nèi)存行業(yè)老大，金士頓缺貨問(wèn)題非常嚴(yán)重，實(shí)際出貨時(shí)間只有半個(gè)月左右，整體工廠出貨量創(chuàng)下歷史新低，當(dāng)月還
關(guān)鍵字：內(nèi)存 DDR4

內(nèi)存價(jià)格一年漲三倍：外企壟斷流通價(jià)格倒掛

在此輪內(nèi)存漲價(jià)行情中，由于不少企業(yè)加大了建倉(cāng)囤貨的力度，導(dǎo)致在內(nèi)存流通環(huán)節(jié)甚至出現(xiàn)了價(jià)格倒掛的現(xiàn)象。
關(guān)鍵字：內(nèi)存 DRAM

國(guó)產(chǎn)廠商hold不住 CPU也要大漲價(jià)

由于我國(guó)目前只有上海新昇能夠確定擁有生產(chǎn)12寸硅晶圓的能力，并且產(chǎn)能相較于其他國(guó)外產(chǎn)商而來(lái)并不算高。因此在這種情況之下，業(yè)界的硅晶圓缺口在短時(shí)間內(nèi)無(wú)法得到填補(bǔ)，全面漲價(jià)已經(jīng)不可避免。
關(guān)鍵字：內(nèi)存 CPU