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EEPW首頁 >> 主題列表 >> hbm 內存

三星量產128GB內存芯片號稱全球最大容量

  •   11 月 27 日訊,你可能覺得現在的手機能有 4GB 的運行內存已經很牛逼了,但三星已經開始量產 128GB 容量的內存芯片。   事實上,三星去年 8 月就宣布推出全球第一款采用 3D TSV 立體硅穿孔封裝技術打造的內存芯片,單條 DDR4 內存條容量高達 64GB。但三星這次要量產的是近期推出的 128GB 內存芯片,容量比去年翻了一倍。   據悉,在這個小小的內存芯片中,三星內置了 144 個芯片,形成了 36×4GB DRAM 封裝,每個封裝中有 4×8Gb 芯
  • 關鍵字: 三星  內存  

NV使用HBM芯片或由海力士和三星共同提供

  •   除了在存儲市場上作為老牌廠商的SK海力士之后,韓系的另外一個存儲巨頭的三星也進入了HBM存儲芯片市場,并且開始在2016年第一季度開始大規(guī)模生產。而有消息稱SK海力士以及三星將為NVIDIA的帕斯卡系列GPU生產第二代HBM芯片。             業(yè)內人士指出,無論是三星電子還是SK海力士都正在計劃為NVIDIA下一代圖形顯卡帕斯卡生產第二代高帶寬顯存芯片,而實現大規(guī)模生產的時間預計在2016年的第一季度,但在這之前的試產以及生產的可靠性測試已經由SK海力
  • 關鍵字: NV  HBM  

HBM顯存最大勁敵:美光明年上三代HMC

  •   作為最老資歷的PC組成部件,內存及內存存儲體系已經擁有了幾十年的歷史,其漫長的發(fā)展過程曾伴隨數次重要的變革,但縱觀這些變革,無論是從FP到EDO還是從SD到DDR,在意義上均無法與即將發(fā)生的這場革命相提并論,這場革命的名字,叫堆疊內存。        目前,按照堆疊方式及位置的不同,堆疊內存體系可以被分為2.5D和3D兩種存在形式。而又因為內存還依標準不同還劃分成了兩大陣營,分別是海力士+AMD支持的HBM(High Bandwidth Memory)以及Intel支持、鎂光/三星
  • 關鍵字: HBM  美光  

AMD:不會靠HBM掙專利費 NVIDIA隨便用

  •   目前,AMD是唯一一家使用HBM(High Bandwidth Memory,高帶寬存儲產品)的公司,這要得益于他們和SK Hynix等合作伙伴的長期開發(fā),據說長達8年半之久。        HBM如其名,最大的特點就是高帶寬(確切地說是高位寬),目前已經可以做到單個顆粒1024-bit,GDDR5的足足32倍。同時,HBM每個堆棧的帶寬可以突破100GB/s,GDDR5的四五倍。   更關鍵的是,HBM的電壓要求僅僅1.3V,低于GDDR5 1.5V,更加的節(jié)能。   
  • 關鍵字: AMD  HBM  

全球內存條市場:中國記憶科技高居第二

  • 全球內存條市場十大廠商,中國竟排名二名。
  • 關鍵字: 內存  DRAM  

自主處理器初有成效 下一步力推內存制造

  •   剛剛我們報道了大唐電信旗下的聯芯計劃收購美國Marvell(美滿),從而加強自己在4G芯片制造領域的話語權,而在前不久清華紫光更是提出要在5年內投入300億元,目標拿下全球手機芯片份額第一,進入全球半導體設計公司前三。雖然在西方投資者眼中,半導體產業(yè)已是糟糕的生意,但中國芯片企業(yè)因為發(fā)展較慢,資本市場仍舊努力推動著前進的步伐,包括在背后做支撐的“國家集成電路產業(yè)投資基金”。   據EETimes報道,曾任大唐電信總裁現任中國半導體產業(yè)協會副主席的魏少軍在接受專訪時表示,中國的
  • 關鍵字: 自主處理器  內存  

研究稱內存存取未必比磁盤存取快

  •   軟件開發(fā)者都知道內存存取要比磁盤存取快得多,所以他們會盡可能的在內存中執(zhí)行大部分任務。但加拿大兩所大學的研究人員在預印本網站上發(fā)表了一篇受爭議的論文(PDF),宣稱內存存取未必比磁盤存取快。他們創(chuàng)建了1MB大小的字符串,然后寫入磁盤。他們發(fā)現,在內存中完成大部分工作比反復的寫入磁盤要慢得多。開發(fā)者認為研究人員缺乏編程的經驗。   
  • 關鍵字: 內存  磁盤  

臺內存大廠揮軍日本 直闖工控和車用市場

  •   征戰(zhàn)海外展覽的臺灣內存大廠,終于在日本找到了機會。
  • 關鍵字: 內存  NAND Flash  

下游需求高企 2014年中國內存芯片市場將占全球兩成

  •   TrendForce最新研究報告顯示,隨著中國市場近幾年的蓬勃發(fā)展與政策開放,GDP成長率呈現高度的成長,所伴隨而來的就是驚人的消費潛力,無論是PC、智能型手機與平板市場都把中國市場列入第一戰(zhàn)區(qū)。TrendForce旗下權威內存研究機構DRAMeXchange最新數據顯示,以2Gb顆粒來換算,2014年中國市場在DRAM與NAND的消化量已經高達47.89億與70.36億,分別占全球產能19.2%與20.6%。   從DRAM市場來觀察,PC-DRAM在中國市場的消化量已經來到15%,內需市場的強勁
  • 關鍵字: 內存  DRAM  Flash  

探源蘋果內存控制IC問題的真與假

  •  按照蘋果封閉式NAND控制IC策略,蘋果NAND Flash控制IC可能由韓國SK Hynix海力士NAND芯片廠提供,或由蘋果自行設計。由于此次可能因NAND控制IC出錯導致128GB容量的iPhone 6 Plus系統(tǒng)崩潰,蘋果可能會轉變NAND控制IC策略,改為外購,為臺灣群聯等業(yè)者增添新一輪的轉單可能。
  • 關鍵字: 蘋果  內存  控制IC  

付出正確的電路保護費

  •   摘要:本文通過采用合適的過電流和過電壓保護元件,生產商可保證其產品成為用戶生活不可或缺的一部分。選擇正確的保護元件也保證了各應用產品符合安全和功能因素相關的規(guī)章條例的要求。   許多用戶都沒有意識到他們自己每天在使用的電子設備存在著最大的風險。電路保護是所有電子設備必有的特性——不論是車載、家用或是工用電子設備——因為只要人體接觸含敏感電子半導體的器件,就會出現ESD(靜電放電)現象。   如果周圍的空氣特別干燥,比如天氣正好非常炎熱或非常寒冷,剛把
  • 關鍵字: 電路保護  ESD  TVS  集成電路  HBM  201411  

智能手機增長強勁 帶動內存價格上調

  •   2014年下半年需求持續(xù)增溫,智能手機增長強勁,帶動整體存儲產業(yè)向上增長。全球市場研究機構TrendForce旗下存儲研究部門DRAMeXchange表示,標準型內存產能吃緊,短期緩解不易,下半年將維持漲勢,帶動服務器、移動內存同步走揚,DRAM廠商獲利將再創(chuàng)新高;至于NANDFlash市場則因OEM與模塊客戶訂單需求轉強,可望從上半年明顯供過于求轉為下半年供需平衡,呈現價格穩(wěn)健上漲的格局。   DRAMeXchange研究協理吳雅婷表示,智能手機今年主軸為中國4GTD-LTE機種滲透以及即將出貨的
  • 關鍵字: 智能手機  內存  

內存PCB工廠著火 4GB/DDR3單日上漲10%

  •   內存價格暴漲的原因初步明朗,5月9日上午9時許,江蘇無錫健鼎工廠發(fā)生火災!健鼎主要從事印刷電路板生產,除了供應內存條外,還涉及液晶,硬盤,移動電話等多種電子產品。換而言之,這對內存條制造有重大影響!   江蘇無錫健鼎工廠火災III現場(圖片來自新浪微博)   注:該廠位居全球印刷電路制造廠前四名,內存條全球第一名,液晶器PCB全球第一名,大陸PCB營業(yè)額百強第一。   經常光顧ZOL內存硬盤頻道的網友,多少了解內存廠家和炒家的炒作能力。只要有一點風吹草動,內存價格就會一哄而上。目前臺
  • 關鍵字: PCB  內存  

內存市場翻身 封測廠華東否極泰來

  •   記憶體專業(yè)封測廠華東科技總經理于鴻祺指出,內存歷經前幾年的大洗牌后市況大翻身,從2013年開始,無論是標準型DRAM或特殊型如MobileDRAM均呈現價揚走勢,而NANDFlash的需求也穩(wěn)健成長,預估2014年對華東將是否極泰來的一年,今年營收可望微幅成長,而毛利則將持穩(wěn)在10~15%之間。   于鴻祺指出,內存市場轉為寡占,已經是眾所皆知的事情,DRAM市場上僅存的主要廠商,其中約有90%以上由三星電子(SamsungElectronics)、美光(Micron)和SK海力士(SKHynix)
  • 關鍵字: 內存  處理器  

內存市場翻身迎來機遇 封測廠華東否極泰來

  •   記憶體專業(yè)封測廠華東科技總經理于鴻祺指出,內存歷經前幾年的大洗牌后市況大翻身,從2013年開始,無論是標準型DRAM或特殊型如MobileDRAM均呈現價揚走勢,而NANDFlash的需求也穩(wěn)健成長,預估2014年對華東將是否極泰來的一年,今年營收可望微幅成長,而毛利則將持穩(wěn)在10~15%之間。   于鴻祺指出,內存市場轉為寡占,已經是眾所皆知的事情,DRAM市場上僅存的主要廠商,其中約有90%以上由三星電子(SamsungElectronics)、美光(Micron)和SK海力士(SKHynix)
  • 關鍵字: 內存  封測  
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