基于嵌入式設(shè)備瀏覽器內(nèi)存管理策略研究,摘要：為了解決嵌入式設(shè)備中內(nèi)存頻繁分配和釋放所引起的內(nèi)存碎片以及瀏覽器正常運(yùn)行難問題，提出具有垃圾回收機(jī)制的可動(dòng)態(tài)增長(zhǎng)池式分配數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和具有Compaction機(jī)制的Vector分配方法；在嵌入式環(huán)境系統(tǒng)設(shè)計(jì)時(shí)，
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管理 策略 研究 內(nèi)存 瀏覽器 嵌入式 設(shè)備 基于
近日，全球存儲(chǔ)半導(dǎo)體第一名——三星電子半導(dǎo)體韓國(guó)本社正式宣布：三星電子推出韓國(guó)原廠出品的、全面兼容高穩(wěn)定性的品牌原廠內(nèi)存條，啟動(dòng)在中國(guó)零售市場(chǎng)的品牌運(yùn)營(yíng)。通過這一改變，三星將為中國(guó)消費(fèi)者帶來全新的內(nèi)存產(chǎn)品選擇，并在中國(guó)市場(chǎng)打造更強(qiáng)的三星存儲(chǔ)品牌形象。
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三星 內(nèi)存
日本半導(dǎo)體大廠爾必達(dá)(Elpida)與東芝(Toshiba)決定自2011年7月起，增加新款儲(chǔ)存內(nèi)存產(chǎn)量。其中爾必達(dá)決定加強(qiáng)日本廣島工廠和臺(tái)灣工廠的產(chǎn)能, 將產(chǎn)能提升至75%，確保搶先開發(fā)出25納米DRAM的先機(jī)。東芝則決定于2011年9月將產(chǎn)能提升至60%，穩(wěn)定技術(shù)領(lǐng)先地位。
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Toshiba 內(nèi)存
電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
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指令 內(nèi)核 數(shù)據(jù) 內(nèi)存
據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，據(jù)市場(chǎng)研究公司IHS iSuppli最新發(fā)表的研究報(bào)告稱，由于包括亞馬遜在內(nèi)的許多硬件廠商都在設(shè)法推出自己的iPad殺手，2011年平板電腦對(duì)DRAM內(nèi)存芯片的需求將增長(zhǎng)9倍。
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平板電腦 內(nèi)存
C++內(nèi)存泄漏檢測(cè)拾遺,在MFC開發(fā)環(huán)境中，當(dāng)運(yùn)行退出了，Visual Studio會(huì)在輸出窗口提示是否有內(nèi)存泄漏。也可以借助MFC類CMemoryState動(dòng)態(tài)地檢測(cè)并輸出內(nèi)存泄漏信息?！ ≡诜荕FC框架中，需要借助CRT函數(shù)實(shí)現(xiàn)這些功能?！ ?. 調(diào)用_CrtDump
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拾遺 檢測(cè) 泄漏 內(nèi)存
TCP/IP是一種基于OSI參考模型的分層網(wǎng)絡(luò)體系結(jié)構(gòu)，它由應(yīng)用層、運(yùn)輸層、網(wǎng)絡(luò)層、數(shù)據(jù)鏈路層、物理層組成。各層之間消息的傳遞通過數(shù)據(jù)報(bào)的形式進(jìn)行。由于各層之間報(bào)頭長(zhǎng)度不一樣，當(dāng)數(shù)據(jù)在不同協(xié)議層之間傳遞時(shí)，對(duì)數(shù)
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管理 內(nèi)存 LwIP
三星電子搶先行動(dòng)整整三個(gè)月之后，另一家半導(dǎo)體大廠海力士(Hynix Semiconductor)今天也宣布下代DDR4內(nèi)存顆粒、內(nèi)存條開發(fā)完畢。海力士已經(jīng)開發(fā)出了容量2Gb(256MB)的DDR4 DRAM內(nèi)存顆粒，以及容量2GB的DDR4 ECC SO-DIMM內(nèi)存條，支持錯(cuò)誤校驗(yàn)功能，均采用先進(jìn)的30nm級(jí)別工藝制造，完全符合JEDEC組織制定的相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范?！?/li>
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海力士 內(nèi)存
這是IHS iSuppli公司最新報(bào)導(dǎo)，附有評(píng)論與分析。
日本地震導(dǎo)致全球用于生產(chǎn)半導(dǎo)體的四分之一硅晶圓生產(chǎn)中止。信越化學(xué)工業(yè)株式會(huì)社的白河工廠已經(jīng)停產(chǎn)。MEMC Electronic Materials Inc.的宇都宮工廠也停產(chǎn)。這兩家工廠的合計(jì)產(chǎn)量，約占全球用于生產(chǎn)半導(dǎo)體的硅晶圓供應(yīng)量的25%。
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硅晶圓 內(nèi)存
市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu) VLSI Research 最近調(diào)升了對(duì) 2011年 IC市場(chǎng)成長(zhǎng)率的預(yù)測(cè);該機(jī)構(gòu)先前估計(jì) 2011年全球IC市場(chǎng)將成長(zhǎng)8.1%、達(dá)到2,687億美元營(yíng)收規(guī)模，現(xiàn)在則是認(rèn)為今年度該市場(chǎng)成長(zhǎng)率為8.9%，營(yíng)收規(guī)模2,707億美元。
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Marvell 內(nèi)存 IC
北京時(shí)間2月16日晚間消息，臺(tái)灣南亞科技今天表示，今年二季度的DRAM內(nèi)存芯片期貨價(jià)增長(zhǎng)幅度至少達(dá)到5%，并以此開啟增長(zhǎng)勢(shì)頭。此前他們預(yù)計(jì)DRAM芯片價(jià)格最早在一季度開始恢復(fù)增長(zhǎng)。
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內(nèi)存 DRAM
據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，據(jù)市場(chǎng)研究公司iSuppli稱，隨著平板電腦日益流行，預(yù)計(jì)今年平板電腦DRAM內(nèi)存的需求將大幅增長(zhǎng)。
iSuppli稱，平板電腦DRAM內(nèi)存今年的銷量可能會(huì)增至3.533億GB，較2010年的3780萬(wàn)GB猛增835%。預(yù)計(jì)2012年的銷量將達(dá)到10億GB，而到2014年的時(shí)候，平板電腦內(nèi)存的銷量將超過35億GB?！?/li>
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平板電腦 內(nèi)存
彭博社報(bào)道，受到內(nèi)存芯片價(jià)格下降、訴訟賠償?shù)碾p重影響，海力士去年四季度利潤(rùn)大跌83%。
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hynix 內(nèi)存
據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，Hynix半導(dǎo)體公司CEO O.C. Kwon近日表示，預(yù)計(jì)明年電腦內(nèi)存芯片的價(jià)格將持續(xù)下降，同時(shí)，公司第四季度的盈利也會(huì)因此受到影響。短期來看，全球芯片市場(chǎng)仍表現(xiàn)低迷。
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Hynix 內(nèi)存
根據(jù) SEMI 發(fā)布的最新全球晶圓廠預(yù)測(cè)(World Fab Forecast)，預(yù)估全球晶圓產(chǎn)能在2010和2011年將分別有8%的成長(zhǎng)，而2012年將成長(zhǎng)9%;相較于2003~2007年的每年兩位數(shù)成長(zhǎng)，SEMI對(duì)明后年的預(yù)估相對(duì)審慎保守。
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晶圓 內(nèi)存
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