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內(nèi)存產(chǎn)業(yè)面臨洗牌:PC市場(chǎng)疲軟導(dǎo)致供大于求
- 面臨洗牌 自20世紀(jì)60年代以來(lái),內(nèi)存芯片便被看作是信息時(shí)代的“原油”——它們對(duì)電腦和其他設(shè)備非常重要,以致于制造商竭盡全力改善內(nèi)存芯片性能,降低生產(chǎn)成本。然而,上周有消息稱,日本內(nèi)存芯片巨頭爾必達(dá)正尋求從其客戶獲得資金支持,這表明在內(nèi)存芯片行業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)中,越來(lái)越多的企業(yè)瀕臨出局。 三星電子和海力士等韓國(guó)兩家大公司目前占據(jù)著內(nèi)存芯片行業(yè)的主導(dǎo)地位,美國(guó)芯片廠商美光科技與爾必達(dá)的市場(chǎng)份額并列第三,但遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后于三星電子和海力士。內(nèi)存芯片廣泛用于從手
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NVE對(duì)Everspin提自旋電子MRAM專利侵權(quán)訴訟
- 專門授權(quán)自旋電子(spintronics)磁阻隨機(jī)存取內(nèi)存(MRAM)技術(shù)的自旋電子組件開(kāi)發(fā)商N(yùn)VR公司表示,該公司已于美國(guó)聯(lián)邦法院對(duì) MRAM 供貨商Everspin Technologies提出侵權(quán)訴訟,以捍衛(wèi)其自旋電子 MRAM 專利技術(shù)。 NVE公司指出,在美國(guó)明尼蘇達(dá)州地方法院提起的這項(xiàng)訴訟案指控Everspin侵犯了NVE公司的三項(xiàng) MRAM 專利。根據(jù)NVE公司表示,該侵權(quán)訴訟將尋求法院的禁制令,以迫使Everspin公司停止繼續(xù)使用該技術(shù),并針對(duì)其侵權(quán)行為造成的NVE財(cái)務(wù)損失進(jìn)行
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采用內(nèi)存接液晶顯示模塊設(shè)計(jì)
- 點(diǎn)陣式液晶接口簡(jiǎn)單,能以點(diǎn)陣或圖形方式顯示出各種信息,因此在各種電子設(shè)計(jì)中得到廣泛應(yīng)用。但是,它的接口必須遵循一定的硬件和時(shí)序規(guī)范,根據(jù)不同的液晶驅(qū)動(dòng)器,可能需要發(fā)出不同的命令進(jìn)行控制才能顯示數(shù)據(jù)。而
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相變化內(nèi)存開(kāi)創(chuàng)新型內(nèi)存系統(tǒng)設(shè)計(jì)
- 相變化內(nèi)存(Phase Change Memory,PCM)是一項(xiàng)全新的內(nèi)存技術(shù),目前有多家公司在從事該技術(shù)的研發(fā)活動(dòng)。這項(xiàng)技術(shù)集當(dāng)今揮發(fā)性內(nèi)存和非揮發(fā)性內(nèi)存兩大技術(shù)之長(zhǎng),為系統(tǒng)工程師提供極具吸引力的技術(shù)特性和功能。工程師無(wú)
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電源設(shè)計(jì)小貼士 41:DDR 內(nèi)存電源
- CMOS 邏輯系統(tǒng)的功耗主要與時(shí)鐘頻率、系統(tǒng)內(nèi)各柵極的輸入電容以及電源電壓有關(guān)。器件形體尺寸減小后,電源電壓也隨之降低,從而在柵極層大大降低功耗。這種低電壓器件擁有更低的功耗和更高的運(yùn)行速度,允許系統(tǒng)時(shí)鐘頻
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20nm最強(qiáng)制程 三星造出8Gb相變內(nèi)存顆粒
- 來(lái)自SemiAccurate網(wǎng)站的消息稱,三星已經(jīng)研發(fā)并制造出容量達(dá)到8Gb的相變內(nèi)存顆粒,采用移動(dòng)設(shè)備中常用的LPDDR2界面,此前制造的1Gb相變內(nèi)存顆粒樣品容量一般只有1Gb,是它的1/8。 新的內(nèi)存顆粒最大的亮點(diǎn)是采用目前存儲(chǔ)芯片最先進(jìn)的20nm制程工藝打造,幾乎達(dá)到了包括相變內(nèi)存在內(nèi)的所有DDR內(nèi)存以及NAND閃存的極限。 相變內(nèi)存結(jié)合了DDR與NAND閃存的特點(diǎn),具有斷電不掉數(shù)據(jù),耐久性好,速度快等優(yōu)點(diǎn);根據(jù)內(nèi)存制造材料的每個(gè)晶胞在晶態(tài)/非晶態(tài)之間來(lái)回轉(zhuǎn)換來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。 預(yù)
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AMD將在北美推自有品牌內(nèi)存主打臺(tái)式機(jī)市場(chǎng)
- 北京時(shí)間11月29日凌晨消息,AMD于本周一表示,該公司將在北美銷售自有品牌內(nèi)存,主打臺(tái)式機(jī)市場(chǎng),首批內(nèi)存將會(huì)由電子產(chǎn)品生產(chǎn)商Patriot Memory代工生產(chǎn),并由板卡生產(chǎn)商美國(guó)視覺(jué)科技(Visiontek)代理銷售。目前該產(chǎn)品已經(jīng)在AMD平臺(tái)上進(jìn)行過(guò)測(cè)試,并且已經(jīng)能夠顯示出強(qiáng)勁的加速功能。 AMD GPU團(tuán)隊(duì)的總經(jīng)理兼公司副總裁馬特·思凱納(Matt Skynner)表示,“AMD提供的內(nèi)存主要是為了滿足消費(fèi)者的單一直接體驗(yàn)需求,這種產(chǎn)品是基于公司多年來(lái)在AMD
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AMD品牌內(nèi)存準(zhǔn)備進(jìn)入零售市場(chǎng)
- AMD在自有品牌內(nèi)存獲得OEM市場(chǎng)認(rèn)可之后,現(xiàn)在準(zhǔn)備將AMD品牌內(nèi)存推向零售市場(chǎng)。AMD品牌內(nèi)存針對(duì)零售市場(chǎng)有三個(gè)型號(hào),其中AMD Entertainment(娛樂(lè)版)針對(duì)低端市場(chǎng),DDR3-1333規(guī)格;AMD Performance(性能版)針對(duì)中端、多媒體和游戲市場(chǎng),DDR3-1333和DDR3-1600規(guī)格;AMD Radeon(鐳)版本針對(duì)高端發(fā)燒市場(chǎng),DDR3-1866。 所有AMD品牌內(nèi)存容量都有2GB、4GB和8GB,高端AMD Radeon內(nèi)存將配備散熱片,AMD Entert
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動(dòng)態(tài)內(nèi)存管理在面向嵌入式實(shí)時(shí)系統(tǒng)中的研究
- 動(dòng)態(tài)內(nèi)存管理在面向嵌入式實(shí)時(shí)系統(tǒng)中的研究,動(dòng)態(tài)內(nèi)存管理的基本任務(wù)就是有效地對(duì)動(dòng)態(tài)內(nèi)存進(jìn)行分配、回收,并同時(shí)保證系統(tǒng)的快速性、可靠性和穩(wěn)定性。當(dāng)系統(tǒng)請(qǐng)求分配內(nèi)存時(shí),系統(tǒng)需要從所有空閑塊中找到一個(gè)合適的空閑塊進(jìn)行分配;當(dāng)用戶不再使用而將某塊內(nèi)存釋
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