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EEPW首頁 >> 主題列表 >> hbm 內(nèi)存

封測廠10月營收 內(nèi)存優(yōu)于邏輯IC

  • 　　封測廠包括京元電子、欣銓科技、硅品精密、力成科技、華東科技和福懋科技等陸續(xù)公布10月營收。邏輯IC封測大廠硅品、晶圓測試廠京元電和欣銓科技實績呈現(xiàn)走跌，同時對第4季景氣以持平或下滑看待。而內(nèi)存封測廠表現(xiàn)較佳，力成、華東和福懋科在DRAM客戶產(chǎn)出增加，第4季接單攀升，10月營收較上月成長，法人預(yù)料第4季營收將仍可以成長看待。 　　硅品10月合并營收為新臺幣50.34億元，比上月減少3.5%，這是下半年以來連續(xù)2個月衰退。硅品董事長林文伯指出，綜合國內(nèi)外芯片大廠第4季看法，普遍認(rèn)為會下滑，但對照系統(tǒng)廠樂
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相變化內(nèi)存原理分析及設(shè)計使用技巧

  • 相變化內(nèi)存原理分析及設(shè)計使用技巧,　相變化內(nèi)存(Phase Change Memory，PCM)是一項全新的內(nèi)存技術(shù)，目前有多家公司在從事該技術(shù)的研發(fā)活動。這項技術(shù)集當(dāng)今揮發(fā)性內(nèi)存和非揮發(fā)性內(nèi)存兩大技術(shù)之長，為系統(tǒng)工程師提供極具吸引力的技術(shù)特性和功能。工程師
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次世代內(nèi)存技術(shù)研發(fā)掀起跨領(lǐng)域結(jié)盟熱潮

  • 　　繼Hynix(海力士)和HP(惠普)宣布合作開發(fā)新世代內(nèi)存ReRAM技術(shù)和材料，Elpida(爾必達(dá))與Sharp(夏普)亦宣布共同研發(fā)ReRAM，讓次世代內(nèi)存技術(shù)研發(fā)掀起跨領(lǐng)域結(jié)盟熱潮。內(nèi)存業(yè)者預(yù)期，未來ReRAM、3D NAND Flash、PRAM(相變化內(nèi)存)和MRAM(磁性隨機存取內(nèi)存)等次世代內(nèi)存，將會有一番激烈競爭。 　　值得注意的是，海力士與惠普日前才宣布要共同開發(fā)ReRAM技術(shù)，惠普具有新的極小電子組件(Memory resistors;Memristors)技術(shù)，采用十字結(jié)構(gòu)，相
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成本下降 PC價格依然堅挺

  • 　　根據(jù)近日發(fā)布的數(shù)據(jù)顯示，盡管重要的PC元件已經(jīng)有很大的成本下降，但是PC的價格仍然是沒有多大變化。根據(jù)調(diào)查公司Context的調(diào)研數(shù)據(jù)來看，從九月開始電腦內(nèi)存和 硬件產(chǎn)品已經(jīng)連續(xù)三個月下降，今年六月份是價格達(dá)到頂峰的時期。 2010年6月一個1024MB DDR3內(nèi)存的平均樣本價是21英鎊，但是到了九月份同樣的產(chǎn)品已經(jīng)下降到了17英鎊，下降了多達(dá)20%。 　
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茂德推遲擴產(chǎn)63nm內(nèi)存芯片

  • 　　在6月份成功試產(chǎn)63nm工藝內(nèi)存顆粒后，茂德本計劃將其基于該工藝的晶圓月產(chǎn)能提高到35000片，但是由于新設(shè)備的供貨受到延誤，這一計劃只能推遲到2011年了。 　　茂德稱，到十月份時基于63nm工藝的晶圓產(chǎn)能將達(dá)到10000片，到年底時預(yù)計晶圓產(chǎn)能在20000-25000片。 　　72nm現(xiàn)在是茂德的主要處理工藝，按照之前計劃，他們要在2010年底時將該工藝半數(shù)多的產(chǎn)能轉(zhuǎn)化到63nm。茂德12寸晶圓廠現(xiàn)在的月產(chǎn)能在6萬片。 　　受到不斷下滑的DRAM顆粒價格下滑的影響，茂德9月份收入環(huán)比下降7.
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內(nèi)存價格10月份將持續(xù)下調(diào)

  • 　　據(jù)HKEPC網(wǎng)站報道，市調(diào)機構(gòu)DRAMeXchange指出， 9月份下半DRAM顆粒合約價持續(xù)下調(diào)， DDR3 1Gb顆粒均價趺破2美元關(guān)口， DDR3 2GB模塊合約價亦由36美元下調(diào)至34美元，跌幅約為5.5% ，而低位更曾經(jīng)下試33美元新低水平，第三季度DDR3模塊合約價下跌約2.3% ，創(chuàng)下至去年年中減產(chǎn)后單季最大跌幅，不僅DDR3內(nèi)存DDR2合約價亦緊貼DDR3合約價下跌， DDR2 2GB模塊合約均價約為33美元水平，跌幅約為6% 。 　　現(xiàn)貨市場方面，由于廣州亞運將于11月舉辦，大陸方
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分析師：2010年后芯片市場將回歸正常

  • 　　目前模擬、內(nèi)存與PC芯片等市場，似乎處于淡季狀態(tài)──如果不是真的衰退;那么，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)究竟是正朝向成長速度趨緩、停滯，抑或是又一次恐怖的衰退?對此市場研究機構(gòu)VLSI Research執(zhí)行長G. Dan Hutcheson認(rèn)為，以上皆非，芯片產(chǎn)業(yè)在2010年的熱啟動之后，將「回歸正?！?。 　　也就是說，芯片市場會冷卻到某種程度，回到一個更合理的成長周期;但該市場仍有一些值得憂慮的地方──9月份全球芯片銷售額數(shù)字就是一個警訊，可能預(yù)示今年剩下的時間與明年，市場表現(xiàn)會不如預(yù)期?！赣幸粋€說法“
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iSuppli：內(nèi)存業(yè)界芯片制造平均成本四年來首度出現(xiàn)正增長

  • 　　據(jù)iSuppli市調(diào)公司發(fā)布的調(diào)查報告顯示，內(nèi)存業(yè)界生產(chǎn)DRAM芯片的平均制造成本出現(xiàn)了四年以來的首次正增長，不過據(jù)iSuppli公司分析，芯片 制造成本正增長的局面有望在數(shù)個季度之內(nèi)有所緩解。根據(jù)統(tǒng)計數(shù)據(jù)顯示，今年第二季度內(nèi)存芯片的制造成本從上一季度的2美元/GB提升到了2.03美元 /GB，盡管提升的幅度僅有1.2%，但這是四年以來的首次成本正增長，相比之下，2005年至今的制造成本提升幅度則平均僅-9.2%。 　　據(jù)分析，造成內(nèi)存芯片制造成本攀升的原因主要是芯片制造的復(fù)雜度和技術(shù)要求越來越
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DSP芯片TMS320C6712的外部內(nèi)存自引導(dǎo)功能的實現(xiàn)

  • DSP芯片TMS320C6712的外部內(nèi)存自引導(dǎo)功能的實現(xiàn),TMS320C6000系列與TMS320C54系列的引導(dǎo)方式有很大差別。在開發(fā)應(yīng)用TMS320C6000系列DSP時，許多開發(fā)者，尤其是初涉及者對DSP ROM引導(dǎo)的實現(xiàn)有些困難，花費許多時間和精力摸索。筆者結(jié)合開發(fā)實例，介紹了實現(xiàn)外部存儲器
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電腦內(nèi)存芯片生產(chǎn)成本近4年來首次上升

  • 　　據(jù)國外媒體報道，市場研究公司iSuppli 15日表示，由于爾必達(dá)公司和南亞科技股份有限公司生產(chǎn)費用出現(xiàn)增長，電腦內(nèi)存芯片的生產(chǎn)成本近4年來首次上升。 　　美國加州的市場研究公司iSuppli周二的調(diào)查報告顯示，動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)內(nèi)存芯片的平均生產(chǎn)成本從第一季度的每G內(nèi)存2美元上升到了第二季度的2.03美元，而上一次內(nèi)存芯片制造成本的上升發(fā)生在2006年的第三季度。 　　爾必達(dá)公司和南亞科技股份有限公司分別是全球第三和第五大芯片制造商。iSuppli表示，南亞科技股份有限公司在采用新的
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日圓強升 內(nèi)存廠更仰賴臺廠

  • 　　日圓兌美元匯率強勢升值，創(chuàng)近15年來新高;臺灣存儲器業(yè)者表示，日圓走勢對日系廠商營運勢必產(chǎn)生壓力，未來將更仰賴臺灣合作伙伴。 　　日本兩大半導(dǎo)體廠在全球市場占有舉止輕重的影響力，其中爾必達(dá) (Elpida)今年第2季在全球動態(tài)隨機存取內(nèi)存 (DRAM)市場占有率為18%，是全球第3大DRAM廠。 　　東芝(Toshiba)今年第2季在全球儲存型閃存(NAND Flash)市場占有率達(dá)33.1%，僅次于韓國三星，居全球第2大廠地。 　　南亞科技副總經(jīng)理白培霖指出，日圓急遽升值，對日本內(nèi)存廠爾必達(dá)及
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九月份內(nèi)存芯片協(xié)議價與零售價將持續(xù)走低

  • 　　據(jù)臺系內(nèi)存業(yè)者透露，由于PC產(chǎn)品市場需求較為弱勢，因此今年9月份內(nèi)存產(chǎn)品的協(xié)議價將繼續(xù)走低，消息來源并希望年底企業(yè)用戶更換新電腦產(chǎn)生的市場需求能 夠幫助內(nèi)存產(chǎn)品穩(wěn)定價格。值得注意的是，在臺系內(nèi)存廠商發(fā)出這種悲觀的論斷之前，三星公司電子芯片部門的首腦人物曾稱目前PC銷量的持續(xù)走低將導(dǎo)致明年第 一季度內(nèi)存市場出現(xiàn)供過于求的局面。 　　據(jù)消息來源分析，在內(nèi)存價格下跌的大潮中，PC廠商很有可能會考慮增加自己部分產(chǎn)品的內(nèi)存容量到4GB水平，不過內(nèi)存方面的升級將僅限于部分高端型號。另外，歐洲和美國市場對PC機型
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惠普宣布與海力士合作開發(fā)新型內(nèi)存

  • 　　據(jù)國外媒體報道，惠普周二宣布與韓國海力士半導(dǎo)體(Hynix Semiconductor)達(dá)成合作協(xié)議，共同研發(fā)下一代內(nèi)存技術(shù)電阻式內(nèi)存并將其推向市場。 　　據(jù)一份聲明顯示，兩家公司將合作開發(fā)新型材料和技術(shù)，實現(xiàn)電阻式內(nèi)存(ReRAM)技術(shù)的商業(yè)化。海力士將會采用由惠普實驗室研發(fā)出的新型元件憶阻器(memristor)。憶阻器相比現(xiàn)有的固態(tài)存儲技術(shù)能耗更低，速度更快，而且能在斷電時存儲數(shù)據(jù)?；萜战衲甏杭痉Q表示，憶阻器也能夠執(zhí)行邏輯。 　　ReRAM技術(shù)的初衷是成為低功耗Flash的替代品。ReRAM
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三星量產(chǎn)全球首款30nm級工藝2Gb DDR3內(nèi)存顆粒

  • 　　三星電子今天宣布，已經(jīng)開始在全球范圍內(nèi)首家采用30nm級工藝(30-39nm)批量生產(chǎn)2Gb DDR3內(nèi)存顆粒。三星稱，這種新工藝DDR3內(nèi)存顆粒在云計算和虛擬化等服務(wù)器應(yīng)用中電壓1.35V，頻率最高可達(dá)1866MHz，而在PC應(yīng)用中電壓為1.5V，皮哦年率最高2133MHz，號稱比DDR2內(nèi)存快3.5倍，相比于50nm級工藝的DDR3也要快1.55倍。 　　該顆粒屬于三星的綠色內(nèi)存系列，在服務(wù)器應(yīng)用中能比50nm級工藝產(chǎn)品節(jié)約最多20%的功耗，在多核心PC系統(tǒng)中30nm級工藝4GB DDR3內(nèi)存條
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