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【E問(wèn)E答】單片機(jī)如何執(zhí)行代碼命令,單片MCU內(nèi)存如何分配?
- 單片機(jī)執(zhí)行指令過(guò)程詳解 單片機(jī)執(zhí)行程序的過(guò)程,實(shí)際上就是執(zhí)行我們所編制程序的過(guò)程。即逐條指令的過(guò)程。計(jì)算機(jī)每執(zhí)行一條指令都可分為三個(gè)階段進(jìn)行。即取指令-----分析指令-----執(zhí)行指令?! ∪≈噶畹娜蝿?wù)是:根據(jù)程序計(jì)數(shù)器PC中的值從程序存儲(chǔ)器讀出現(xiàn)行指令,送到指令寄存器?! 》治鲋噶铍A段的任務(wù)是:將指令寄存器中的指令操作碼取出后進(jìn)行譯碼,分析其指令性質(zhì)。如指令要求操作數(shù),則尋找操作數(shù)地址?! ∮?jì)算機(jī)執(zhí)行程序的過(guò)程實(shí)際上就是逐條指令地重復(fù)上述操作過(guò)程,直至遇到停機(jī)指令可循環(huán)等待指令?! ∫话阌?jì)算機(jī)進(jìn)
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東芝內(nèi)存出售擬舉辦第3次競(jìng)標(biāo)二選一
- 正在進(jìn)行經(jīng)營(yíng)重建的日本東芝公司有意出售旗下半導(dǎo)體業(yè)務(wù)子公司「東芝內(nèi)存」,目前考慮快則下個(gè)月實(shí)施第3次競(jìng)標(biāo)作業(yè)。 東芝打算出售「東芝內(nèi)存」的作業(yè),19日是第2次競(jìng)標(biāo)作業(yè)截止日,預(yù)計(jì)篩選出2個(gè)陣營(yíng),然后快則下個(gè)月實(shí)施第3次競(jìng)標(biāo)作業(yè)。 一般認(rèn)為,此舉目的在于抬高東芝內(nèi)存的出售價(jià)碼。 東芝于3月底實(shí)施的第1次競(jìng)標(biāo)作業(yè),通過(guò)競(jìng)標(biāo)的有臺(tái)灣的鴻海、美國(guó)投資基金KKR與日本官民基金日本產(chǎn)業(yè)革新機(jī)構(gòu)合作、南韓SK海力士、美國(guó)博通以及西部數(shù)據(jù)。
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Gartner:2016半導(dǎo)體營(yíng)收達(dá)3435億美元,受惠于內(nèi)存價(jià)格大漲
- 《ZDnet》報(bào)導(dǎo),周二 (16 日) 調(diào)研機(jī)構(gòu)顧能 (Gartner) 發(fā)布了 2016 年全球半導(dǎo)體市況報(bào)告,英特爾 (INTC-US) 2016 年?duì)I收為 540.9 億美元,市占率達(dá) 15.7%,依然是全球最大的半導(dǎo)體龍頭,而三星電子 (Samsung Electronics) 及高通 (QCOM-US) 則緊追英特爾之后。 據(jù)顧能 2016 半導(dǎo)體市況報(bào)告顯示,三星電子 2016 年?duì)I收為 401 億美元,市占率為 11.7% 居全球第二,而高通營(yíng)收則為 154 億美元,市占率為 4.
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東芝內(nèi)存業(yè)務(wù)競(jìng)標(biāo)的最終勝利者不會(huì)是出價(jià)最高者?
- 東芝(Toshiba)令人垂涎的內(nèi)存業(yè)務(wù)第二輪競(jìng)價(jià)即將在幾周內(nèi)展開(kāi),但其程序的不透明,暴露了日本政治人物、官僚體系、企業(yè)領(lǐng)導(dǎo)人以及金融圈之間的利益分歧;許多觀察家將這種持續(xù)加深的分歧,歸咎于正折磨著日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的不滿(mǎn)情緒。而且,該競(jìng)標(biāo)程序已經(jīng)成為一個(gè)高度政治化的焦點(diǎn),這也是為什么日本媒體對(duì)該事件如此關(guān)注。 不過(guò)在指出東芝內(nèi)存業(yè)務(wù)競(jìng)標(biāo)程序的漏洞之前,我們得看清楚在這場(chǎng)賭局上有哪些玩家:在第一輪競(jìng)標(biāo)時(shí),東芝將出價(jià)者范圍縮小為僅四家廠(chǎng)商──WD (Western Digital)、Broadcom、
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新世代內(nèi)存陸續(xù)小量產(chǎn) 商品化指日可待
- 內(nèi)存是半導(dǎo)體的主力產(chǎn)品之一,目前主要由動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(DRAM)及具備非揮發(fā)特性的NAND閃存(Flash)為最重要的兩項(xiàng)產(chǎn)品。 不過(guò),由于DRAM必須持續(xù)上電才能保存數(shù)據(jù),NAND Flash又有讀寫(xiě)速度較DRAM慢,且讀寫(xiě)次數(shù)相對(duì)有限的先天限制,因此內(nèi)存業(yè)者一直試圖發(fā)展出新的內(nèi)存架構(gòu),希望能兼具DRAM的速度、耐用度和NAND的非揮發(fā)特性 根據(jù)研究機(jī)構(gòu)Tech Insights估計(jì),包含STT-MRAM、FRAM、CBRAM、3D Xpoint等新世代內(nèi)存,都已陸續(xù)進(jìn)入小量生產(chǎn)階段。 不過(guò)
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2018年內(nèi)存短缺問(wèn)題將持續(xù)改善
- 近三年來(lái),我一直預(yù)測(cè)2017年會(huì)是閃存(flash)/固態(tài)硬盤(pán)(SSD)豐收的一年。然而,由于3D NAND轉(zhuǎn)型步調(diào)緩慢,加上智能手機(jī)到服務(wù)器等市場(chǎng)的需求旺盛,如今的flash顆粒供應(yīng)極其吃緊。不僅價(jià)格持續(xù)上漲20%或甚至更多,而像個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC)等領(lǐng)域的內(nèi)存供應(yīng)不足更對(duì)其銷(xiāo)售數(shù)字帶來(lái)沖擊。 這讓IT人員得多花一點(diǎn)時(shí)間才能接受這一點(diǎn)。畢竟對(duì)于計(jì)算機(jī)儲(chǔ)存而言,SSD會(huì)是更快速的解決方案。但我們討論的是更巨大的因素,性能更高千倍以上,因此,你可能會(huì)想知道為什么這個(gè)市場(chǎng)花了這么久的時(shí)間才終于起飛。我
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新興內(nèi)存百家爭(zhēng)鳴 商品化腳步穩(wěn)健向前
- 內(nèi)存是半導(dǎo)體的主力產(chǎn)品之一,目前主要由動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(DRAM)及具備非揮發(fā)特性的NAND閃存(Flash)為最重要的兩項(xiàng)產(chǎn)品。 不過(guò),由于DRAM必須持續(xù)上電才能保存數(shù)據(jù),NAND Flash又有讀寫(xiě)速度較DRAM慢,且讀寫(xiě)次數(shù)相對(duì)有限的先天限制,因此內(nèi)存業(yè)者一直試圖發(fā)展出新的內(nèi)存架構(gòu),希望能兼具DRAM的速度、耐用度和NAND的非揮發(fā)特性。 根據(jù)研究機(jī)構(gòu)Tech Insights估計(jì),包含STT-MRAM、FRAM、CBRAM、3D Xpoint等新世代內(nèi)存,都已陸續(xù)進(jìn)入小量生產(chǎn)階段。 不
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標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存激戰(zhàn)!臺(tái)積電/三星/英特爾誰(shuí)說(shuō)了算?
- 據(jù)韓媒報(bào)導(dǎo),傳三星電子 (Samsung Electronics) 已在磁阻式隨機(jī)存取內(nèi)存 (MRAM) 取得重大進(jìn)展,市場(chǎng)估計(jì)在 5 月 24 日的一場(chǎng)晶圓廠(chǎng)商論壇上,三星電子將會(huì)發(fā)布該公司所研發(fā)的 MRAM 內(nèi)存。 由于標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存 DRAM、NAND Flash 等微縮制程已逼近極限,目前全球半導(dǎo)體巨擘皆正大舉發(fā)展次世代內(nèi)存“磁電阻式隨機(jī)存取內(nèi)存 (MRAM)”,與含 3D XPoint 技術(shù)的“相變化內(nèi)存 (PRAM)”及“電阻式
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全球內(nèi)存和SSD價(jià)格將在2018年回落
- 在過(guò)去的這一年中,我們?cè)赑C和智能手機(jī)領(lǐng)域聽(tīng)到最多的聲音就是成本上漲,其中存儲(chǔ)芯片價(jià)格一路飆高成為“禍?zhǔn)?rdquo;。不過(guò),市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)Gartner給出了一個(gè)令人興奮的消息。Gartner表示,自2016年中期以來(lái),PC內(nèi)存的價(jià)格已經(jīng)翻了一倍,4GB單條售價(jià)從12.5美元漲到了25美元,而隨著NAND閃存芯片漲價(jià),SSD的每千兆字節(jié)的成本也出現(xiàn)了驚人上漲。 不過(guò),這種漲價(jià)勢(shì)頭將在本季度達(dá)到頂峰。 Gartner預(yù)測(cè),全球內(nèi)存和SSD的價(jià)格會(huì)在2018年出現(xiàn)明顯回落,并于20
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第二季服務(wù)器內(nèi)存供給持續(xù)吃緊 估價(jià)格漲幅逾10%
- 集邦咨詢(xún)半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)最新研究顯示,服務(wù)器內(nèi)存供給持續(xù)吃緊,且仍有供給缺口未能完全滿(mǎn)足需求。 其中原廠(chǎng)對(duì)LTA(Long Term Agreement)服務(wù)器制造商的平均出貨達(dá)標(biāo)率下滑至約八成,顯示供給缺口仍有兩成未能滿(mǎn)足,甚至對(duì)其余中國(guó)大陸與臺(tái)灣地區(qū)ODM廠(chǎng)的出貨達(dá)標(biāo)率下滑至六成左右。 預(yù)估在需求缺口仍維持的情況下,2017年第二季服務(wù)器內(nèi)存價(jià)格漲勢(shì)將延續(xù),漲幅逾10%。 DRAMeXchange指出,去年下半年起整體服務(wù)器內(nèi)存產(chǎn)出隨著原廠(chǎng)內(nèi)存產(chǎn)能分配調(diào)
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中國(guó)使然 全球內(nèi)存和SSD價(jià)格將在2018年回落
- 在過(guò)去的這一年中,我們?cè)赑C和智能手機(jī)領(lǐng)域聽(tīng)到最多的聲音就是成本上漲,其中存儲(chǔ)芯片價(jià)格一路飆高成為“禍?zhǔn)?rdquo;。不過(guò),市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)Gartner給出了一個(gè)令人興奮的消息。Gartner表示,自2016年中期以來(lái),PC內(nèi)存的價(jià)格已經(jīng)翻了一倍,4GB單條售價(jià)從12.5美元漲到了25美元,而隨著NAND閃存芯片漲價(jià),SSD的每千兆字節(jié)的成本也出現(xiàn)了驚人上漲。 不過(guò),這種漲價(jià)勢(shì)頭將在本季度達(dá)到頂峰。 Gartner預(yù)測(cè),全球內(nèi)存和SSD的價(jià)格會(huì)在2018年出現(xiàn)明顯回落,并于20
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高啟全強(qiáng)調(diào)紫光存儲(chǔ)自主研發(fā),內(nèi)存不走臺(tái)灣授權(quán)的老路
- 外界認(rèn)為高啟全到大陸發(fā)展內(nèi)存產(chǎn)業(yè)后,帶走許多臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的人才,對(duì)此,他接受媒體采訪(fǎng)時(shí)強(qiáng)調(diào),找人才不分地方、國(guó)籍,不會(huì)特定挖哪一公司的員工。 他解釋?zhuān)L(zhǎng)江存儲(chǔ)是一家國(guó)際化的公司,擁有全球各地的人加入,美國(guó)人、日本人、南韓人都有,絕不是只有挖臺(tái)灣工程師,長(zhǎng)江存儲(chǔ)內(nèi)部是規(guī)定要用英文溝通,因?yàn)橥饧鞴芎芏啵試?guó)際化的規(guī)格在打造企業(yè)。 高啟全說(shuō),長(zhǎng)江存儲(chǔ)2016年7月16日正式成立后,就購(gòu)并武漢新芯100%股權(quán),現(xiàn)在的武漢新芯約1,200人,另外,長(zhǎng)江存儲(chǔ)成立至今也招募將近700人,當(dāng)中的研發(fā)人
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歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)hbm 內(nèi)存的理解,并與今后在此搜索hbm 內(nèi)存的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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