內(nèi)存市場翻身 封測廠華東否極泰來

　　記憶體專業(yè)封測廠華東科技總經(jīng)理于鴻祺指出，內(nèi)存歷經(jīng)前幾年的大洗牌后市況大翻身，從2013年開始，無論是標準型DRAM或特殊型如MobileDRAM均呈現(xiàn)價揚走勢，而NANDFlash的需求也穩(wěn)健成長，預(yù)估2014年對華東將是否極泰來的一年，今年營收可望微幅成長，而毛利則將持穩(wěn)在10~15%之間。

　　于鴻祺指出，內(nèi)存市場轉(zhuǎn)為寡占，已經(jīng)是眾所皆知的事情，DRAM市場上僅存的主要廠商，其中約有90%以上由三星電子(SamsungElectronics)、美光(Micron)和SK海力士(SKHynix)三大廠商所囊括，比重分別為39.1%、28.7%、23.8%;至于NANDFlash市場也只剩三星電子、東芝(Toshiba)、美光、SK海力士、英特爾(Intel)五個主要玩家。

　　觀察近2年的內(nèi)存價量走勢，DRAM的成長已經(jīng)歷經(jīng)第5季的成長，其中受到內(nèi)存供給逐漸穩(wěn)定，標準型DRAM均價(ASP)降幅已經(jīng)受到控制，而MobileDRAM市場正當紅，儼然成為市場主流，內(nèi)存價量均翻揚下，預(yù)估2014年將是DRAM產(chǎn)業(yè)翻身的一年。

　　然而觀察到NAND的價格雖然在過去半年以來持續(xù)下滑，在2013年上半多數(shù)人預(yù)期三星西安廠的制程開出、產(chǎn)量將增加，但市場的應(yīng)用面沒有以同樣的速率增加，使得NAND產(chǎn)品的價量遠低于市場原本的期待。

　　展望2014年，整體內(nèi)存產(chǎn)業(yè)將聚焦于網(wǎng)通應(yīng)用和便攜設(shè)備產(chǎn)品，雖然高階智能型手機、平板計算機趨緩，但是中低階市場足以支撐內(nèi)存市場的成長。

　　據(jù)研調(diào)統(tǒng)計，智能型手機、平板計算機和服務(wù)器應(yīng)用于2014年的年增率分別達到39%、22%和9%，便攜設(shè)備持續(xù)貢獻整體市場的成長，初估2017年可以到20億以上的裝置數(shù)量，勢必將帶動DRAM和NANDFlash的使用量大幅攀升。

　　另一方面，物聯(lián)網(wǎng)(InternetofThings;IoT)也是未來5~10年內(nèi)不可忽視的大趨勢，據(jù)研調(diào)機構(gòu)統(tǒng)計，物聯(lián)網(wǎng)的商機將帶動裝置量于2020年攀上250億元，而其中定義為特殊型內(nèi)存的角色將更為吃重。

　　以產(chǎn)品規(guī)格演進來看，基于耗電、速度、I/O數(shù)量規(guī)格的不同，以往MobileDRAM多屬于客制化規(guī)格，目前一支手機的內(nèi)存已經(jīng)大幅超過PC的含量，Android陣營普遍達到2Gb~4Gb的容量，封裝端采取MCP技術(shù)，而隨著手機帶動整體需求，MobileDRAM規(guī)格、制程也趨向標準化。

　　而2014年值得注意的是趨勢就是大尺寸平板計算機將逐漸成為主流，樹立便攜設(shè)備的分水嶺，而大尺寸平板產(chǎn)品也將進一步侵蝕NB既有市場，這將是驅(qū)使DRAM產(chǎn)業(yè)質(zhì)變的因素之一。

　　于鴻祺強調(diào)，隨著洗牌動作告一段落，觀察2014年內(nèi)存產(chǎn)業(yè)的市況可望更形穩(wěn)健，甚至比競爭激烈的行動應(yīng)用處理器(AP)市場更為穩(wěn)定，內(nèi)存未來的成長空間可期。

　　華東預(yù)計未來數(shù)年間，中低階行動裝置應(yīng)用將成為華東及內(nèi)存客戶的重要成長動能，而隨著內(nèi)存主要客戶紛紛轉(zhuǎn)向25nm以下世代的先進制程，華東也將持續(xù)配合客戶的步調(diào)進行封測端的布局。