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三星將在不久后開始生產(chǎn)768GB DDR5內(nèi)存條
- 三星電子昨天公布了其2021年第二季度的收益。該公司整體表現(xiàn)良好,其內(nèi)存業(yè)務(wù)也不例外。該公司預(yù)計(jì)該部門將持續(xù)增長,尤其是針對高端服務(wù)器和高性能計(jì)算(HPC)市場的DRAM產(chǎn)品。這就是為什么三星一直在推動其用于此類用途的高密度內(nèi)存模塊,該公司最近發(fā)布了業(yè)界首個(gè)512GB DDR5 DRAM模塊,從任何角度看都是一個(gè)真正的高容量解決方案。 但事實(shí)證明,這家韓國巨頭可能還不滿足,因?yàn)樗?jì)劃在不久的將來的某個(gè)時(shí)候更進(jìn)一步,生產(chǎn)768GB DDR5模塊,也就是使用24Gb DRAM芯片。這可以從該公司的財(cái)報(bào)電
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2年來最高價(jià) 內(nèi)存今年暴漲60%:短期內(nèi)無解
- 最近有買內(nèi)存的小伙伴嗎?內(nèi)存條的價(jià)格是不是在悄然上漲?據(jù)供應(yīng)鏈消息,DRAM內(nèi)存顆粒的現(xiàn)貨價(jià)格最近極速上漲,今年初到現(xiàn)在已經(jīng)漲了60%多,是2019年3月份以來的最高價(jià)格水平。內(nèi)存價(jià)格大漲與多方面需求有關(guān),PC、消費(fèi)電子以及汽車行業(yè)的生產(chǎn)正在迅速恢復(fù),導(dǎo)致內(nèi)存芯片需求意外增長。這一次的內(nèi)存價(jià)格上漲還看不到頭,短期內(nèi)無法解決,三星、SK海力士及美光三大內(nèi)存巨頭過去兩年就在削減內(nèi)存產(chǎn)能,再加上最近半年來全球半導(dǎo)體產(chǎn)能緊張,各種電子元件都在漲價(jià),內(nèi)存價(jià)格已經(jīng)無法回頭。唯一的變數(shù)就要看國產(chǎn)內(nèi)存了,生產(chǎn)內(nèi)存模組的廠
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廠商預(yù)計(jì)內(nèi)存明年價(jià)格或上調(diào)40%
- 半導(dǎo)體最近各種缺貨、漲價(jià)消息不斷,一系列元器件供需緊張的情況下,漲價(jià)趨勢顯然已經(jīng)開始傳到到我們最關(guān)心的存儲領(lǐng)域了?! ?1 漲價(jià)大幕即將開啟 內(nèi)存跌價(jià)2年來,現(xiàn)在又到了一個(gè)新階段,原本預(yù)期明年下半年才可能止跌回升,但是最近內(nèi)存行業(yè)已經(jīng)開始蠢蠢欲動,某些特定類型的內(nèi)存率先拉開漲價(jià)之門,利基型內(nèi)存明年甚至要漲40%之多?! ±蛢?nèi)存(Specialty DRAM,又稱特制內(nèi)存)是一種特殊內(nèi)存,主要用于各種嵌入式、消費(fèi)電子市場,相對來說比較低端,而且占全部內(nèi)存份額約為10%左右,遠(yuǎn)不如PC/服務(wù)器內(nèi)存、移
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受華為斷供影響,DRAM 十月份價(jià)格暴跌 9%
- 11月1日消息 據(jù)韓媒 The Lec 今日報(bào)道,今年十月份,DRAM 和 NAND 價(jià)格遭遇集體暴跌。分析師認(rèn)為,這是由于美國對華為的制裁所致,這加劇了存儲芯片市場價(jià)格的下跌。據(jù)市場研究公司 DRAM Exchange 上個(gè)月 30 日的統(tǒng)計(jì),截至 10 月底,PC DRAM(DDR4 8Gb)的固定交易價(jià)格為 2.85 美元,相比 9 月份的交易價(jià)格下降 8.9%。這與八月和九月連續(xù)第二個(gè)月保持平穩(wěn)的情況形成了對比,就 NAND 閃存而言,128GB 存儲卡和用于 USB 的多層單元存儲(MLC)
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完全漲不動:內(nèi)存價(jià)格繼續(xù)觸底
- 根據(jù)IC Insights的分析報(bào)告,DRAM內(nèi)存芯片在今年底之前將繼續(xù)呈現(xiàn)下滑態(tài)勢。簡單回顧下,內(nèi)存跌價(jià)大致是從2018下半年開始,2019年12月均價(jià)一度跌至3.9美元。盡管今年上半年,由于新冠肺炎的原因,在家辦公、遠(yuǎn)程學(xué)習(xí)等推動了PC等設(shè)備的需求增長,內(nèi)存價(jià)格有所小幅反彈,但持續(xù)的時(shí)間并不長。6月份DRAM均價(jià)是3.7美元,7、8月份則在3.51美元處徘徊。通常來說,三四季度是DRAM價(jià)格大幅飆升的旺季,可今年的情況大家都懂,無論是廠商還是個(gè)人消費(fèi)者,其季節(jié)性的購買行為也被擾亂了。另外,盡管5G智能
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三星、SK海力士、美光停止向華為供貨:內(nèi)存供大于求將持續(xù)到明年
- 對于華為來說,隨著三星、SK海力士、美光三大內(nèi)存廠商的停止供貨,這也給內(nèi)存市場帶來了不小的傷害。昨天,美光公布的財(cái)報(bào)顯示,該公司已在9月14日停止向華為出貨。受此消息影響,美光股價(jià)在盤后交易中下挫3.6%。美光CEO 桑杰 · 梅洛特 (Sanjay Mehrotra)稱,華為是美光的最大客戶,公司需要時(shí)間來彌補(bǔ)損失的訂單。跟美光一樣的是,由于無法在向華為供貨,服務(wù)器內(nèi)存的現(xiàn)貨上漲價(jià)格趨勢將停止,三星、SK海力士正在遭遇艱難時(shí)刻。據(jù)悉,華為一直是三星和SK海力士的主要客戶,分別占兩家公司銷售額的3%和12
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HBM2E 和GDDR6: AI內(nèi)存解決方案
- 前言人工智能/機(jī)器學(xué)習(xí)(AI/ML)改變了一切,影響著每個(gè)行業(yè)并觸動著每個(gè)人的生 活。人工智能正在推動從5G到物聯(lián)網(wǎng)等一系列技術(shù)市場的驚人發(fā)展。從2012年到 2019年,人工智能訓(xùn)練集增長了30萬倍,每3.43個(gè)月翻一番,這就是最有力的證 明。支持這一發(fā)展速度需要的遠(yuǎn)不止摩爾定律所能實(shí)現(xiàn)的改進(jìn),摩爾定律在任何情況下都在放緩,這就要求人工智能計(jì)算機(jī)硬件和軟件的各個(gè)方面都需要不斷的快速改進(jìn)。從2012年至今,訓(xùn)練能力增長了30萬倍內(nèi)存帶寬將成為人工智能持續(xù)增長的關(guān)鍵焦點(diǎn)領(lǐng)域之一。以先進(jìn)的駕駛員輔助系
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內(nèi)存、SSD價(jià)格恐崩盤:三星等存儲廠商積壓4個(gè)月庫存
- 自Digitimes的最新報(bào)道稱,包括三星電子在內(nèi)的主要芯片廠商積壓了多達(dá)四個(gè)月的DRAM和NAND庫存。積壓的原因要?dú)w咎于需求疲軟,數(shù)據(jù)中心頂不上,消費(fèi)級同樣慘淡,當(dāng)然,都是被疫情“拖累”了。雖然因返校季的到來,已經(jīng)進(jìn)入傳統(tǒng)旺季時(shí)間,可如果不降價(jià)就企圖消化如此多的庫存、回籠資金,并不現(xiàn)實(shí)。這也呼應(yīng)了此前宇瞻總經(jīng)理張家騉的判斷,他當(dāng)時(shí)表示,DRAM和NAND存儲芯片供過于求的局面將一直持續(xù)到明年上半年。考慮到NVIDIA剛剛發(fā)布RTX 30系顯卡、Intel發(fā)布Tiger Lake 11代酷睿處理器以及A
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內(nèi)存、SSD存儲芯片價(jià)格年底前要跌10%
- 考慮裝機(jī)DIY的用戶們,可以稍安勿躁,好消息拍馬趕到。來自Digitimes的最新報(bào)道稱,業(yè)內(nèi)消息顯示,存儲類芯片產(chǎn)品的價(jià)格將在今年第四季度環(huán)比下跌10%,注意,這包括但不限于DRAM和NAND。DRAM就是DDR內(nèi)存芯片,NAND就是閃存芯片,換言之,內(nèi)存條、SSD的價(jià)格將進(jìn)一步松動。此次價(jià)格下探的原因在于庫存擠壓,這與上半年疫情的因素影響有關(guān)。由于四季度是傳統(tǒng)的出貨旺季,包括覆蓋感恩節(jié)、圣誕節(jié)、雙11、雙12等購物狂歡活動,廠商和渠道商們寄望于借此來快速消化庫存,回籠資金。事實(shí)上,上周,宇瞻總經(jīng)理張家
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內(nèi)存條價(jià)格下降,三星:都是因?yàn)橹袊鴱S商能夠造存儲芯片了
- 最近一段時(shí)間,內(nèi)存條的價(jià)格降了不少。這一點(diǎn)據(jù)說主要是因?yàn)橹袊恍S商,例如合肥長鑫現(xiàn)在也能夠造存儲芯片了,畢竟這種東西以前的確是真正的高科技,中國在這方面一直無法取得突破。發(fā)達(dá)國家的幾個(gè)公司能夠壟斷這個(gè)存儲芯片的生產(chǎn),所以價(jià)格自然定得很高,最有名的就是三星了。記得三星某一年其他的產(chǎn)業(yè)上虧損了不少,但是他拆東墻補(bǔ)西墻,把存儲這一塊的價(jià)格往上漲了不少,結(jié)果那一年三星成功的扭虧為盈。三星能夠如此厲害的掌控整個(gè)世界的存儲產(chǎn)業(yè),就是因?yàn)樗谶@個(gè)產(chǎn)業(yè)上幾乎占有絕對壟斷的地位。某一天他想在存儲上賺錢了,他就找一些理由,
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PC 新時(shí)代!DDR5 內(nèi)存規(guī)范正式發(fā)布:最高速度達(dá) 6.4Gbps,單芯片密度達(dá) 64Gbit
- 作為計(jì)算機(jī)內(nèi)存發(fā)展的重要里程碑,JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會發(fā)布了下一個(gè)主流內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)DDR5 SDRAM的最終規(guī)范。DDR5是DDR標(biāo)準(zhǔn)的最新迭代,DDR5再次擴(kuò)展了DDR內(nèi)存的功能,將峰值內(nèi)存速度提高了一倍,同時(shí)也大大增加了內(nèi)存容量?;谛聵?biāo)準(zhǔn)的硬件預(yù)計(jì)將于2021年推出,先從服務(wù)器層面開始采用,之后再逐步推廣到消費(fèi)者PC和其他設(shè)備。外媒anandtech報(bào)道,和之前的每一次DDR迭代一樣,DDR5的主要關(guān)注點(diǎn)再次放在提高內(nèi)存密度以及速度上。JEDEC希望將這兩方面都提高一倍,最高內(nèi)存速度將達(dá)到6.4Gbps
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DDR5 內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)來了:頻率、帶寬提升,功耗降低
- 去年下半年開始,使用 LPDDR5 內(nèi)存的手機(jī)陸續(xù)發(fā)布。雖然用于電腦的 DDR5 內(nèi)存與用于手機(jī)的 LPDDR5 并不相同,但這也讓許多 DIY 玩家期待 DDR5 內(nèi)存的到來,那么它今天真的來了。JEDEC 固態(tài)技術(shù)協(xié)會最初計(jì)劃在 2018 年公布 DDR5 SDRAM 最終規(guī)范,但是很顯然跳票了。兩年后的今天,新規(guī)范正式公布,同時(shí)各大內(nèi)存廠商也表示基于新規(guī)范的內(nèi)存產(chǎn)品最快年內(nèi)就能進(jìn)行量產(chǎn),不過一開始會用在服務(wù)器上,后來才是家用 PC 以及其他設(shè)備。本次的新標(biāo)準(zhǔn)主要提升了內(nèi)存密度和頻率,其中
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hbm 內(nèi)存介紹
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歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對hbm 內(nèi)存的理解,并與今后在此搜索hbm 內(nèi)存的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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