hbm 內(nèi)存文章進(jìn)入hbm 內(nèi)存技術(shù)社區(qū)

價格暴漲500%，HBM市場徹底被引爆

內(nèi)存技術(shù)作為計算機(jī)系統(tǒng)的核心組成部分，其性能的提升對于整體計算能力的提升至關(guān)重要。在這個背景下，高帶寬內(nèi)存（HBM）以其卓越的性能表現(xiàn)，正逐漸在內(nèi)存技術(shù)領(lǐng)域嶄露頭角，成為推動計算領(lǐng)域進(jìn)入全新時代的關(guān)鍵力量。相較于傳統(tǒng)的動態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存（DRAM），HBM 的性能優(yōu)勢顯而易見。遠(yuǎn)遠(yuǎn)超越 DDRDDR 是一種常見的計算機(jī)內(nèi)存類型，最早是為了提高內(nèi)存?zhèn)鬏斔俾识O(shè)計的。它采用了雙倍數(shù)據(jù)傳輸技術(shù)，即在每個時鐘周期內(nèi)可以傳輸兩次數(shù)據(jù)，從而提高了數(shù)據(jù)傳輸速率。目前最常見的 DDR 版本是 DDR4、DDR5，但在過去還
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SK海力士“狂飆”，HBM是“救命良藥”

最近，SK 海力士披露了亮眼的第四季度財報，2023 年第四季度實現(xiàn)扭虧為盈，當(dāng)季營業(yè)利潤 3460 億韓元（約合 2.6 億美元），而上年同期營業(yè)虧損 1.91 萬億韓元。這意味著，SK 海力士成功擺脫了從 2022 年第四季度以來一直持續(xù)的營業(yè)虧損情況。相比之下，同為韓國半導(dǎo)體巨頭的三星，業(yè)績卻不盡如人意。數(shù)據(jù)顯示，三星電子去年銷售額為 258.16 萬億韓元（1.4 萬億元人民幣），同比下滑 14.58%。受半導(dǎo)體部門業(yè)績不佳影響，三星電子全年營業(yè)利潤時隔 15 年再次跌至 10 萬億韓元（544
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為什么仍然沒有商用3D-IC？

摩爾不僅有了一個良好的開端，但接下來的步驟要困難得多。
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對內(nèi)存的重新思考

馮·諾依曼架構(gòu)將繼續(xù)存在，但人工智能需要新的架構(gòu)，3D 結(jié)構(gòu)需要新的測試工具。
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三星新設(shè)內(nèi)存研發(fā)機(jī)構(gòu)：建立下一代3D DRAM技術(shù)優(yōu)勢

三星稱其已經(jīng)在美國硅谷開設(shè)了一個新的內(nèi)存研發(fā)（R&D）機(jī)構(gòu)，專注于下一代3D DRAM芯片的開發(fā)。該機(jī)構(gòu)將在設(shè)備解決方案部門美國分部（DSA）的硅谷總部之下運(yùn)營，由三星設(shè)備解決方案部門首席技術(shù)官、半導(dǎo)體研發(fā)機(jī)構(gòu)的主管Song Jae-hyeok領(lǐng)導(dǎo)。全球最大的DRAM制造商自1993年市場份額超過東芝以來，三星在隨后的30年里，一直是全球最大的DRAM制造商，市場份額要明顯高于其他廠商，但仍需要不斷開發(fā)新的技術(shù)、新的產(chǎn)品，以保持他們在這一領(lǐng)域的優(yōu)勢。三星去年9月推出了業(yè)界首款且容量最高的32 Gb
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DDR硬件設(shè)計要點

1. 電源 DDR的電源可以分為三類：a主電源VDD和VDDQ，主電源的要求是VDDQ=VDD，VDDQ是給IO buffer供電的電源，VDD是給但是一般的使用中都是把VDDQ和VDD合成一個電源使用。有的芯片還有VDDL，是給DLL供電的，也和VDD使用同一電源即可。電源設(shè)計時，需要考慮電壓，電流是否滿足要求，電源的上電順序和電源的上電時間，單調(diào)性等。電源電壓的要求一般在±5%以內(nèi)。電流需要根據(jù)使用的不同芯片，及芯片個數(shù)等進(jìn)行計算。由于DDR的電流一般都比較大，所以PCB設(shè)計時，如果有一個完整的電源平
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華邦電子新年展望——技術(shù)發(fā)展不可阻擋，內(nèi)存市場趨穩(wěn)求進(jìn)

華邦電子新年展望——技術(shù)發(fā)展不可阻擋，內(nèi)存市場趨穩(wěn)求進(jìn)
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大廠有意擴(kuò)產(chǎn)DDR5、HBM 內(nèi)存

內(nèi)存產(chǎn)業(yè)復(fù)蘇明確，包括旺宏、南亞科、創(chuàng)見、鑫創(chuàng)、廣穎、鈺創(chuàng)、商丞等七家公司，去年12月營收呈現(xiàn)月增，且2024年第一季DRAM及NAND Flash合約價續(xù)漲。然全球第二大內(nèi)存生產(chǎn)商SK海力士計劃階段性擴(kuò)產(chǎn)，為內(nèi)存市況投下變量。海力士透露，公司可能于第一季縮小DRAM減產(chǎn)幅度，NAND Flash生產(chǎn)策略可能視情況在第二季或第三季跟著調(diào)整。針對內(nèi)存大廠有意擴(kuò)產(chǎn)，國內(nèi)存儲器廠商則認(rèn)為，海力士擴(kuò)廠應(yīng)集中在DDR5和HBM（高帶寬內(nèi)存）產(chǎn)品為主，因為臺灣目前產(chǎn)品主攻DDR4，不致影響產(chǎn)品報價。TrendForc
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你所需要知道的HBM技術(shù)

在2024年即將到來之際，多家機(jī)構(gòu)給出預(yù)測，認(rèn)定生成式AI將成為2024年的增長重點之一?；仡?023年，年初的ChatGPT引爆了今年的生成式AI熱潮，不僅僅是下游市場的AI應(yīng)用，這股大火一直燒到了上游芯片領(lǐng)域，根據(jù)權(quán)威機(jī)構(gòu)預(yù)測，2023年和2024年，AI服務(wù)器將有38%左右的增長空間。隨著GPU等AI芯片走向高峰的同時，也極大帶動了市場對新一代內(nèi)存芯片HBM（高帶寬內(nèi)存）的需求。 HBM是何方神圣？首先，我們先來了解一下什么是HBM。HBM全稱為High Bandwich Me
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三大原廠 HBM 路線圖

預(yù)計英偉達(dá) HBM3e 驗證將于 2024 Q1 完成。
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DRAM掀起新一輪熱潮，封裝技術(shù)發(fā)揮關(guān)鍵作用

處理器，無論是 CPU、GPU、FPGA，還是 NPU，要想正常運(yùn)行，都離不開 RAM，特別是 DRAM（動態(tài)隨機(jī)存取存儲器），它已經(jīng)成為各種系統(tǒng)（PC，手機(jī)，數(shù)據(jù)中心等）中內(nèi)存的代名詞。根據(jù)應(yīng)用不同，系統(tǒng)對芯片面積和功耗有不同要求，因此，DRAM 被分成標(biāo)準(zhǔn) DDR（雙倍數(shù)據(jù)速率）、LPDDR、GDDR 等，當(dāng)然，主要就是這三類。其中，DDR 是相對于 SDR（單數(shù)據(jù)速率）而言的，將 I/O 時鐘加倍了，主要為 PC 和數(shù)據(jù)中心的 CPU 服務(wù)，目前已經(jīng)發(fā)展到 DDR5；LPDDR 是低功耗的 DDR，
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SK海力士成立新部門負(fù)責(zé)AI半導(dǎo)體業(yè)務(wù)

據(jù)韓媒，韓國SK海力士公司周四表示，將成立一個名為AI Infra的新部門，負(fù)責(zé)人工智能（AI）半導(dǎo)體相關(guān)業(yè)務(wù)，由現(xiàn)任全球銷售營銷部門負(fù)責(zé)人Kim Juseon管理。報道稱，新部門將整合分散在公司內(nèi)部的高帶寬內(nèi)存（HBM）能力和功能，還將主導(dǎo)新一代HBM芯片等人工智能技術(shù)的發(fā)展，尋找并開發(fā)新市場。
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美光高性能內(nèi)存與存儲，推動 AI 豐富殘障人士生活體驗

美光云計算高級業(yè)務(wù)發(fā)展經(jīng)理 Eric Booth 90 歲的祖母患有嚴(yán)重的聽力障礙，即使佩戴助聽器也很難聽清別人在說什么。Eric 注意到，她需要湊近講話者，識別他們的唇語，努力理解他們的話語。而當(dāng)多人進(jìn)行交談時，她常常會感到迷茫。Eric 萌生了一個想法：為何不用祖母的智能手機(jī)幫她來“傾聽”呢？他打開手機(jī)的記事簿功能，按下麥克風(fēng)按鈕，向她展示了手機(jī)如何將他的話轉(zhuǎn)錄成屏幕上的文字。他表示：“我的祖母非常興奮，笑得合不攏嘴，她現(xiàn)在可以參與到從前無法進(jìn)行的對話中?！边@也讓我們看到了該技術(shù)如何切實改善了言語、語
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存儲器大廠積極布局，DDR5與HBM受青睞

今年以來，ChatGPT持續(xù)推動生成式AI需求上漲，加上PC與服務(wù)器領(lǐng)域平臺不斷推陳出新，HBM與DDR5等高附加值DRAM芯片備受市場青睞，存儲器大廠不約而同積極布局上述產(chǎn)品。DDR5：美光發(fā)布新品、三星計劃擴(kuò)大產(chǎn)線當(dāng)前DDR5制程已經(jīng)來到1β DRAM，今年10月美光科技宣布推出基于1β技術(shù)的DDR5內(nèi)存，速率高達(dá) 7200 MT/s，現(xiàn)已面向數(shù)據(jù)中心及 PC 市場的所有客戶出貨。此外，該款DDR5內(nèi)存采用先進(jìn)的High-K CMOS器件工藝、四相時鐘和時鐘同步技術(shù)，相比上一代產(chǎn)品，性能提升高
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一文看懂TSV技術(shù)

前言從HBM存儲器到3D NAND芯片，再到CoWoS，硬件市場上有許多芯片是用英文稱為TSV構(gòu)建的，TSV是首字母縮寫，TSV（Through Silicon Via）中文為硅通孔技術(shù)。它是通過在芯片與芯片之間、晶圓和晶圓之間制作垂直導(dǎo)通；TSV技術(shù)通過銅、鎢、多晶硅等導(dǎo)電物質(zhì)的填充，實現(xiàn)硅通孔的垂直電氣互聯(lián)，這項技術(shù)是目前唯一的垂直電互聯(lián)技術(shù)，是實現(xiàn)3D先進(jìn)封裝的關(guān)鍵技術(shù)之一。在本文中，我們將告訴您它們是什么，它們?nèi)绾喂ぷ饕约八鼈兊挠猛?。?000年的第一個月，Santa Clara Universi
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