大廠有意擴(kuò)產(chǎn)DDR5、HBM 內(nèi)存

內(nèi)存產(chǎn)業(yè)復(fù)蘇明確，包括旺宏、南亞科、創(chuàng)見、鑫創(chuàng)、廣穎、鈺創(chuàng)、商丞等七家公司，去年12月營收呈現(xiàn)月增，且2024年第一季DRAM及NAND Flash合約價續(xù)漲。然全球第二大內(nèi)存生產(chǎn)商SK海力士計劃階段性擴(kuò)產(chǎn)，為內(nèi)存市況投下變量。

海力士透露，公司可能于第一季縮小DRAM減產(chǎn)幅度，NAND Flash生產(chǎn)策略可能視情況在第二季或第三季跟著調(diào)整。

針對內(nèi)存大廠有意擴(kuò)產(chǎn)，國內(nèi)存儲器廠商則認(rèn)為，海力士擴(kuò)廠應(yīng)集中在DDR5和HBM（高帶寬內(nèi)存）產(chǎn)品為主，因?yàn)榕_灣目前產(chǎn)品主攻DDR4，不致影響產(chǎn)品報價。

TrendForce日前報告指出，2024年第一季DRAM合約價季增約13～18％，NAND Flash合約價季漲幅約15～20％。TrendForce表示，原廠在2024年需求展望不明之際，持續(xù)減產(chǎn)，維持產(chǎn)業(yè)供需平衡，第一季DRAM漲幅，以Mobile DRAM的18～23％最大，主因在于買方傾向于合約價于歷史相對低點(diǎn)時建立安全庫存水位，持續(xù)放大備貨需求。

在Server和PC DRAM上，由于DDR5滲透率持續(xù)提升，原廠亦持續(xù)擴(kuò)大利潤較佳的DDR5出貨占比，本季漲幅均為10～15％。

至于臺廠著墨較深的Consumer DRAM，雖進(jìn)入產(chǎn)業(yè)淡季影響終端銷售，但原廠強(qiáng)勢拉抬報價致使買方提前備貨，其中，DDR4產(chǎn)能受高帶寬內(nèi)存（HBM）和DDR5排擠，本季漲幅為10～15％，DDR3則在庫存水位較高下，本季漲幅均為8～13％。

在NAND部分，盡管適逢傳統(tǒng)淡季，需求呈現(xiàn)下降趨勢，但為避免缺貨，買方持續(xù)擴(kuò)大NAND Flash產(chǎn)品采購以建立安全庫存水位，而供貨商為減少虧損，對于推高價格勢在必行，各項產(chǎn)品多有雙位數(shù)漲幅。惟NAND Flash Wafer由于短期漲幅已高，加上第一季需求尚未全面復(fù)蘇，模塊廠開始銷售Wafer庫存，鎖定獲利及維持營運(yùn)現(xiàn)金流，導(dǎo)致買方追價意愿降低。第一季NAND Flash Wafer合約價季漲幅收斂，TrendForce預(yù)估約8～13％。