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黃仁勛：三星是一家非常優(yōu)秀的公司，英偉達(dá)正驗證其 HBM 內(nèi)存

3 月 20 日消息，本周二在美國加州圣何塞舉辦的媒體吹風(fēng)會上，英偉達(dá)首席執(zhí)行官黃仁勛表示：“HBM 內(nèi)存不僅生產(chǎn)難度高，而且成本非常高，我們在 HBM 上可謂是一擲千金”。黃仁勛將 HBM 稱為“技術(shù)奇跡”（technological miracle），相比較傳統(tǒng) DRAM，不僅可以提高數(shù)據(jù)中心的性能，功耗方面明顯更低。在本次吹風(fēng)會之前，網(wǎng)絡(luò)上有不少消息稱英偉達(dá)會從三星采購 HBM3 或 HBM3E 等內(nèi)存，而在本次吹風(fēng)會上，黃仁勛正面表示：“三星是一家非常非常優(yōu)秀的公司”（Samsung is a v
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三星計劃今年底明年初推出 AI 芯片 Mach-1，采用 LPDDR 內(nèi)存

3 月 20 日消息，三星電子 DS（設(shè)備解決方案）部門負(fù)責(zé)人慶桂顯（Kye Hyun Kyung）在今日的三星電子股東大會上宣布，三星電子計劃今年底明年初推出采用 LPDDR 內(nèi)存的 AI 芯片 Mach-1。慶桂顯表示，Mach-1 芯片已完成基于 FPGA 的技術(shù)驗證，正處于 SoC 設(shè)計階段。該 AI 芯片將于今年底完成制造過程，明年初推出基于其的 AI 系統(tǒng)。韓媒 Sedaily 報道指，Mach-1 芯片基于非傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)，可將片外內(nèi)存與計算芯片間的瓶頸降低至現(xiàn)有 AI 芯片的 1/8。此外，該芯
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存儲大廠現(xiàn)場展示HBM3E產(chǎn)品

近日，存儲大廠美光科技在GTC 2024活動，展示一系列存儲解決方案。該公司此前剛宣布8層堆疊HBM3E已量產(chǎn)，并預(yù)計2024年第二季搭配NVIDIA H200 GPU出貨。美光展示的解決方案，分別包括8層堆疊24GB HBM3E解決方案與后續(xù)12層36GB HBM3E解決方案；使用單片晶粒具低延遲與低功耗優(yōu)勢的DDR5 RDIMM；支持NVIDIA Grace CPU的LPDDR5X存儲解決方案與LPCAMM2模組；可提供AI與存儲器工作負(fù)載所需的容量、頻寬、彈性的CXL存儲器模組，并攜手MemVerg
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集邦咨詢：存儲新技術(shù)DDR、HBM等大放異彩

邁過2023年的經(jīng)濟(jì)逆風(fēng)行業(yè)下行周期，2024年存儲市場起勢，存儲芯片價格上漲。為了適配近兩年人工智能熱浪需求，存儲新技術(shù)革新步伐加速，DDR、LPDDR、GDDR新技術(shù)在2024年迎來放量周期；HBM加速邁進(jìn)，HBM3/HBM3e持續(xù)突破，有望帶動存儲市場迸發(fā)新的活力。一2024是DRAM技術(shù)迸發(fā)活力的一年從1998年三星生產(chǎn)出最早的商用DDR SDRAM芯片，到DDR1、DDR2、DDR3、DDR4的延續(xù)，再到今年躍升主流的DDR5，和即將到來的DDR6、DDR7，DRAM技術(shù)還在持續(xù)突破。按照不
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2024年，存儲新技術(shù)DDR、HBM等大放異彩！

邁過2023年的經(jīng)濟(jì)逆風(fēng)行業(yè)下行周期，2024年存儲市場起勢，存儲芯片價格上漲。為了適配近兩年人工智能熱浪需求，存儲新技術(shù)革新步伐加速，DDR、LPDDR、GDDR新技術(shù)在2024年迎來放量周期；HBM加速邁進(jìn)，HBM3/HBM3e持續(xù)突破，有望帶動存儲市場迸發(fā)新的活力。一2024是DRAM技術(shù)迸發(fā)活力的一年從1998年三星生產(chǎn)出最早的商用DDR SDRAM芯片，到DDR1、DDR2、DDR3、DDR4的延續(xù)，再到今年躍升主流的DDR5，和即將到來的DDR6、DDR7，DRAM技術(shù)還在持續(xù)突破。按照不同的
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三星否認(rèn)將 MR-MUF 堆疊方案引入 HBM 生產(chǎn)，稱現(xiàn)有 TC-NCF 方案效果良好

IT之家 3 月 14 日消息，據(jù)韓媒 NEWSIS 報道，三星電子否認(rèn)了近日路透社的說法，表示并未考慮使用 MR-RUF 方式生產(chǎn) HBM 內(nèi)存。HBM 由多層 DRAM 堆疊而成，目前連接各層 DRAM 的鍵合工藝主要有兩個流派：SK 海力士使用的 MR-RUF 和三星使用的 TC-NCF。MR-RUF 即批量回流模制底部填充，通過回流焊一次性粘合，然后同時用模塑料填充間隙；而 TC-NCF 中文稱熱壓非導(dǎo)電薄膜，是一種在各 DRAM 層間填充非導(dǎo)電薄膜（NCF）的熱壓鍵合方式。隨著 HBM
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服務(wù)器內(nèi)部揭秘（CPU、內(nèi)存、硬盤）

服務(wù)器作為網(wǎng)絡(luò)的節(jié)點，存儲、處理網(wǎng)絡(luò)上80％的數(shù)據(jù)、信息，被稱為互聯(lián)網(wǎng)的靈魂。它不僅是一個簡單的機(jī)器，更像是一個精密的工程，由多個關(guān)鍵組件相互配合，以實現(xiàn)高效的數(shù)據(jù)處理和存儲。01?什么是服務(wù)器服務(wù)器是在網(wǎng)絡(luò)中為其他客戶機(jī)提供服務(wù)的高性能計算機(jī)：具有高速的CPU運算能力，能夠長時間的可靠運行，有強(qiáng)大的I/O外部數(shù)據(jù)吞吐能力以及更好的擴(kuò)展性。服務(wù)器的內(nèi)部結(jié)構(gòu)與普通計算機(jī)內(nèi)部結(jié)構(gòu)類似（CPU、硬盤、內(nèi)存、系統(tǒng)總線等）。服務(wù)器Server：間接服務(wù)于多人；個人計算機(jī)PC：直接服務(wù)于個人。02 服務(wù)器的
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存儲大廠10億美元加碼HBM先進(jìn)封裝

SK海力士負(fù)責(zé)封裝開發(fā)的李康旭副社長認(rèn)為，半導(dǎo)體行業(yè)前50年都在專注芯片本身的設(shè)計和制造，但是，下一個 50 年，一切將圍繞芯片封裝展開。據(jù)彭博社報道，SK海力士（SK Hynix）今年將在韓國投資超過10億美元，用于擴(kuò)大和改進(jìn)其芯片制造的最后步驟，即先進(jìn)封裝。前三星電子工程師、現(xiàn)任 SK Hynix 封裝開發(fā)主管的李康旭表示，推進(jìn)封裝工藝創(chuàng)新是提高HBM性能、降低功耗的關(guān)鍵所在，也是SK海力士鞏固HBM市場領(lǐng)先地位的必由之路。高度聚焦先進(jìn)封裝SK海力士HBM不斷擴(kuò)產(chǎn)SK海力士在最近的財報中表示，
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HBM：屬于大廠的游戲，而非全部存儲廠商的狂歡？

近期，存儲廠商南亞科總經(jīng)理李培瑛對外表示，HBM目前產(chǎn)品溢價較高，確實會對存儲器廠商營收有所貢獻(xiàn)，但其占全球DRAM位元數(shù)僅約2%。因此，以當(dāng)前南亞科在DRAM市場的市占率而言，現(xiàn)階段不適合公司投入大量資源爭奪HBM市場。存儲市場正掀起AI狂歡熱潮，HBM技術(shù)也從幕后走向臺前，并成為推動存儲器產(chǎn)業(yè)發(fā)展的強(qiáng)勁動能。不過，HBM技術(shù)含量高、在DRAM占比小，因此決定了該技術(shù)是屬于三星、SK海力士、美光等大廠的“游戲”，而非全部存儲廠商的“狂歡”。如今，存儲大廠的HBM戰(zhàn)局已然打響，并瞄準(zhǔn)了最新的HBM3E技術(shù)
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DDR之頻率

大家好，我是蝸牛兄。本文主要介紹DDR常用的三種頻率，以及梳理內(nèi)存頻率是怎樣提升的。可能這篇文章對于電路設(shè)計用處不大，但多了解一點總是沒壞處的。圖1 文章框圖通過下面這張表，我們一起來了解一下內(nèi)存DDR的頻率。圖2 內(nèi)存頻率表格從表中可以看出內(nèi)存有三種頻率，分別是核心頻率，工作頻率和等效頻率。而我們平時所說的頻率就是等效頻率。從表格中我們可以得出以下信息：1、核心頻率，指真正讀寫內(nèi)存顆粒的頻率，它是固定不變的，一般是133，166，和200MHz三類，這個頻率提升很難。2、工作頻率，DDR工作頻率是顆粒核
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美光開始量產(chǎn)行業(yè)領(lǐng)先的HBM3E解決方案，加速人工智能發(fā)展

全球內(nèi)存與存儲解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商 Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司）近日宣布已開始量產(chǎn)其 HBM3E 高帶寬內(nèi)存解決方案。英偉達(dá) H200 Tensor Core GPU 將采用美光 8 層堆疊的 24GB 容量 HBM3E 內(nèi)存，并于 2024 年第二季度開始出貨。美光通過這一里程碑式進(jìn)展持續(xù)保持行業(yè)領(lǐng)先地位，并且憑借 HBM3E 的超凡性能和能效為人工智能（AI）解決方案賦能。HBM3E：推動人工智能革命隨著人工智能需求的持續(xù)激增，內(nèi)存解決方案對于滿足工作負(fù)載需求
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全球HBM戰(zhàn)局打響！

AI服務(wù)器浪潮席卷全球，帶動AI加速芯片需求。DRAM關(guān)鍵性產(chǎn)品HBM異軍突起，成為了半導(dǎo)體下行周期中逆勢增長的風(fēng)景線。業(yè)界認(rèn)為，HBM是加速未來AI技術(shù)發(fā)展的關(guān)鍵科技之一。近期，HBM市場動靜不斷。先是SK海力士、美光科技存儲兩大廠釋出2024年HBM產(chǎn)能售罄。與此同時，HBM技術(shù)再突破、大客戶發(fā)生變動、被劃進(jìn)國家戰(zhàn)略技術(shù)之一...一時間全球目光再度聚焦于HBM。1HBM：三分天下HBM（全稱為High Bandwidth Memory），是高帶寬存儲器，是屬于圖形DDR內(nèi)存的一種。從技術(shù)原理上講，HB
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美光高性能內(nèi)存和存儲助力榮耀 Magic6 Pro 智能手機(jī)提升邊緣 AI 體驗

2024 年 3 月 1 日，中國上海 —— Micron Technology，Inc. （美光科技股份有限公司，納斯達(dá)克股票代碼：MU）今日宣布美光低功耗 LPDDR5X 內(nèi)存和 UFS 4.0 移動閃存助力榮耀最新款旗艦智能手機(jī)榮耀 Magic6 Pro 提供端側(cè)人工智能體驗。該手機(jī)支持 70 億參數(shù)的大語言模型（LLM）——“魔法大模型”（MagicLM），開創(chuàng)了端側(cè)生成式人工智能新時代。榮耀 Magic6 Pro 以MagicLM 大語言模型為核心，在美光內(nèi)存和存儲的加持下，實現(xiàn)了升級版預(yù)測性和
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美光、SK海力士今年HBM已售罄

繼此前美光宣布 HBM 產(chǎn)能全部售罄之后，SK 海力士今年的 HBM 產(chǎn)能也已經(jīng)全部售罄。
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兩家存儲大廠：今年HBM售罄

近期，SK海力士副社長Kim Ki-tae表示，今年公司的HBM已經(jīng)售罄，已開始為2025年做準(zhǔn)備。稍早之前，美光科技CEO Sanjay Mehrotra也對外透露，美光2024年的HBM產(chǎn)能預(yù)計已全部售罄。生成式AI火熱發(fā)展，推動了云端高性能AI芯片對于高帶寬內(nèi)存（HBM）的旺盛需求，存儲大廠積極瞄準(zhǔn)HBM擴(kuò)產(chǎn)。其中，三星電子從2023年四季度開始擴(kuò)大HBM3的供應(yīng)。此前2023年四季度三星內(nèi)部消息顯示，已經(jīng)向客戶提供了下一代HBM3E的8層堆疊樣品，并計劃在今年上半年開始量產(chǎn)。到下半年，其占比預(yù)計將
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