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EEPW首頁 >> 主題列表 >> hbm 內(nèi)存

hbm 內(nèi)存 文章 進入hbm 內(nèi)存技術社區(qū)

有望改變 AI 半導體規(guī)則，消息稱三星電子年內(nèi)將推出 HBM 三維封裝技術 SAINT-D

  • IT之家 6 月 18 日消息，據(jù)韓媒《韓國經(jīng)濟日報》報道，三星電子將于年內(nèi)推出可將 HBM 內(nèi)存與處理器芯片 3D 集成的 SAINT-D 技術。報道同時指出，在今年發(fā)布后，三星有望于明年推出的 HBM4 內(nèi)存中正式應用 SAINT（IT之家注：即 Samsung Advanced INterconnect Technology 的簡寫）-D 技術。SAINT-D 是三星電子的一項 3DIC 先進封裝技術，旨在垂直集成邏輯裸片和 DRAM 內(nèi)存裸片。報道
  • 關鍵字： HBM  內(nèi)存  三星  

中國臺灣AI關鍵組件的發(fā)展現(xiàn)況與布局

  • 就人工智能（AI）裝置的硬件來看，關鍵的零組件共有四大塊，分別是邏輯運算、內(nèi)存、PCB板、以及散熱組件。他們扮演著建構穩(wěn)定運算處理的要角，更是使用者體驗能否優(yōu)化的重要輔助。而隨著AI大勢的來臨，中國臺灣業(yè)者也已做好準備，準備在這些領域上大展拳腳。邏輯組件扮樞紐 中國臺灣IC設計有商機對整個AI運算來說，最關鍵就屬于核心處理組件的部分。盡管中國臺灣沒有強大的CPU與GPU技術供貨商，但在AI ASIC芯片設計服務與IP供應方面，則是擁有不少的業(yè)者，而且其中不乏領頭羊的先進業(yè)者。在AI ASIC芯片設計方面，
  • 關鍵字： IC設計  PCB  散熱  處理器  內(nèi)存  AI  

美光：GDDR7內(nèi)存已正式送樣

  • 6月5日，美光科技宣布出樣業(yè)界容量密度最高的新一代GDDR7顯存。美光GDDR7采用其1β（1-beta）DRAM技術和創(chuàng)新架構，速率高達32Gb/s。性能上，GDDR7的系統(tǒng)帶寬超過1.5TB/s，較GDDR6提升高達60%，并配備四個獨立通道以優(yōu)化工作負載，從而實現(xiàn)更快的響應時間、更流暢的游戲體驗和更短的處理時間。與GDDR6相比，美光GDDR7的能效提升超過50%，實現(xiàn)了更優(yōu)的散熱和續(xù)航；全新的睡眠模式可將待機功耗降低高達70%。美光GDDR7還具備領先的可靠性、可用性及適用性（RAS），在不影響性
  • 關鍵字： 美光  GDDR7  內(nèi)存  

DDR6內(nèi)存新標準將上線

  • 據(jù)JEDEC（固態(tài)技術協(xié)會）消息，DDR6（包括LPDDR6）已明確會以CAMM2取代使用多年的SO-DIMM和DIMM內(nèi)存標準。DDR6內(nèi)存最低頻率8800MHz，可提高至17.6GHz，理論最高可以推進至21GHz，遠超DDR4和DDR5內(nèi)存。CAMM2是一種全新內(nèi)存標準，同樣支持DDR6標準內(nèi)存，也就是適用于臺式PC等大型PC設備。JEDEC預計，將在今年內(nèi)完成DDR6內(nèi)存標準的初步草稿，1.0正式版最快也要到明年二季度，具體產(chǎn)品可能要到明年四季度或2026年才能看到了。從LPDDR6來看，該內(nèi)存產(chǎn)
  • 關鍵字： DDR6  內(nèi)存  存儲  

NVIDIA官宣全新Rubin GPU、Vera CPU：3nm工藝配下代HBM4內(nèi)存

  • 6月2日消息，臺北電腦展2024的展前主題演講上，NVIDIA CEO黃仁勛宣布了下一代全新GPU、CPU架構，以及全新CPU+GPU二合一超級芯片，一直規(guī)劃到了2027年。黃仁勛表示，NVIDIA將堅持數(shù)據(jù)中心規(guī)模、一年節(jié)奏、技術限制、一個架構的路線，也就是使用統(tǒng)一架構覆蓋整個數(shù)據(jù)中心GPU產(chǎn)品線，并最新最強的制造工藝，每年更新迭代一次。NVIDIA現(xiàn)有的高性能GPU架構代號"Blackwell"，已經(jīng)投產(chǎn)，相關產(chǎn)品今年陸續(xù)上市，包括用于HPC/AI領域的B200/GB200、用于游
  • 關鍵字： NVIDIA  Rubin  GPU  Vera CPU  3nm工藝  HBM4  內(nèi)存  

南亞科技：首款 1C nm 制程 DRAM 內(nèi)存產(chǎn)品 16Gb DDR5 明年初試產(chǎn)

  • IT之家 5 月 30 日消息，綜合臺媒《工商時報》《經(jīng)濟日報》報道，南亞科技在昨日的年度股東常會上表示，其首款 1C nm 制程 DRAM 內(nèi)存產(chǎn)品 16Gb DDR5 顆粒將于明年初進入試產(chǎn)階段。南亞科技目前已在進行 1B nm 制程的 DRAM 試產(chǎn)，涵蓋 8/4Gb DDR4 內(nèi)存和 16Gb DDR5 內(nèi)存。南亞科技表示其首批 DDR5 內(nèi)存將在下半年少量試產(chǎn)，明年進一步提升產(chǎn)量。此外南亞科技還在 1B nm 節(jié)點規(guī)劃了 16Gb DDR5 迭代版本、16Gb LPDDR5 內(nèi)存、16
  • 關鍵字： 南亞科技  內(nèi)存  DRAM  

整合計算和高速緩存功能，SK 海力士探索 HBM4E 新封裝方案

  • IT之家 5 月 29 日消息，SK 海力士計劃在 HBM4E 內(nèi)存中集成更多功能，從而將 HBM 產(chǎn)業(yè)推向一個新的高度。SK 海力士正在積極探索 HBM4E 內(nèi)存，嘗試推出可以整合計算、高速緩存和網(wǎng)絡存儲器等多種功能的 HBM 類型，進一步提高能效和信號傳輸速度。IT之家援引韓媒 ETNews 報道，該方案目前依然停留在概念階段，不過 SK 海力士已經(jīng)著手設計相關 IP 朝著這個目標邁進。SK 海力士計劃在 HBM 上集成內(nèi)存控制器，內(nèi)存控制器置于其 HBM 結構的基礎芯片上，賦予第
  • 關鍵字： SK海力士  內(nèi)存  HBM4E  

存儲龍頭計劃興建新工廠！

  • 近期，日媒報道美光科技計劃在日本廣島縣興建新廠，用于生產(chǎn)DRAM芯片，美光計劃投入約51億美元。上述新廠有望于2026年動工，并安裝EUV設備，最快2027年投入運營。據(jù)悉，美光曾計劃該工廠能在2024年投入使用，然而由于當前市場環(huán)境的挑戰(zhàn)和不確定性，美光調(diào)整了原定的時間表。近年日本積極出臺補貼政策吸引半導體大廠赴日建廠，美光同樣可以獲得補貼。2023年10月，日本經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)省正式宣布，將為美光科技在廣島工廠的存儲芯片項目提供高達1920億日元的補貼，以支持在日研發(fā)下一代芯片。
  • 關鍵字： 美光  存儲  內(nèi)存  

三星否認HBM3E品質問題，聲明巧妙回避

  • 有報導稱，三星的高頻寬存儲器（HBM）產(chǎn)品因過熱和功耗過大等問題，未能通過Nvidia品質測試，三星對此否認。韓媒BusinessKorea報導稱，三星表示正與多間全球合作伙伴順利開展HBM供應測試，強調(diào)將繼續(xù)合作，確保品質和可靠性。三星聲明表示，“我們正與全球各合作伙伴順利測試HBM供應，努力提高所有產(chǎn)品品質和可靠性，也嚴格測試HBM產(chǎn)品的品質和性能，以便為客戶提供最佳解決方案。”三星近期開始量產(chǎn)第五代HBM產(chǎn)品，即8-Hi（24GB）和12-Hi（36GB）容量的HBM3E設備。外媒Tom′s Har
  • 關鍵字： 三星  內(nèi)存  HBM  

業(yè)界預測：LPDDR6的帶寬將增加一倍以上？

  • 當前低功耗問題仍是業(yè)界關心重點。根據(jù)國際能源署(IEA)最近報告顯示，考慮到谷歌平均每次搜索需要0.3Wh，OpenAI的ChatGPT每次請求消耗2.9Wh，每天進行90億次搜索，每年需要額外消耗10太瓦時(TWh)的電力。從預計銷售的AI服務器需求來看，到2026年，AI行業(yè)可能會呈指數(shù)級增長，消耗的電力需求至少是去年的十倍。德州儀器首席技術官Ahmad Bahai此前表示，最近，除了云端之外，AI服務還轉向移動和PC設備，這導致功耗激增，因此這是一個關鍵的討論話題。因應市場需求，目前業(yè)界正積極致力于
  • 關鍵字： 內(nèi)存  存儲技術  

三星否認自家 HBM 內(nèi)存芯片未通過英偉達測試，“正改善質量”

  • 5 月 27 日消息，此前有消息稱三星電子最新的高帶寬內(nèi)存（HBM）芯片尚未通過英偉達測試，有“知情人士”表示，該公司的芯片因發(fā)熱和功耗問題而受到影響。不過據(jù)韓媒Business Korea 報道，三星電子發(fā)布聲明否認了相關報道，該公司聲稱他們正在與多家全球合作伙伴“順利進行 HBM 芯片測試過程”，同時強調(diào)“他們正與其他商業(yè)伙伴持續(xù)合作，以確保產(chǎn)品質量和可靠性”。三星最近開始批量生產(chǎn)其第五代 HBM 芯片 ——24GB（8-Hi）/ 36GB（12-Hi）的 HBM3E 產(chǎn)品。在目前已量產(chǎn)的 H
  • 關鍵字： 三星  HBM  內(nèi)存芯片  英偉達  

三星否認自家 HBM 內(nèi)存芯片未通過英偉達測試

  •  5 月 27 日消息，此前有消息稱三星電子最新的高帶寬內(nèi)存（HBM）芯片尚未通過英偉達測試，有“知情人士”表示，該公司的芯片因發(fā)熱和功耗問題而受到影響。不過據(jù)韓媒Business Korea 報道，三星電子發(fā)布聲明否認了相關報道，該公司聲稱他們正在與多家全球合作伙伴“順利進行 HBM 芯片測試過程”，同時強調(diào)“他們正與其他商業(yè)伙伴持續(xù)合作，以確保產(chǎn)品質量和可靠性”。三星最近開始批量生產(chǎn)其第五代 HBM 芯片 ——24GB（8-Hi）/ 36GB（12-Hi）的 HBM3E 產(chǎn)品。在目前已量產(chǎn)的
  • 關鍵字： 三星  存儲  HBM  英偉達  

SK 海力士出席戴爾科技全球峰會，展示 PVC10 固態(tài)硬盤等存儲新品

  • IT之家 5 月 22 日消息，在北京時間本月 21 日至 24 日舉行的戴爾科技全球峰會上，SK 海力士帶來了多款存儲領域新品，涵蓋內(nèi)存、固態(tài)硬盤品類。在消費級固態(tài)硬盤領域，SK 海力士展示了尚未正式公布的 PVC10 固態(tài)硬盤。PVC10 采用 PCIe Gen4x4 規(guī)格，支持 M.2 2230/2242/2280 三種物理規(guī)格，可選 256GB~1TB 容量。限于圖片分辨率，IT之家無法確認 PVC10 的具體讀寫性能，預計將強于此前推出的 BC901。而在企業(yè)級固態(tài)硬盤方面，SK 海力
  • 關鍵字： SK海力士  固態(tài)硬盤  內(nèi)存  

美光：已基本完成 2025 年 HBM 內(nèi)存供應談判，相關訂單價值數(shù)十億美元

  • IT之家 5 月 22 日消息，美光在昨日的摩根大通投資者會議活動上表示，美光 2025 年 HBM 內(nèi)存供應談判基本完成。美光高管代表宣稱，其已與下游客戶基本敲定了明年 HBM 訂單的規(guī)模和價格。美光預計 HBM 內(nèi)存將在其截至 2024 年 9 月的本財年中創(chuàng)造數(shù)億美元量級的營收，而在 25 財年相關業(yè)務的銷售額將增加到數(shù)十億美元。美光預測，未來數(shù)年其 HBM 內(nèi)存位元產(chǎn)能的復合年增長率將達到 50%。為了應對 HBM 領域的強勁需求，美光調(diào)升了本財年資本支出的預計規(guī)模，從 75~80 億美
  • 關鍵字： 美光  HBM  內(nèi)存  
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