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hbm 內(nèi)存 文章 進入hbm 內(nèi)存技術社區(qū)

小鵬 MONA M03 首批量產(chǎn)車下線 全系標配高通 8155 芯片和 16GB 內(nèi)存

  • 8 月 9 日消息，小鵬汽車今日官宣，小鵬 MONA M03 首批量產(chǎn)車下線，全系標配高通 8155 芯片和 16GB 內(nèi)存。博主@孫少軍09 稱，小鵬 MONA M03的門店展車已經(jīng)提前到店，開票價 15 萬多，所以起步價只會在 14 萬以下。博主還提到，對于小鵬自己，最麻煩的永遠不是產(chǎn)品本身，而是前幾次上市交不出來（車）的“無語”。所以小鵬這次一定要強調(diào)量產(chǎn)下線，這個比其他的都重要。據(jù)此前報道，小鵬 MONA M03 已出現(xiàn)在工信部的新車申報名單中，車身尺寸 4780 x 1896 x 1445mm，
  • 關鍵字： 小鵬  MONA M03  高通   8155 芯片  內(nèi)存  

M31Ｘ高塔半導體 65納米內(nèi)存方案問世

  • 全球領先的硅智財供貨商M31宣布與高塔半導體（Tower Semiconductor）達成重要合作里程碑。雙方連手成功開發(fā)出65納米制程的SRAM（靜態(tài)隨機存取內(nèi)存）和ROM（只讀存儲器）IP產(chǎn)品，并已將設計模塊交付客戶端完成驗證，為半導體產(chǎn)業(yè)帶來全新的先進內(nèi)存解決方案。M31與高塔半導體共同優(yōu)化的設計架構，巧妙結(jié)合低功耗組件Analog FET（模擬場效晶體管），不僅能夠完美滿足當前SoC芯片對低功耗的嚴格要求，更為未來物聯(lián)網(wǎng)（IoT）、智能型穿戴裝置、車聯(lián)網(wǎng)（V2X）以及人工智能（AI）等新興應用領域
  • 關鍵字： M31  高塔半導體  65納米  內(nèi)存  

消息指 SK 海力士加速 NAND 研發(fā)，400+ 層閃存明年末量產(chǎn)就緒

  • IT之家 8 月 1 日消息，韓媒 ETNews 報道稱，SK 海力士將加速下一代 NAND 閃存的開發(fā)，計劃 2025 年末完成 400+ 層堆疊 NAND 的量產(chǎn)準備，2026 年二季度正式啟動大規(guī)模生產(chǎn)。SK 海力士此前在 2023 年展示了 321 層堆疊 NAND 閃存的樣品，并稱這一顆粒計劃于 2025 上半年實現(xiàn)量產(chǎn)。▲ SK 海力士 321 層 NAND 閃存按照韓媒的說法，SK 海力士未來兩代 NAND 的間隔將縮短至約 1 年，明顯短于業(yè)界平均水平。IT之家注：從代際發(fā)布間隔
  • 關鍵字： SK海力士  內(nèi)存  NAND  

存儲技術，掀起一輪新革命

  • 內(nèi)存市場迎來新一輪 DRAM 技術「革命」。
  • 關鍵字： HBM  

消息稱 SK 海力士考慮推動 NAND 業(yè)務子公司 Solidigm 在美 IPO

  • IT之家 7 月 29 日消息，綜合外媒《韓國經(jīng)濟日報》（Hankyung）與 Blocks & Files 報道，SK 海力士考慮推動 NAND 閃存與固態(tài)硬盤子公司 Solidigm 在美 IPO。SK 海力士于 2020 年 10 月宣布收購英特爾 NAND 與 SSD 業(yè)務，而 Solidigm 是 SK 海力士于 2021 年底完成收購第一階段后成立的獨立美國子公司?！?Solidigm D5-P5336，E1.L 規(guī)格，61.44TB由于內(nèi)外部因素的共同影響，Sol
  • 關鍵字： SK海力士  內(nèi)存  NAND  

存儲產(chǎn)業(yè)的下一個“新寵”是？

  • 人工智能AI浪潮下，以HBM為代表的新型DRAM存儲器迎來了新一輪的發(fā)展契機，而與此同時，在服務器需求推動下，存儲產(chǎn)業(yè)的另一大“新寵”MRDIMM/MCRDIMM也開始登上“歷史舞臺”。當前，AI及大數(shù)據(jù)的快速發(fā)展帶動服務器CPU內(nèi)核數(shù)量同步增加，為滿足多核CPU中各內(nèi)核的數(shù)據(jù)吞吐要求，需要大幅提高內(nèi)存系統(tǒng)的帶寬，在此情況下，服務器高帶寬內(nèi)存模組MRDIMM/MCRDIMM應運而生。01JEDEC公布DDR5 MRDIMM標準細節(jié)當?shù)貢r間7月22日，JEDEC宣布即將推出DDR5多路復用雙列直插式內(nèi)存模組
  • 關鍵字： 存儲產(chǎn)業(yè)  HBM  MRDIMM  MCRDIMM  

HBM4持續(xù)加速：AI時代競爭新焦點

  • HBM4是目前發(fā)布的HBM3標準的進化版，旨在進一步提高數(shù)據(jù)處理速率，同時保持基本特性，例如更高的帶寬、更低功耗和更大的每個芯片和/或堆棧容量 —— 這些對于需要高效處理大數(shù)據(jù)集和復雜計算的應用至關重要，包括生成人工智能（AI）、高性能計算、高端顯卡和服務器。
  • 關鍵字： HBM  AI  內(nèi)存  

DigiKey宣布與內(nèi)存和存儲解決方案領導者之一的Kingston Technology建立全球合作伙伴關系

  • 全面現(xiàn)貨供應、提供快速交付的全球電子元器件和自動化產(chǎn)品分銷商DigiKey今天宣布與Kingston Technology（金士頓）合作，向全球分銷其內(nèi)存產(chǎn)品和存儲解決方案。作為全球最大的獨立存儲器產(chǎn)品制造商之一，Kingston面向各種規(guī)模的工業(yè)和嵌入式OEM客戶，提供包括eMMC、eMCP、ePoP、UFS和DRAM組件在內(nèi)的各種存儲產(chǎn)品。該公司還提供一系列專為系統(tǒng)設計師和制造者打造的工業(yè)級 SATA 和 NVMe 固態(tài)硬盤 (SSD)。DigiKey與Kingston Technology合作，提供
  • 關鍵字： DigiKey  內(nèi)存  存儲  Kingston Technology  

長江存儲再度“亮劍”，在美國起訴美光侵犯其 11 項專利

  • IT之家 7 月 22 日消息，據(jù)外媒 Tomshardware 報道，中國 3D NAND 閃存制造商長江存儲，日前再次將美光告上法院，在美國加州北區(qū)指控美光侵犯了長江存儲的 11 項專利，涉及 3D NAND Flash 和 DRAM 產(chǎn)品。長江存儲還要求法院命令美光停止在美國銷售侵權的存儲產(chǎn)品，并支付專利使用費。長江存儲指控稱，美光的 96 層（B27A）、128 層（B37R）、176 層（B47R）和 232 層（B58R）3D NAND Flash，以及美光的一些 DDR5 SDRA
  • 關鍵字： 長江存儲  NAND  美光  內(nèi)存  

臺積電要抄三星的后路

  • 在芯片制造領域，先進制程的影響力和統(tǒng)治力越來越大，已經(jīng)從之前的邏輯芯片晶圓代工領域，拓展到最先進的存儲芯片制造，這在臺積電和三星身上有凸出的體現(xiàn)。當下的 3nm 制程晶圓代工，臺積電的市場統(tǒng)治力很明顯，三星處于弱勢地位。未來的 2nm 制程，三星必須加緊趕上，否則會越來越困難。在高帶寬內(nèi)存（HBM）芯片制造方面，原本都由存儲芯片 IDM 大廠自家完成，但是，到了下一代的 HBM4，技術難度和制造難度提高了不少，需要更先進的制程工藝參與進來。2nm 制程針鋒相對據(jù)報道，臺積電將于 7 月中旬開始試生產(chǎn) 2n
  • 關鍵字： HBM  

存儲大廠：CXL內(nèi)存將于下半年爆發(fā)？

  • 據(jù)《ZDNet Korea》報道，三星電子存儲部門新業(yè)務規(guī)劃團隊董事總經(jīng)理Choi Jang-seok近日表示，即將推出的內(nèi)存模塊被指定為CMM-D2.0，將符合CXL2.0協(xié)議。這些模塊將利用使用第二代20-10nm工藝技術生產(chǎn)的DRAM內(nèi)存顆粒。除了CMM-D模塊，三星還在開發(fā)一系列CXL存儲產(chǎn)品。其中包括集成多個CMM-D模塊的CMM-B內(nèi)存盒模塊，以及將DRAM內(nèi)存與NAND閃存顆粒相結(jié)合的CMM-H混合存儲模塊。Choi Jang-seok強調(diào)，隨著CXL3.1技術的采用，CXL內(nèi)存資源可以在多
  • 關鍵字： 存儲  CXL  內(nèi)存  

HBM排擠效應 DRAM漲勢可期

  • 近期在智慧手機、PC、數(shù)據(jù)中心服務器上，用于暫時儲存數(shù)據(jù)的DRAM價格漲勢停歇，買家拉貨不積極，影響DRAM報價漲勢。 業(yè)者期待，SK海力士、三星及美光前三大廠HBM產(chǎn)能增開，對一般型DRAM產(chǎn)生的排擠效應，加上產(chǎn)業(yè)旺季來臨，可帶動DRAM重啟漲勢。 據(jù)了解，6月指針性產(chǎn)品DDR4 8GB合約價約2.10美元、容量較小的4GB合約價1.62美元左右，表現(xiàn)持平，主要是供需雙方對價格談判，呈現(xiàn)拉鋸狀況。而另一方面，三星新一代HBM3E，據(jù)傳有望通過輝達（NVIDIA）認證，輝達GB200將于2025年放量，其
  • 關鍵字： HBM  DRAM  美光  

巨頭搶奪戰(zhàn)，HBM被徹底引爆

  • 在英偉達一步步站穩(wěn)萬億市值腳根的道路上，少不了兩項關鍵技術支持，其中之一是由臺積電主導的 CoWoS 先進封裝，另一個便是席卷當下的 HBM（高帶寬存儲）。英偉達 H200 是首次采用 HBM3E 存儲器規(guī)格的 AI 加速卡。借助內(nèi)存速度更快、容量更大的 HBM3e，英偉達 H200 以每秒 4.8TB 的速度提供 141GB 的內(nèi)存，與 A100 相比，容量幾乎是其兩倍，帶寬也提升了 43%，從而加速生成式 AI 和大語言模型，提高高性能計算（HPC）的工作負載。隨著人工智能的興起，HBM 成為巨頭們搶
  • 關鍵字： HBM  

SK海力士將在HBM生產(chǎn)中采用混合鍵合技術

  • 《科創(chuàng)板日報》17日訊，SK海力士計劃于2026年在其HBM生產(chǎn)中采用混合鍵合，目前半導體封裝公司Genesem已提供兩臺下一代混合鍵合設備安裝在SK海力士的試驗工廠，用于測試混合鍵合工藝?；旌湘I合取消了銅焊盤之間使用的凸塊和銅柱，并直接鍵合焊盤，這意味著芯片制造商可以裝入更多芯片進行堆疊，并增加帶寬。
  • 關鍵字： SK  海力士  HBM  混合鍵合技術  

HBM新戰(zhàn)局，半導體存儲廠商們準備好了嗎？

  • 在半導體存儲領域，參與HBM市場競爭的存儲廠商主要為SK海力士、三星和美光，三者的競爭已經(jīng)延續(xù)到HBM3e。而近日，行業(yè)標準制定組織固態(tài)技術協(xié)會JEDEC宣布HBM4即將完成的消息引發(fā)了業(yè)界關注，這似乎也預示著HBM領域新的戰(zhàn)場已經(jīng)開啟...?堆棧通道數(shù)較HBM3翻倍?據(jù)悉，JEDEC于7月10日表示，備受期待的高帶寬存儲器 (HBM) DRAM標準的下一個版本：HBM4標準即將完成定稿。圖片來源：JEDEC官網(wǎng)截圖HBM4是目前發(fā)布的HBM3標準的進化版，旨在進一步提高數(shù)據(jù)處理速率，同時保持更高的帶寬、
  • 關鍵字： HBM  半導體  存儲  
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