M31Ｘ高塔半導(dǎo)體 65納米內(nèi)存方案問世

全球領(lǐng)先的硅智財(cái)供貨商M31宣布與高塔半導(dǎo)體（Tower Semiconductor）達(dá)成重要合作里程碑。雙方連手成功開發(fā)出65納米制程的SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存）和ROM（只讀存儲(chǔ)器）IP產(chǎn)品，并已將設(shè)計(jì)模塊交付客戶端完成驗(yàn)證，為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)帶來全新的先進(jìn)內(nèi)存解決方案。

M31與高塔半導(dǎo)體共同優(yōu)化的設(shè)計(jì)架構(gòu)，巧妙結(jié)合低功耗組件Analog FET（模擬場(chǎng)效晶體管），不僅能夠完美滿足當(dāng)前SoC芯片對(duì)低功耗的嚴(yán)格要求，更為未來物聯(lián)網(wǎng)（IoT）、智能型穿戴裝置、車聯(lián)網(wǎng)（V2X）以及人工智能（AI）等新興應(yīng)用領(lǐng)域提供了關(guān)鍵技術(shù)支持。

為了進(jìn)一步提升產(chǎn)品的靈活性與適用性，M31特別在此IP中提供了多組Deep NWell電壓組合（0～8V、8～16V、16～24V），讓客戶能夠更加靈活地與其他外部IC進(jìn)行整合。值得一提的是，M31的研發(fā)團(tuán)隊(duì)在追求低功耗的同時(shí)，也成功克服了諸多設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)，實(shí)現(xiàn)了速度性能的顯著提升，為客戶帶來效能優(yōu)化的雙贏方案。

M31研發(fā)副總連南鈞表示，與高塔半導(dǎo)體這樣的業(yè)界翹楚攜手合作，共同加速產(chǎn)品研發(fā)進(jìn)程，為客戶提供更加優(yōu)質(zhì)、創(chuàng)新的半導(dǎo)體解決方案。

在此次合作中，M31特別專注于模擬IC和低功耗組件的技術(shù)整合，不僅展現(xiàn)了高度的協(xié)同效應(yīng)，更能有效協(xié)助客戶在日益復(fù)雜的SoC芯片架構(gòu)中，實(shí)現(xiàn)性能和功能的全面優(yōu)化。這次的成功合作再次證明了M31在全球晶圓廠供應(yīng)鏈中的重要地位和多元化發(fā)展戰(zhàn)略。