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Intel：14nm進(jìn)展順利 一兩年后量產(chǎn)

  • 　　Intel CTO Justin Rattner近日對(duì)外披露說(shuō)，Intel 14nm工藝的研發(fā)正在按計(jì)劃順利進(jìn)行，會(huì)在一到兩年內(nèi)投入量產(chǎn)。 　　2013年底，Intel將完成P1272 14nm CPU、P1273 14nm SoC兩項(xiàng)新工藝的開(kāi)發(fā)，并為其投產(chǎn)擴(kuò)大對(duì)俄勒岡州Fab D1X、亞利桑那州Fab 42、愛(ài)爾蘭Fab 24等晶圓廠的投資，因此量產(chǎn)要等到2014年了。 　　而從2015年開(kāi)始，Intel又會(huì)陸續(xù)進(jìn)入10nm、7nm、5nm等更新工藝節(jié)點(diǎn)。 　　Rattner指出，Intel
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High-end A4監(jiān)聽(tīng)音箱的制作

  • 一、設(shè)計(jì)及制作由于普通家庭室.內(nèi)空間不夠?qū)挸?，要求音箱做得盡可能小巧一些，擺放在室內(nèi)不致引人注意。然而，音箱的效率no與箱體容積VB和低頻-3d8滾降點(diǎn)f3有以下關(guān)系：no=knmiddot;f33middot;VB上式中，kn是箱體系
  • 關(guān)鍵字： 制作  音箱  監(jiān)聽(tīng)  A4  High-end  

High-end A4監(jiān)聽(tīng)音箱的制作方法

  • 一、設(shè)計(jì)及制作由于普通家庭室.內(nèi)空間不夠?qū)挸ǎ笠粝渥龅帽M可能小巧一些，擺放在室內(nèi)不致引人注意。然而，音箱的效率no與箱體容積VB和低頻-3d8滾降點(diǎn)f3有以下關(guān)系：no=knmiddot;f33middot;VB上式中，kn是箱體系
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臺(tái)積電2016年10nm制程才將采用EUV技術(shù)

  • 而關(guān)于臺(tái)積電是否足夠支應(yīng)大舉投資ASML的支出?瑞信(Credit Suisse)則認(rèn)為，臺(tái)積電截至今年第2季為止手頭有約50億美元的現(xiàn)金，估計(jì)今年全年，從盈余中可望取得93億美元左右的現(xiàn)金流，且臺(tái)積電今年預(yù)估會(huì)再募集10億美元左右的公司債，因此大體而言將足夠支付包括今年82.5億美元的資本支出，以及用于ASML的投資費(fèi)用。
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安森美ADS軟件的 High-Q IPD工藝設(shè)計(jì)套件

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
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電流-頻率轉(zhuǎn)換電路--1NA~100UA轉(zhuǎn)0.1HZ~10KHZ

  • IIN/C1（V/S），1UA電流為10的負(fù)6次方/800*10的負(fù)12次方=1.25*10的6次方V/S，穿越-5.6~+5.6V的時(shí)間林約是9MS，頻率為111HZ。實(shí)際上必須加上上升時(shí)間，所以振蕩頻率大約為100HZ。 因?yàn)镃1的微調(diào)很困難，所以允許A2的正
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如何制作High-end A4監(jiān)聽(tīng)音箱

  • 一、設(shè)計(jì)及制作
    由于普通家庭室．內(nèi)空間不夠?qū)挸ǎ笠粝渥龅帽M可能小巧一些，擺放在室內(nèi)不致引人注意。然而，音箱的效率no與箱體容積VB和低頻-3d8滾降點(diǎn)f3有以下關(guān)系：
    no＝knmiddot;f33middot;VB
    上式中，k
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IMEC用EUV曝光裝置成功曝光晶圓

  • 　　IMEC宣布，成功利用ASML的EUV(extreme ultraviolet)曝光裝置NXE:3100進(jìn)行曝光。該EUV曝光裝置配備了日本牛尾電機(jī)的全資子公司德國(guó)XTREME technologies GmbH公司生產(chǎn)的LA-DPP(laser assisted discharge produced plasma)方式EUV光源。
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MIT研究顯示電子束光刻可達(dá)9納米精度

  • 　　美國(guó)麻省理工學(xué)院(MIT)的研究人員日前發(fā)表的一項(xiàng)研究成果顯示，電子束“光刻”精度可以小到9納米的范圍，刷新了以前一項(xiàng)精度為25納米的結(jié)果，這一進(jìn)展有可能為電子束“光刻”和EUV(超紫外)光刻技術(shù)展開(kāi)競(jìng)爭(zhēng)提供了動(dòng)力。盡管EUV光刻技術(shù)目前在商業(yè)化方面領(lǐng)先一步，有可能在22納米以下的工藝生產(chǎn)中取代目前使用的浸末式光刻技術(shù)，但EUV光刻還面臨一些棘手的問(wèn)題，如強(qiáng)光源和光掩膜保護(hù)膜等，而采用電子束“光刻”則不會(huì)存在這些問(wèn)題。
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光源問(wèn)題仍是EUV光刻技術(shù)中的難題

  • 　　GlobalFoundries公司的光刻技術(shù)專家Obert Wood在最近召開(kāi)的高級(jí)半導(dǎo)體制造技術(shù)會(huì)議ASMC2011上表示，盡管業(yè)界在改善EUV光刻機(jī)用光源技術(shù)方面取得了一定成效，但光源問(wèn)題仍是EUV光刻技術(shù)成熟過(guò)程中最“忐忑”的因素。 　　
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英特爾10nm設(shè)計(jì)規(guī)則初定 EUV技術(shù)恐錯(cuò)失良機(jī)

  • 　　英特爾公司正在計(jì)劃將目前的193nm浸入式微影技術(shù)擴(kuò)展到14nm邏輯節(jié)點(diǎn)，此一計(jì)劃預(yù)計(jì)在2013下半年實(shí)現(xiàn)。同時(shí)，這家芯片業(yè)巨頭也希望能在2015年下半年于10nm邏輯節(jié)點(diǎn)使用超紫外光(EUV)微影技術(shù)進(jìn)行生產(chǎn)。 　　
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通向14/15nm節(jié)點(diǎn)的技術(shù)挑戰(zhàn)

  • 　　當(dāng)半導(dǎo)體業(yè)準(zhǔn)備進(jìn)入14/15nm節(jié)點(diǎn)時(shí)，將面臨眾多的技術(shù)挑戰(zhàn) 　　對(duì)于邏輯電路，STMicro的Thomas Skotnicki認(rèn)為傳統(tǒng)的CMOS制造工藝方法己不再適用。因?yàn)楫?dāng)器件的尺寸持續(xù)縮小時(shí)，由于己達(dá)極限許多缺陷顯現(xiàn)。按IBM技術(shù)經(jīng)理Mukesh Khare看法，如柵氧化層的厚度Tox再縮小有困難。另外，除非采用其它方法，因?yàn)殡S著互連銅線的尺寸縮小銅線的電阻增大及通孔的電阻增大也是另一個(gè)挑戰(zhàn)。
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次世代微影技術(shù)主流之爭(zhēng)　

  • 　　目前次世代微影技術(shù)發(fā)展仍尚未有主流出現(xiàn)，而身為深紫外光 (EUV)陣營(yíng)主要推手之一的比利時(shí)微電子研究中心(IMEC)總裁Luc Van den hove指出，EUV技術(shù)最快于2014年可望進(jìn)入量產(chǎn)，而應(yīng)用存儲(chǔ)器制程又將早于邏輯制程，他也指出，無(wú)光罩多重電子束恐怕來(lái)不及進(jìn)入量產(chǎn)。 　　
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Derive simple high-current source from lab sup

  • Comprising a standard Force-Sense lab power supply, an additional power supply for the ICs, and a separate control voltage, this adjustable current source provides a 1-to-1 ratio of control voltage to
  • 關(guān)鍵字： high-current  Derive  simple  source    

GlobalFoundries投入EUV技術(shù)　4年后量產(chǎn)

  • 　　繼晶圓代工大廠臺(tái)積電宣布跨入深紫外光(EUV)微影技術(shù)后，全球晶圓(Global Foundries)也在美國(guó)時(shí)間14日于SEMICON West展會(huì)中宣布，投入EUV微影技術(shù)，預(yù)計(jì)于2012年下半將機(jī)臺(tái)導(dǎo)入位于美國(guó)紐約的12寸晶圓廠(Fab 8)，將于2014~2015年間正式量產(chǎn)。 　　由于浸潤(rùn)式微影(Immersion Lithography)機(jī)臺(tái)與雙重曝光(double-patterning)技術(shù)，讓微影技術(shù)得以發(fā)展至2x奈米，不過(guò)浸潤(rùn)式微影機(jī)臺(tái)采用的是 193nm波長(zhǎng)的光源，走到22奈米已
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