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ASML 分享 High-NA EUV 光刻機最新進展：目標 2024-2025 年進廠
- 5 月 29 日消息，半導(dǎo)體行業(yè)花了十多年的時間來準備極紫外線 (EUV) 光刻技術(shù)，而新的高數(shù)值孔徑 EUV 光刻（High-NA EUV）技術(shù)將會比這更快。目前，最先進的芯片是 4/5 納米級工藝，下半年三星和臺積電還能量產(chǎn) 3nm 技術(shù)，而對于使用 ASML EUV 光刻技術(shù)的 Twinscan NXE:3400C 及類似系統(tǒng)來說，它們大都具有 0.33 NA（數(shù)值孔徑）的光學器件，可提供 13 nm 分辨率。目前來看，這種分辨率尺寸對于 7 nm / 6 nm 節(jié)點 (36 nm ~ 38 nm)
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首發(fā)“4nm” EUV工藝！Intel 14代酷睿真身曝光：GPU堪比獨顯
- Intel的12代酷睿處理器去年就已經(jīng)發(fā)布，首次上了性能+能效的異構(gòu)設(shè)計，今年的13代酷睿代號Raptor Lake，下半年發(fā)布，屬于12代的改進版，明年的14代酷睿Meteor Lake則會大改，升級Intel 4工藝，也是Intel首個EUV工藝?！ ?4代酷睿的架構(gòu)也會大改，第一次采用非單一芯片設(shè)計，彈性集成多個小芯片模塊，包括下一代混合架構(gòu)CPU、tGPU核顯引擎、AI加速單元，而且功耗非常低?！ ?4代酷睿Meteor Lake也會是Intel酷睿系列中首個大量使用3D Foveros混合封
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應(yīng)用材料推出運用EUV延展2D微縮與3D環(huán)繞閘極晶體管技術(shù)
- 半導(dǎo)體設(shè)備大廠應(yīng)用材料推出多項創(chuàng)新技術(shù)，協(xié)助客戶運用極紫外光（EUV）持續(xù)進行2D微縮，并展示業(yè)界最完整的次世代3D環(huán)繞閘極（Gate-All-Around，GAA）晶體管制造技術(shù)組合。芯片制造商正試圖透過兩個可相互搭配的途徑來增加未來幾年的晶體管密度。一種是依循傳統(tǒng)摩爾定律的2D微縮技術(shù)，使用EUV微影系統(tǒng)與材料工程以縮小線寬。另一種是使用設(shè)計技術(shù)優(yōu)化（DTCO）與3D技術(shù)，巧妙地藉由優(yōu)化邏輯單元布局來增加密度，而不需要改變微影間距。第二種方法需要使用晶背電源分配網(wǎng)絡(luò)與環(huán)繞閘極晶體管，隨著傳統(tǒng)2D微縮技
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ASML公司開撕美國？光源技術(shù)不是根源，不交付EUV光刻機另有原因
- ASML公司雖然是荷蘭企業(yè)，但不少網(wǎng)友都把ASML公司“美”化了，這里的“美”指的是美國。在華為遭遇到芯片封鎖之前，中國半導(dǎo)體企業(yè)就曾向ASML公司支付了定金，采購了一臺EUV光刻機。然而，ASML公司卻遲遲沒有發(fā)貨，這也引起了網(wǎng)友的各種猜疑。眾所周知，全世界只有ASML公司能夠生產(chǎn)EUV光刻機，而一部EUV光刻機上就有超過10w的精密零件，各方面的技術(shù)也是來自全世界各國的頂尖技術(shù)。所以ASML公司的光刻機一直是供不應(yīng)求。但明明已經(jīng)收了定金，10億一部的EUV光刻機，ASML公司為何有生意不做呢？大部分的
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雪佛蘭Bolt EV/EUV在電池起火召回后終于宣布恢復(fù)生產(chǎn)
- 通用汽車(GM)已經(jīng)恢復(fù)了2022款雪佛蘭Bolt EV和EUV的生產(chǎn)，現(xiàn)在它們可以獲得新電池組的供應(yīng)，而這些電池組應(yīng)該不會有火災(zāi)隱患。此前，雪佛蘭Bolt因潛在的電池火災(zāi)而被召回，該次召回影響到了所有的車型，導(dǎo)致Bolt EV和EUV汽車的生產(chǎn)自去年8月起完全凍結(jié)?！拔覀兊哪繕耸腔謴?fù)并坦率地說超過業(yè)務(wù)指標，”雪佛蘭營銷副總裁Steve Majoros在昨日的新聞電話會議上說道。Bolt的復(fù)出計劃包括趕上新的2022款Bolt EV和EUV訂單（2023年的訂單將于7月開始）、將在MLB開幕日投放的新電視
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阿斯麥CEO：不賣EUV給中國大陸“是政府們的選擇”
- （原標題：光刻機巨頭阿斯麥CEO：不賣EUV給中國大陸“是政府們的選擇”）【文/觀察者網(wǎng) 呂棟】“這不是我們的選擇，而是政府們（《瓦森納協(xié)定》成員國）的選擇。”日前，荷蘭光刻機巨頭阿斯麥CEO溫彼得再次就向中國大陸出口EUV光刻機一事解釋道。他今年1月曾表示，中國不太可能獨立復(fù)制出（replicate）頂尖的光刻技術(shù)，但也別那么絕對，“他們肯定會嘗試”。觀察者網(wǎng)注意到，由于最先進的EUV設(shè)備無法向中國大陸出口，溫彼得自2021年以來曾多次發(fā)聲。2021年4月，他曾喊話美國政府，對華出口管制不僅不能阻礙中國
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ASML：努力向中國提供一切能夠提供的技術(shù)
- 芯片行業(yè)一直是困擾全球的“卡脖子”領(lǐng)域，而其中核心的光刻機技術(shù)被幾家公司牢牢的攥在手里。想要在芯片領(lǐng)域有長足的進步，光刻機這種核心設(shè)備就要有所突破。而之前美國通過自身在全球市場的控制能力，通過修改法案等手段一直將光刻機設(shè)備和技術(shù)限制對中國進行輸出。但近期光刻機頭部企業(yè)ASML則明確表態(tài)將會盡其所能向中國市場提供一切他們能夠提供的技術(shù)，其中DUV光刻機將會不需要認可許可即可向中方企業(yè)提供。ASML光刻機除此之外，ASML表示在當前法律框架之下，他們除了EUV光刻機無法向中方企業(yè)提供，其他產(chǎn)品都可以正常發(fā)售。
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阿斯麥的新一代EUV光刻機：造價1.5億美元 公共汽車大小
- 9月2日消息，荷蘭阿斯麥的新一代極紫外（EUV）光刻機每臺有公共汽車大小，造價1.5億美元。其前所未有的精度可以讓芯片上的元件尺寸在未來幾年繼續(xù)縮小?！ ≡谖挥诿绹的腋裰萁紖^(qū)的一間大型潔凈室里，工程師們已經(jīng)開始為一臺機器制造關(guān)鍵部件，這臺機器有望讓芯片制造行業(yè)沿著摩爾定律至少再走上10年時間?！ ∵@臺極紫外光刻機是由荷蘭阿斯麥公司制造的。阿斯麥于2017年推出世界上第一臺量產(chǎn)的極紫外光刻機，在芯片制造領(lǐng)域發(fā)揮著至關(guān)重要的作用，已經(jīng)被用于制造iPhone手機芯片以及人工智能處理器等最先進的芯片。阿斯
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美光確認EUV工藝DRAM 2024年量產(chǎn)：1γ節(jié)點導(dǎo)入
- 三星、SK海力士及美光確定未來會用EUV工藝，其中美光的EUV工藝內(nèi)存在2024年量產(chǎn)。芯研所8月21日消息，CPU、GPU為代表的邏輯工藝制程進入7nm之后，EUV光刻工藝不可或缺。目前內(nèi)存停留在10nm工藝級別。三星、SK海力士及美光也確定未來會用EUV工藝，其中美光的EUV工藝內(nèi)存在2024年量產(chǎn)。美光CEO Sanjay Mehrotra日前在采訪中確認，美光已將EUV技術(shù)納入DRAM技術(shù)藍圖，將由10nm世代中的1γ（gamma）工藝節(jié)點開始導(dǎo)入。美光EUV工藝DRAM將會先在臺中A3廠生產(chǎn)，預(yù)
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EUV技術(shù)開啟DRAM市場新賽程
- SK海力士公司在7月12日表示，本月已經(jīng)開始生產(chǎn)10納米8Gb LPDDR4移動DRAM —— 他們將在該內(nèi)存芯片生產(chǎn)中應(yīng)用極紫外（EUV）工藝，這是SK海力士首次在其DRAM生產(chǎn)中應(yīng)用EUV。根據(jù)SK海力士的說法，比起前一代規(guī)格的產(chǎn)品，第四代在一片晶圓上產(chǎn)出的DRAM數(shù)量增加了約25%，成本競爭力很高。新的芯片將在今年下半年開始供應(yīng)給智能手機制造商，并且還將在2022年初開始生產(chǎn)的DDR5芯片中應(yīng)用10納米EUV。世界第三大DRAM制造商SK海力士發(fā)布聲明，正式啟用EUV光刻機閃存內(nèi)存芯片，批量生產(chǎn)采用
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為什么ASML加速來華？
- 芯片雖小，制造難度卻很大，而且芯片制造的關(guān)鍵設(shè)備光刻機的缺乏，更是成為限制我國高端芯片的一大難題。尤其是近兩年華為事件的不斷發(fā)酵，讓我國半導(dǎo)體芯片領(lǐng)域的問題越加明顯，那就是在芯片制造的設(shè)備上，我國依然受制于人的問題相當嚴重。為什么ASML加速來華？北大教授的發(fā)聲很現(xiàn)實，國產(chǎn)光刻機突破在即雖然華為研發(fā)出基于5nm工藝的麒麟9000芯片，令一眾對手刮目相看，但是沒有臺積電為其代工生產(chǎn)，沒有屬于中國自己的高端光刻機，就等同于一張“紙老虎”。作為中國大陸最先進的芯片制造企業(yè)中芯國際，因為沒有高端光刻機，至今仍然沒
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三星有意在美國建5nm EUV芯片廠 巨額投資
- 據(jù)韓媒援引業(yè)內(nèi)人士消息，三星電子已決定在美國得克薩斯州奧斯丁設(shè)立EUV半導(dǎo)體工廠，以滿足日益增長的小型芯片需求和美國重振半導(dǎo)體計劃。該工廠將采用5nm制程，計劃于今年Q3開工，2024年投產(chǎn)，預(yù)計耗資180億美元，同時也是三星電子首次在韓國之外設(shè)立EUV產(chǎn)線。去年，臺積電去宣布將在美國建設(shè)芯片工廠，建成之后將采用5nm工藝為相關(guān)的客戶代工芯片，目標是2024年投產(chǎn)。最新消息稱，臺積電管理層目前正在討論，他們在美國的下一座芯片工廠，是否采用更先進的3nm制程工藝，為相關(guān)的客戶代工芯片。
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