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EEPW首頁 >> 主題列表 >> igbt 7

新型功率半導(dǎo)體器件及應(yīng)用創(chuàng)新中心成立

  • 　　“新型功率半導(dǎo)體器件及應(yīng)用創(chuàng)新中心的成立，將推動形成‘技術(shù)創(chuàng)新—轉(zhuǎn)化—規(guī)模化應(yīng)用—投資再創(chuàng)新’的閉環(huán)，推動創(chuàng)新成果在先進軌道交通、智能電網(wǎng)、消費電子、電動汽車等重要領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用。”日前，在湖南株洲召開的“湖南省IGBT產(chǎn)業(yè)對接會”上，中國工程院院士、中國IGBT技術(shù)創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟理事長丁榮軍說。 　　新型功率半導(dǎo)體是關(guān)系國民經(jīng)濟命脈的共性關(guān)鍵技術(shù)，涉及先進軌道交通裝備、節(jié)能與新能源汽車、電
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iPhone X雖然賣得貴 但利潤率遠低于iPhone 7

  • 　　北京時間9月18日晚間消息，分析人士周一指出，雖然iPhone X售價超過1000美元，但其利潤率卻遠低于當(dāng)前的iPhone 7。 　　蘋果去年發(fā)布的iPhone 7的起始售價為650美元，而剛剛發(fā)布的iPhone X的起始售價為999美元。與此同時，金融服務(wù)公司海納國際集團(Susquehanna International Group)數(shù)據(jù)顯示，iPhone X的零部件成本高達581美元，而iPhone 7零部件成本僅為248美元。 　　這種較大的成本差距意味著，iPhone X的利潤率要低于
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給世界一顆“中國芯”

  • 　　一個國家老工業(yè)城市如何在新時期取得成功? 　　美國硅谷的經(jīng)驗值得我們借鑒。第三次科技革命以來，硅谷不斷創(chuàng)造和孕育出世界上最偉大的公司，并不斷匯聚世界各地的人才、技術(shù)和資本，歷經(jīng)歲月變遷而始終屹立于世界科技浪潮的前沿。硅谷的創(chuàng)新覆蓋了很多領(lǐng)域(互聯(lián)網(wǎng)、通信、生物制藥、電動汽車等)，以至于很難講它的支柱產(chǎn)業(yè)是什么。 　　硅谷的成功源于它唯一且持之以恒的核心競爭力——創(chuàng)新。 　　如今，中國內(nèi)陸的老工業(yè)基地株洲，也開始了基于創(chuàng)新的城市全方位轉(zhuǎn)型升級。這座素有“動力之都
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三菱電機應(yīng)用于電動汽車驅(qū)動的IGBT模塊解決方案

  • 三菱電機起初根據(jù)客戶的要求設(shè)計定制化的汽車級模塊，并且從1997年起就將汽車級IGBT模塊成功地應(yīng)用于電動汽車中。隨后推出了非定制型的J-系列汽車級功率模塊T-PM和IPM;目前針對全球推出了新一代汽車級功率模塊J1-系列EV PM。
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250萬刀定制副屏花得值！魅族PRO 7 Plus拆解

  • 　　7月26日，魅族年度旗艦PRO 7 Plus正式亮相，這是魅族史上最獨特的一款旗艦(當(dāng)然，一同亮相的還有小屏PRO 7，今天我們單講PRO 7 Plus)。　　    　　外觀方面，它采用了別具一格的雙屏設(shè)計，全金屬機身+U型天線得到完美傳承，并首次加了雙攝像頭，而且新旗艦還加入了金屬拉絲工藝，無論是手感還是視覺都非常出色?！　∨渲梅矫?，魅族PRO 7 Plus采用了5.7英寸2K顯示屏，搭載聯(lián)發(fā)科H
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魅族PRO 7發(fā)布：前后雙屏 2880元起售

  • 　　大概是手機市場實在太少與眾不同的創(chuàng)新了，從魅族 PRO 7的第一張設(shè)計圖曝光開始，獨特的雙屏設(shè)計就瞬間抓住了所有人的眼球，7月26日，這款機器終于在珠海大劇院伴隨著交響樂演奏正式發(fā)布，傳聞中的雙屏、雙攝像頭如約而至，魅族PRO 7 Plus也一同亮相。 　　   　　PRO 7的機身厚度為7.3mm，配有正反兩塊顯示屏。主屏幕是一塊5.2英寸全高清的Super AMOLED 屏幕，PRO 7 Plus則是5.7英尺2K屏幕。機身的背面攝像頭下方加入了一塊1.9英尺的彩色AMOLED
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東芝推出具有2.5A峰值輸出電流、采用低高度封裝的柵極驅(qū)動光電耦合器

  • 　　東芝公司旗下存儲與電子元器件解決方案公司今日宣布推出采用低高度SO8L封裝的新型柵極驅(qū)動光電耦合器“TLP5832”。該產(chǎn)品提供2.5A峰值輸出電流，可直接驅(qū)動中級IGBT。出貨即日啟動?！　⌒翴C采用SO8L封裝，封裝高度比東芝采用SDIP6和DIP8(LF1選項)封裝的現(xiàn)有產(chǎn)品降低約54%，可為封裝高度有限的電路板安裝提供支持，同時有助于實現(xiàn)芯片組小型化。盡管尺寸小，但是該IC可保證爬電距離和至少8mm的電氣間隙，使其適合需要高隔離性能的應(yīng)用?！　〈送猓撔滦蜄艠O驅(qū)動光電耦合器可在–40至+110
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【E問E答】如何減輕米勒電容所引起的寄生導(dǎo)通效應(yīng)

  • 　　當(dāng)IGBT在開關(guān)時普遍會遇到的一個問題即寄生米勒電容開通期間的米勒平臺。米勒效應(yīng)在單電源門極驅(qū)動的應(yīng)用中影響是很明顯的。基于門極G與集電極C之間的耦合，在IGBT關(guān)斷期間會產(chǎn)生一個很高的瞬態(tài)dv/dt，這樣會引發(fā)門極VGE間電壓升高而導(dǎo)通，這是一個潛在的風(fēng)險(如圖1)?！　?nbsp;  　　圖1：下管IGBT因為寄生米勒電容而引起導(dǎo)通　　寄生米勒電容引起的導(dǎo)通　　在半橋拓撲中，當(dāng)上管IGBT(S1)正在導(dǎo)通， 產(chǎn)生變化的電壓dV/dt加在下管IGBT(S1)C-E間。電流流經(jīng)S
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采用TO-247PLUS封裝的高功率密度單管IGBT

  • 　　英飛凌科技股份公司進一步壯大1200 V單管IGBT產(chǎn)品組合陣容，推出最高電流達75 A的新產(chǎn)品系列。TO-247PLUS封裝同時還集成全額定電流反并聯(lián)二極管。全新TO-247PLUS 3腳和4腳封裝可滿足對更高功率密度和更高效率不斷增長的需求。需要高功率密度1200VIGBT的典型應(yīng)用包括變頻器、光伏逆變器和不間斷電源(UPS)。其他應(yīng)用包括電池充電和儲能系統(tǒng)?！　∠啾瘸Ｒ?guī)TO-247-3封裝而言，全新TO-247PLUS封裝可實現(xiàn)雙倍額定電流。由于去除了標準TO-24
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面向單管IGBT的TRENCHSTOP? Advanced Isolation封裝

  • 　　英飛凌科技股份公司推出全新封裝技術(shù)TRENCHSTOP??Advanced?Isolation。TRENCHSTOP??Advanced?Isolation可用于TRENCHSTOP和TRENCHSTOP?Highspeed?3?IGBT，確保一流的散熱性能并簡化制造流程。兩個版本均經(jīng)過性能優(yōu)化，可取代全塑封封裝(FullPAK)及標準和高性能絕緣箔。該新封裝適用于諸多應(yīng)用，如空調(diào)功率因數(shù)校正(PFC)、不間斷電源(UPS)和變頻器
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格芯推出面向數(shù)據(jù)中心、機器學(xué)習(xí)和5G網(wǎng)絡(luò)的7納米專用集成電路平臺

  • 　　格芯今日宣布推出其基于7納米FinFET工藝技術(shù)的FX-7TM專用集成電路(ASIC)。FX-7是一個集成式設(shè)計平臺，將先進的制造工藝技術(shù)與差異化的知識產(chǎn)權(quán)和2.5D/3D封裝技術(shù)相結(jié)合，為數(shù)據(jù)中心、機器學(xué)習(xí)、汽車、有線通信和5G無線應(yīng)用提供業(yè)內(nèi)最完整的解決方案?！　』贔X-14的持續(xù)成功，憑借業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的56G SerDes技術(shù)和專用集成電路專長，F(xiàn)X-7提供包括高速SerDes(60G, 112G)在內(nèi)的全方位定制接口知識產(chǎn)權(quán)和差異化存儲解決方案，涵蓋低功耗SRAM、高性能嵌入
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IGBT產(chǎn)業(yè)研究:中國“芯”希望

  • 　　2017年開年以來有這樣一些事件進入我們的視線:①2月,IGBT等電力電子功率器件被列入《戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)重點產(chǎn)品和服務(wù)指導(dǎo)目錄》。②3月14日,捷捷微電上市,主營晶閘管等功率半導(dǎo)體器件的研發(fā)生產(chǎn)和銷售。③5月,國家科技重大專項(02專項)實施管理辦公室驗收中環(huán)股份“區(qū)熔硅單晶片產(chǎn)業(yè)化技術(shù)與國產(chǎn)設(shè)備研制”項目。④5月17日,國電南瑞公布非公開發(fā)行預(yù)案,募集配套中16.4億元用于IGBT模塊產(chǎn)業(yè)化項目。 　　一直以來,IGBT技術(shù)被國外半導(dǎo)體廠商壟斷,截至2015年我國IGBT市
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基于風(fēng)電系統(tǒng)單體變流器的結(jié)構(gòu)應(yīng)用設(shè)計

  • 本文介紹了風(fēng)電變流器核心組成部分的單體變流器在機柜結(jié)構(gòu)設(shè)計中空間狹小、工作環(huán)境惡劣等特點，本文進行了結(jié)構(gòu)設(shè)計分析。主要內(nèi)容包括：單體變流器的組成布局、功率器件維護、結(jié)構(gòu)受力，以及可維護性等。
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IGBT驅(qū)動電路的作用、工作特性與使用要求

  • 　　IGBT驅(qū)動電路的作用：　　IGBT驅(qū)動電路的作用主要是將單片機脈沖輸出的功率進行放大，以達到驅(qū)動IGBT功率器件的目的。在保證IGBT器件可靠、穩(wěn)定、安全工作的前提，驅(qū)動電路起到至關(guān)重要的作用?！　GBT的工作特性：　　IGBT的等效電路及符合如圖1所示,IGBT由柵極正負電壓來控制。當(dāng)加上正柵極電壓時,管子導(dǎo)通;當(dāng)加上負柵極電壓時,管子關(guān)斷?！　? ?　　IGBT具有和雙極型電力晶體管類似的伏安特性,隨著控制電壓UGE的增加,特性曲線上移。開關(guān)電源中的IGBT通過UGE電平
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小小一顆IGBT如何撬動電動汽車逆變器？

  • 本文設(shè)計一種驅(qū)動供電電源，并通過實際測試證明其可用性。常見的驅(qū)動電源采用反激電路和單原邊多副邊的變壓器進行設(shè)計。
  • 關(guān)鍵字： IGBT  逆變器  汽車  
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igbt 7介紹

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