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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> igbt 7

解析國(guó)內(nèi)IGBT增量需求主力何在

  • 受益于新能源電動(dòng)汽車、智能電網(wǎng)、軌道交通的快速發(fā)展，未來(lái)IGBT市場(chǎng)將迎來(lái)爆發(fā)。
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手機(jī)受挫世界更亂，三星電子會(huì)如何面對(duì)2017年

  • 　　據(jù)彭博社報(bào)道，三星電子公司已經(jīng)意識(shí)到其在關(guān)鍵市場(chǎng)的增長(zhǎng)放緩，并且貿(mào)易保護(hù)主義和貨幣波動(dòng)將使不確定性繼續(xù)增加。 　　三星副董事長(zhǎng)兼聯(lián)合首席執(zhí)行官權(quán)五鉉(Kwon Oh-hyun)在其一年一度的新年致辭中敦促員工從代價(jià)昂貴的失誤中吸取經(jīng)驗(yàn)教訓(xùn)。消費(fèi)電子巨頭希望能夠從2016年Note 7手機(jī)的挫敗中恢復(fù)。 　　“哪怕是最微小的產(chǎn)品質(zhì)量問(wèn)題，我們也不應(yīng)妥協(xié)。”權(quán)五鉉在三星公司位于韓國(guó)水原的總部說(shuō)。“讓我們通過(guò)改進(jìn)制造工藝以及安全檢查來(lái)重塑我們的尊嚴(yán)。”
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助力工業(yè)4.0發(fā)展 世強(qiáng)創(chuàng)新應(yīng)用研討會(huì)圓滿舉行

  • 傳統(tǒng)工業(yè)如何乘著工業(yè)4.0的東風(fēng)，加快智能制造裝備發(fā)展、加快構(gòu)建工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)基礎(chǔ)、加強(qiáng)關(guān)鍵共性技術(shù)創(chuàng)新也成為現(xiàn)今的熱點(diǎn)問(wèn)題，這次世強(qiáng)舉辦研討會(huì)，旨在幫助工程師了解工業(yè)4.0的相關(guān)器件產(chǎn)品、前沿技術(shù)方案，從而更好的解決其在創(chuàng)新時(shí)的問(wèn)題。
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無(wú)刷直流電機(jī)控制器硬件設(shè)計(jì)和實(shí)現(xiàn)

  • 0引言無(wú)刷直流電機(jī)(以下簡(jiǎn)稱BLDCM)用電子換相器取代機(jī)械換向器，根除了電刷和換向器接觸磨損所導(dǎo)致的壽命周期短、電氣絕緣低、火花干擾強(qiáng)
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研發(fā)、制造、應(yīng)用 高鐵IGBT芯片實(shí)現(xiàn)全面國(guó)產(chǎn)化

  • IGBT芯片的研發(fā)成功意味著，按中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)制造的高鐵上，將安裝具有我國(guó)完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的‘中國(guó)芯’。
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我國(guó)IGBT首次出口海外市場(chǎng)

  • 　　根據(jù)湖南省經(jīng)濟(jì)和信息化委員會(huì)發(fā)布的消息，近日，中車株洲電力機(jī)車研究所有限公司(中車株洲所)自主研發(fā)的8英寸IGBT產(chǎn)品，成功中標(biāo)印度機(jī)車市場(chǎng)，將用于該國(guó)電力貨運(yùn)重載機(jī)車改造升級(jí)項(xiàng)目，這是該產(chǎn)品首次出口海外。 　　絕緣雙極性晶體管(IGBT)是目前技術(shù)最先進(jìn)的電力電子器件，廣泛應(yīng)用于家用電器、新能源裝備、軌道交通、直流輸電、自動(dòng)化和智能控制領(lǐng)域，被稱為電力電子行業(yè)里的“CPU”。該技術(shù)一直由英飛凌、ABB、三菱等國(guó)外公司壟斷。中車株洲所在引進(jìn)吸收的基礎(chǔ)上，建成世界第二條8英寸I
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韓國(guó)Note 7用戶向三星索賠數(shù)十萬(wàn) 三星嚴(yán)正拒絕

  • 　　最近一份報(bào)告指出，三星Note 7爆炸的原因是內(nèi)部電池倉(cāng)空間狹小導(dǎo)致全新的超薄電池容易正負(fù)極擠壓從而引起燃損爆炸。 　　對(duì)于確切原因，三星有望在本月公布官方調(diào)查結(jié)果。 　　同時(shí)按計(jì)劃，韓國(guó)巨頭定于12月31日完成Note 7的召回工作，然而從爆炸發(fā)生伊始就有用戶強(qiáng)烈不滿，即使三星給出了比較寬松的退換條件，還奉上了現(xiàn)金、實(shí)物等補(bǔ)償。 　　據(jù)韓媒報(bào)道，目前在本國(guó)，針對(duì)三星Note 7的訴訟分別有一起2400人的集體案子和5起個(gè)人官司，三星為此聘請(qǐng)了著名的Lee & Ko律師事務(wù)所&ldquo
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國(guó)外工程師團(tuán)隊(duì)拆解Note 7分析爆炸原因：電池設(shè)計(jì)過(guò)于激進(jìn)

  • 　　知名獨(dú)立硬件工程師團(tuán)隊(duì)“Instrumental”最近對(duì)Note 7進(jìn)行了拆解分析，他們得出的結(jié)論是，Note 7電池設(shè)計(jì)過(guò)于激進(jìn)，導(dǎo)致鋰聚合物電池在正常膨脹后沒(méi)有空間伸展，受到擠壓，引起爆炸?！　∫韵率遣鸾鈭?bào)告全文：　　今年9月，不斷有網(wǎng)友在社交網(wǎng)站上曬出三星Galaxy Note 7手機(jī)爆炸之后的“尸體”。起初，三星認(rèn)定，是三星子公司SDI生產(chǎn)的鋰聚合物電池出現(xiàn)了問(wèn)題，并開(kāi)始召回采用SDI電池的Note 7手機(jī)。然而，幾個(gè)星期之后，用戶拿到手的新機(jī)
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三星將在年底公布Note 7爆炸原因調(diào)查結(jié)果

  • 　　今年9月和10月期間，三星的新旗艦Galaxy Note 7出現(xiàn)了不少“爆炸門”的消息，而在宣布召回和停產(chǎn)之外，現(xiàn)在時(shí)間已經(jīng)來(lái)到了12月，三星依然沒(méi)有公布Galaxy Note 7爆炸的真正原因。根據(jù)一份最新的報(bào)告顯示，三星表示將在今年年底正式公布Galaxy Note 7爆炸的真正原因調(diào)查結(jié)果。 　　之前，外界出現(xiàn)了不少關(guān)于Galaxy Note 7爆炸原因的猜測(cè)，其中也包括了電池過(guò)熱導(dǎo)致電話爆炸的猜測(cè)，不過(guò)三星官方至今沒(méi)有對(duì)任何原因發(fā)表評(píng)論。 　　之前在三星開(kāi)始調(diào)查爆炸
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多米諾效應(yīng)已顯現(xiàn) 傳三星中國(guó)裁員20%

  • 　　今年9月以來(lái)，三星因Note 7 爆炸而跌入深淵，盡管三星已經(jīng)宣布停止生產(chǎn)并在全球范圍內(nèi)召回Note 7 手機(jī)，但由此所帶來(lái)的頹勢(shì)仍在繼續(xù)。據(jù)外媒報(bào)道，三星中國(guó)員工爆料稱，12月開(kāi)始三星中國(guó)將裁員20%。 　　今年9月以來(lái)，三星因Note 7 爆炸而跌入深淵，盡管三星已經(jīng)宣布停止生產(chǎn)并在全球范圍內(nèi)召回Note 7 手機(jī)，但由此所帶來(lái)的頹勢(shì)仍在繼續(xù)。據(jù)外媒報(bào)道，三星中國(guó)員工爆料稱，12月開(kāi)始三星中國(guó)將裁員20%。 　　報(bào)道稱，三星中國(guó)的一位內(nèi)部員工表示，其從權(quán)威人士處獲悉，三星中國(guó)即將裁員20%，基
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蘋果承認(rèn)高通版iPhone 7下載速度設(shè)限

  • 　　外媒報(bào)道稱，蘋果故意限制了某些iPhone 7調(diào)制解調(diào)器芯片的性能。一些iPhone 7安裝了高通調(diào)制解調(diào)器芯片，還有一些安裝了英特爾芯片，為了讓二者更相似，蘋果刻意限制了高通芯片的性能。 　　知情人士在接受Recode采訪時(shí)證實(shí)報(bào)道是真的。蘋果之所以這樣做原因很簡(jiǎn)單：從兩家企業(yè)采購(gòu)芯片可以節(jié)省成本，保持彈性，從另一方面來(lái)看，蘋果又希望不同版本的手機(jī)盡可能相似。 　　在美國(guó)，Verizon/Sprint版本的iPhone和AT&T/T-Mobile版本一樣好，甚至更好一些，Verizon/
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Gartner：Note 7讓中國(guó)品牌成為最大贏家

  • 　　11月18日消息，據(jù)外媒報(bào)道，因此前三星Note 7事故頻發(fā)而被迫召回，許多機(jī)構(gòu)認(rèn)為蘋果手機(jī)會(huì)趁機(jī)銷量大漲。KGI預(yù)估iPhone的銷量可能會(huì)因此增加500萬(wàn)～700萬(wàn)部。然而來(lái)自Gartner的最新數(shù)據(jù)顯示，來(lái)自中國(guó)的手機(jī)廠商成了最大贏家。 　　   　　自9月2日三星召回Note 7之后，第三季度三星手機(jī)市場(chǎng)份額從23.6% 下降到19.2%，成為其最為失意的一個(gè)季度。Note 7事件本應(yīng)成為iPhone漲銷量的大好時(shí)機(jī)，然而事實(shí)并不如人所料。iPhone銷量不增反降。根據(jù)Ga
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IGBT變頻電源電路

  • JS為軟啟動(dòng)控制,避免上電時(shí)浪涌電流對(duì)整流模塊的沖擊。IGBT變頻電源電路:
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全橋型IGBT脈沖激光電源電路

  • V1—V4組成橋式逆變器，兩端并聯(lián)RCD吸收支路，L為限流電感，Co為儲(chǔ)能電容，Lo用于限制Co對(duì)負(fù)載氙燈的放電電流，保護(hù)氙燈。此處將限流電感L放在變壓器原邊。這除了能實(shí)現(xiàn)功率管的零電壓開(kāi)通外，例如在V1，V4關(guān)斷后，由于L的續(xù)流作用，D2...
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IGBT基本結(jié)構(gòu)及電路圖

  • IGBT實(shí)在BDMOS型功率場(chǎng)效應(yīng)管的基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的。在VDMOS結(jié)構(gòu)的漏極側(cè)N+層下，增加一個(gè)P+層發(fā)射極而行程pn，如圖1-31所示，就構(gòu)成IGBT。
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igbt 7介紹

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