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EEPW首頁 >> 主題列表 >> igbt 7

EV/HEV用IGBT將增長3倍，IGBT仿真與測試引關注

  • EV/HEV用IGBT在5年內(nèi)將增長3倍。由于EV/HEV的電力系統(tǒng)更加復雜，IGBT的熱設計與可靠性分析與測試十分重要，需要借助軟硬件結合的方式進行仿真與測試。
  • 關鍵字： EV/HEV  IGBT  熱  可靠性  201606  

三星今年直接發(fā)布Note 7 與Galaxy S7看齊

  • 　　北京時間5月25日晚間消息，國外媒體報道，來自韓國業(yè)界的可靠消息稱，三星今年晚些時候即將發(fā)布的Galaxy Note系列旗艦平板手機將被命名為Galaxy Note 7。　　三星去年發(fā)布了Galaxy Note 5，按照之前的命名順序，今年的新產(chǎn)品應該命名為Galaxy Note 6。但知情人士稱，為了與今年早些時候發(fā)布的Galaxy S7系列手機保持一致，即將發(fā)布的Galaxy Note系列手機將被命名為Galaxy Note 7，而不是Galaxy Note 6?！　≡撝槿耸糠Q，讓Galaxy
  • 關鍵字： 三星  Note 7   

Mentor為EV/HEV用IGBT推出600A仿真和測試設備

  • 　　Mentor Graphics公司近日宣布推出全新的 MicReD® Power Tester 600A 產(chǎn)品，其在功率循環(huán)中能測試電動和混合動力車 (EV/HEV) 的IGBT的可靠性。借助 MicReD Power Tester 600A 產(chǎn)品，EV/HEV 研發(fā)和可靠性工程師能測試功率半導體器件(如IGBT、MOSFET、晶體管以及充電器)，以便檢查對完成任務來說至關重要的熱可靠性和生命周期性能。 　　“中國三類客戶對此會有感興趣：1.一些OEM廠商自己在做IGBT;2.企
  • 關鍵字： Mentor  IGBT  

Mentor Graphics 推出獨特的 MicReD Power Tester 600A 解決方案，用于解決電動和混合動力車 IGBT 熱可靠性問題

  • 　　Mentor Graphics公司今天宣布推出全新的 MicReD® Power Tester 600A 產(chǎn)品，其在功率循環(huán)中能測試電動和混合動力車 (EV/HEV) 的功率半導體器件的可靠性。借助 MicReD Power Tester 600A 產(chǎn)品，EV/HEV 研發(fā)和可靠性工程師能測試功率半導體器件(如絕緣柵雙極性晶體管 – IGBT、MOSFET、晶體管以及充電器)，以便檢查對完成任務來說至關重要的熱可靠性和生命周期性能。熱可靠性問題可能導致需要召回 EV/HEV 汽車，
  • 關鍵字： Mentor Graphics  IGBT   

Fairchild推出適用于混合動力電動汽車和純電動汽車應用的分立式IGBT

  • 　　隨著Fairchild最新汽車創(chuàng)新產(chǎn)品的上市，汽車制造商及其供應商在牽引逆變器　　和其他電機驅(qū)動的元件方面將擁有更多的選擇　　全球領先的高性能功率半導體解決方案供應商Fairchild 今天發(fā)布了新產(chǎn)品，即適用于混合動力電動汽車(HEV)、充電式混合動力電動汽車(PHEV)和電動汽車(EV)應用的新型分立式IGBT和二極管和裸片，從而擴展了其不斷增加的汽車級半導體解決方案產(chǎn)品組合。 這些IGBT和二極管非常適合牽引逆變器，牽引逆變器是所有HEV、PHEV和EV的核心組件，能夠?qū)㈦姵?/li>
  • 關鍵字： Fairchild  IGBT  

Power Integrations推出革命性的SCALE-iDriver IC，將高可靠性的SCALE-2驅(qū)動器技術引入到1200 V應用中

  • 　　中等電壓和高壓逆變器應用領域IGBT和MOSFET驅(qū)動器技術的領導者Power Integrations今日推出一系列輸出電流介于2.5 A和8 A之間的電氣絕緣的單通道門極驅(qū)動器IC，8 A是目前業(yè)內(nèi)不采用外部推動級的最大輸出電流。SCALE-iDriver? IC可同時為IGBT和MOSFET提供驅(qū)動，也是首款將Power Integrations首創(chuàng)的FluxLink?磁感雙向通信技術引入1200 V驅(qū)動器應用的產(chǎn)品。Flux
  • 關鍵字： Power Integrations  IGBT  

Power Integrations推出革命性的SCALE-iDriver IC，將高可靠性的SCALE-2驅(qū)動器技術引入到1200 V應用中

  • 　　中等電壓和高壓逆變器應用領域IGBT和MOSFET驅(qū)動器技術的領導者Power Integrations今日推出一系列輸出電流介于2.5 A和8 A之間的電氣絕緣的單通道門極驅(qū)動器IC，8 A是目前業(yè)內(nèi)不采用外部推動級的最大輸出電流。SCALE-iDriver? IC可同時為IGBT和MOSFET提供驅(qū)動，也是首款將Power Integrations首創(chuàng)的FluxLink?磁感雙向通信技術引入1200 V驅(qū)動器應用的產(chǎn)品。Flux
  • 關鍵字： Power Integrations  IGBT  

解析IGBT的工作原理及作用

  • 　　本文通過等效電路分析，通俗易懂的講解IGBT的工作原理和作用，并精簡的指出了IGBT的特點?？梢哉f，IGBT是一個非通即斷的開關，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。 　　IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。 　
  • 關鍵字： IGBT  MOSFET  

蘋果業(yè)績很糟糕 但華爾街看好iPhone 7

  • 　　蘋果周二晚間發(fā)布了第二財季財報，業(yè)績相當糟糕。蘋果第二財季營收為506億美元，同比減少13%;第二財季每股收益1.90美元，同比減少22%。這樣的業(yè)績顯然未能達到華爾街的預期。 　　但 是華爾街的分析師們在最新投資者報告中依然看好蘋果。他們在周三早上發(fā)布的投資者報告中指出，iPhone銷量下滑固然是個不好的消息，而且也許本財年剩 余時間的iPhone銷量可能還會下滑，但是市場已經(jīng)消化了這一因素并且反映到股價上。分析師們把眼光放到了蘋果計劃在秋季推出的iPhone 7上，他們相信這款新產(chǎn)品會推動iPh
  • 關鍵字： 蘋果  iPhone 7  

IGBT模塊封裝底板的氧化程度對焊接空洞率的影響分析

  • 本文簡介了IGBT模塊的主要封裝工藝流程，并在相同的實驗條件下，對兩組不同氧化程度的模塊分別進行超聲波無損檢測掃描，將掃描圖像載入空洞統(tǒng)計分析軟件，通過對比兩組空洞率數(shù)據(jù)發(fā)現(xiàn)：非氧化底板焊接空洞率較低，氧化底板的焊接空洞率普遍偏大。基于本實驗的結果，本文建議IGBT模塊在封裝之前，應對散熱底板做好防腐處理，以確保底板不被氧化。
  • 關鍵字： IGBT  底板  氧化  空洞率  超聲波檢測  201605  

押寶iPhone 7 能否挽救蘋果頹勢？

  • 蘋果目前全力押寶iPhone7，但是如果蘋果對這款救場的產(chǎn)品期待過高，往往會將自身陷入沒有退路與騰挪空間窘境之中。
  • 關鍵字： 蘋果  iPhone 7   

有關iPhone 7 Plus的靠譜信息都在這兒

  • 距離iPhone 7發(fā)布還有5個月，傳言已經(jīng)開始了。
  • 關鍵字： 騰訊科技  iPhone 7  

工業(yè)強基：工信部今年打算怎么干？

  • 　　工業(yè)基礎能力不強，關鍵核心零部件受制于人，工業(yè)發(fā)展如何補短板?解放日報·上海觀察從國家工信部12日發(fā)布的《工業(yè)強基2016專項行動實施方案》獲悉，今年工信部將推動重點領域發(fā)展，實施“一攬子”突破行動，重點突破40種左右標志性核心基礎零部件(元器件)、關鍵基礎材料、先進基礎工藝。 　　 ? 　　“工業(yè)大而不強”，是我國工業(yè)發(fā)展的總體現(xiàn)狀。上海機床廠剛剛下線的國內(nèi)首臺進入汽車主機廠發(fā)動機生產(chǎn)線的“MK8220/S
  • 關鍵字： IGBT  中國制造2025  

支持Cat.7 展訊中高端芯片機會頗豐

  • 中移動要求從10月1日起支持Cat7，聯(lián)發(fā)科、海思心里有點苦，但是這也為國內(nèi)其他芯片廠商一個機會，比如：展訊。
  • 關鍵字： 展訊  Cat.7  
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igbt 7介紹

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