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英飛凌RC-E系列單管IGBT可直接升級現(xiàn)有設計,樹立性價比新基準
- 感應加熱電器通常采用諧振拓撲結(jié)構(gòu),需要單管IGBT在18 kHz至40 kHz的開關頻率范圍內(nèi)表現(xiàn)出最佳性能。英飛凌科技股份公司推出能夠滿足這些需求的全新單管IGBT器件。全新RC-E系列的成本和功能經(jīng)專門優(yōu)化,可滿足高性價比電磁爐和電磁電飯煲的需求。 單片集成逆導二極管 全新RC-E系列IGBT采用單片集成逆導二極管實現(xiàn)諧振開關。這有助于降低器件的開關損耗和導通損耗。更低損耗支持設計師更輕松實現(xiàn)感應加熱電器的效率和功率目標,降低功耗,進而降低消費者的使用成本。該系列具備較低的關斷損耗(E
- 關鍵字: 英飛凌 IGBT
4.5kV IGBT/二極管芯片組在高壓直流輸電領域的應用
- 制造商已經(jīng)為高壓直流 (HVDC) 應用開發(fā)出新的 4.5kV 絕緣柵雙極晶體管 (IGBT)/ 二極管芯片組并對其性能進行了優(yōu)化 。這種芯片組的特點是導通電壓損耗非常低、具備大電流高電壓快速開通行為和高魯棒性的短路行為。在
- 關鍵字: FZ1200R45HL3 英飛凌科技 IGBT
NYT:三星調(diào)查Note 7事件 投入上百工程師還找不出原因
- 據(jù)彭博(Bloomberg)報導,調(diào)查人員認為,近期三星電子(Samsung Electronics)新版Galaxy Note 7(以下簡稱Note 7)智能型手機再傳出過熱起火的原因,可能與9月時首次召回發(fā)現(xiàn)的瑕疵有所不同。而一系列的爆炸起火事件重創(chuàng)了三星的品牌聲譽,迫使該公司正式宣布全面召回,同時停售、停產(chǎn)。 根據(jù)消息人士透露,初步調(diào)查認為,最近幾起的Note 7電池過熱源自于大陸電池業(yè)者新能源科技(Amperex Technology Limited;ATL)所生產(chǎn)的電池有瑕疵。此前,A
- 關鍵字: 三星 Note 7
三星Note 7停賣,誰最受傷?
- 繼Galaxy Note 7智能手機召回換新后仍出現(xiàn)過熱起火事件,三星電子周二宣布,在經(jīng)歷了電池爆炸起火事件后,現(xiàn)決定永久停止生產(chǎn)和銷售Galaxy Note7智能手機,希望盡早結(jié)束公司歷史上這一最恥辱的事件之一。 據(jù)三星內(nèi)部人士的消息稱:“雖然美國消費者產(chǎn)品安全委員會認為這并不是一款重大瑕疵產(chǎn)品,但重新生產(chǎn)和銷售Note7也不是一件容易的事情。”三星在公告中稱,為了對近期Note7出現(xiàn)燒毀現(xiàn)象進行認真調(diào)查,并強化品質(zhì)管理,以用戶安全為上,現(xiàn)決定中斷Note7的生產(chǎn)和銷售
- 關鍵字: 三星 Note 7
Littelfuse的新型半橋IGBT模塊將額定電流提升至600A,確保靈活、高效、可靠的電源轉(zhuǎn)換
- Littelfuse, Inc.今天宣布推出IGBT模塊功率半導體產(chǎn)品組合的最新產(chǎn)品系列——MG12600WB-BR2MM。 相比該產(chǎn)品組合之前產(chǎn)品的最高額定電流(450A),新型半橋IGBT模塊系列(1200V,600A)可為設計師提供顯著更高的額定電流,能夠依托現(xiàn)代IGBT技術(shù)可靠、靈活地提供高效快速的開關速度。 該模塊的緊湊(152 x 62 x 17毫米)封裝可簡化熱管理,并支持更加簡單、精密的系統(tǒng)設計。 該多芯片模塊能夠降低焊點與PC電路板空間要求。 本次發(fā)布的產(chǎn)品采
- 關鍵字: Littelfuse IGBT
基于雙DSP的無刷直流電機控制器硬件設計和實現(xiàn)
- 根據(jù)無刷直流電機理論和系統(tǒng)的要求,以雙TMS320F2812 DSP處理器為核心,針對系統(tǒng)的高可靠性要求,進行了無刷直流電機控制器的硬件電路設計并對核心電路進行分析、仿真和實驗驗證;結(jié)果表明,該硬件電路可實現(xiàn)無刷直流電機正常調(diào)速的控制需求,相應性能指標可滿足系統(tǒng)需求。
- 關鍵字: 雙DSP 無刷直流電機 IGBT 旋轉(zhuǎn)變壓器 BLDC
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