igbt 7 文章進(jìn)入igbt 7技術(shù)社區(qū)

能實(shí)現(xiàn)更高的電流密度和系統(tǒng)可靠性的IGBT模塊

隨著全球?qū)稍偕茉吹娜找骊P(guān)注以及對(duì)效率的需求，高效率，高可靠性成為功率電子產(chǎn)業(yè)不斷前行的關(guān)鍵。Nexperia（安世半導(dǎo)體）的 IGBT 產(chǎn)品系列優(yōu)化了開(kāi)關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗, 兼顧馬達(dá)驅(qū)動(dòng)需求的高溫短路耐受能力，實(shí)現(xiàn)更高的電流密度和系統(tǒng)可靠性。自推出以來(lái)，絕緣柵雙極晶體管（IGBT）由于其高電壓、大電流、低損耗等優(yōu)勢(shì)特點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于馬達(dá)驅(qū)動(dòng)，光伏，UPS，儲(chǔ)能，汽車(chē) 等領(lǐng)域。變頻器變頻器由于“節(jié)能降耗”等優(yōu)勢(shì)，廣泛的使用在電機(jī)驅(qū)動(dòng)的各個(gè)領(lǐng)域。讓我們先來(lái)走進(jìn)變頻器，看看變頻器的典型電路。“交—直—交”電路
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康普RUCKUS推出首個(gè)由RUCKUS AI驅(qū)動(dòng)的企業(yè)級(jí)Wi-Fi 7解決方案——R770接入點(diǎn)

全球優(yōu)秀的網(wǎng)絡(luò)連接解決方案提供商康普旗下品牌RUCKUS推出市場(chǎng)領(lǐng)先的企業(yè)級(jí) Wi-Fi 7 接入點(diǎn)（AP）—— R770。該平臺(tái)將利用 Wi-Fi 7的高級(jí)功能和RUCKUS?的創(chuàng)新技術(shù)，面向RUCKUS所服務(wù)的處于挑戰(zhàn)性環(huán)境中的行業(yè)提供更優(yōu)性能。這一AI驅(qū)動(dòng)型解決方案是RUCKUS 產(chǎn)品組合中的最新成員，為目標(biāo)驅(qū)動(dòng)型網(wǎng)絡(luò)提供了更高階的選擇。RUCKUS R770 平臺(tái)由 RUCKUS AI? 驅(qū)動(dòng)。RUCKUS AI? 是一款網(wǎng)絡(luò)保障和商業(yè)智能云服務(wù)，可增強(qiáng) Wi-Fi 7 網(wǎng)絡(luò)的彈性。RUCKUS
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SiC MOSFET 器件特性知多少？

對(duì)于高壓開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用，碳化硅或 SiC MOSFET 與傳統(tǒng)硅 MOSFET 和 IGBT 相比具有顯著優(yōu)勢(shì)。開(kāi)關(guān)超過(guò) 1,000 V的高壓電源軌以數(shù)百 kHz 運(yùn)行并非易事，即使是最好的超結(jié)硅 MOSFET 也難以勝任。IGBT 很常用，但由于其存在“拖尾電流”且關(guān)斷緩慢，因此僅限用于較低的工作頻率。因此，硅 MOSFET 更適合低壓、高頻操作，而 IGBT 更適合高壓、大電流、低頻應(yīng)用。SiC MOSFET 很好地兼顧了高壓、高頻和開(kāi)關(guān)性能優(yōu)勢(shì)。它是電壓控制的場(chǎng)效應(yīng)器件，能夠像 IGBT 一樣進(jìn)行高壓
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充分利用IGBT的關(guān)鍵在于要知道何時(shí)、何地以及如何使用它們

如今，碳化硅 (SiC)和氮化鎵 (GaN) 等寬禁帶半導(dǎo)體風(fēng)頭正盛。但在此之前，絕緣柵雙極晶體管 (IGBT)才是電力電子行業(yè)的主角。本文將介紹IGBT在哪些應(yīng)用中仍能發(fā)揮所長(zhǎng)，然后快速探討一下這些多用途器件的未來(lái)前景。焊接機(jī)許多現(xiàn)代化焊接機(jī)使用逆變器，而非焊接變壓器，因?yàn)橹绷鬏敵鲭娏骺梢蕴岣吆附庸に嚨目刂凭?。更多?yōu)勢(shì)還包括直流電流比交流電流更安全，并且采用逆變器的焊接機(jī)具有更高的功率密度，因此重量更輕。圖 1：焊接機(jī)框圖焊接逆變器常用的開(kāi)關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)包括全橋、半橋和雙管正激，而恒定電流是最常用的控制方
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英飛凌推出面向高能效電源應(yīng)用的第七代分立式650V TRENCHSTOP IGBTs H7新品

英飛凌科技股份公司近日推出分立式650V IGBT7 H7新品，進(jìn)一步擴(kuò)展其第七代TRENCHSTOP? IGBT產(chǎn)品陣容。全新器件配備尖端的EC7共封裝二極管，先進(jìn)的發(fā)射器控制設(shè)計(jì)結(jié)合高速技術(shù)，以滿(mǎn)足對(duì)環(huán)保和高效電源解決方案日益增長(zhǎng)的需求。TRENCHSTOP IGBT7 H7采用最新型微溝槽柵技術(shù)，具有出色的控制和性能，能夠大幅降低損耗，提高效率和功率密度。因此，該半導(dǎo)體器件適合用于各種應(yīng)用，如組串式逆變器、儲(chǔ)能系統(tǒng)（ESS）、電動(dòng)汽車(chē)充電應(yīng)用以及如工業(yè)UPS和焊接等傳統(tǒng)應(yīng)用。?在分立式封裝
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?WiFi 7的號(hào)角吹響了

當(dāng)人們還在用著 WiFi 5 或 WiFi 6 時(shí)，最高速率可達(dá) 46Gbps 的 WiFi 7，已經(jīng)距離我們?cè)絹?lái)越近了。前不久，英特爾推出了其首款 WiFi 7 控制器和適配器，并且表示產(chǎn)品將在今年上市。目前，英特爾已經(jīng)在官網(wǎng)列出了兩款 WiFi 7 網(wǎng)卡：BE200 和 BE202。雖然電氣和電子工程師協(xié)會(huì)（IEEE）還未正式批準(zhǔn) WiFi 7（802.11be）規(guī)范，但市場(chǎng)上已經(jīng)圍繞 WiFi 7 開(kāi)啟了明爭(zhēng)暗斗。WiFi 7 的開(kāi)始上市PC 端作為全球最大的筆記本電腦組件供應(yīng)商之一，英特爾也在想方
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貿(mào)澤電子開(kāi)售支持智能家居和便攜式消費(fèi)設(shè)備的Qorvo QM45639 Wi-Fi 7前端模塊

專(zhuān)注于推動(dòng)行業(yè)創(chuàng)新的知名新品引入 (NPI) 代理商?貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起供貨Qorvo的QM45639 5 GHz至7 GHz Wi-Fi? 7前端模塊 (FEM)。Wi-Fi 7提供比6 GHz頻譜更寬的信道和容量增益，從而帶來(lái)巨大的吞吐量提升。Wi-Fi 7的峰值速率超過(guò)40 Gbps，比Wi-Fi 6E快4倍。QM45639 FEM可為游戲和工作環(huán)境中的個(gè)人電腦提供快如閃電的無(wú)線(xiàn)連接，并為客戶(hù)現(xiàn)場(chǎng)設(shè)備、智能家居設(shè)備、便攜式消費(fèi)電子產(chǎn)品和可穿戴設(shè)備提供卓越的性能
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onsemi NCD57000 IGBT MOSFET 驅(qū)動(dòng)IC 應(yīng)用于工業(yè)馬達(dá)控制器

1.方案介紹:NCD57000 是一種具有內(nèi)部電流隔離的高電流單通道驅(qū)動(dòng)器，專(zhuān)為高功率應(yīng)用的高系統(tǒng)效率和高可靠性而設(shè)計(jì)。其特性包括互補(bǔ)的輸入端（IN+ 和 IN-）、漏極開(kāi)路或故障偵測(cè)功能、有源米勒箝位功能、也配備了精確的 UVLO和DESAT保護(hù)能力(Programmable Delay) ，其中DESAT 時(shí)的軟關(guān)斷以及獨(dú)立的高低驅(qū)動(dòng)器輸出（OUTH 和 OUTL）皆可用以方便系統(tǒng)設(shè)計(jì)及開(kāi)發(fā)。 NCD57000 可在輸入側(cè)提供 5
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具有反向阻斷功能的新型 IGBT

新型 IGBT 已開(kāi)發(fā)出來(lái)，具有反向阻斷能力。各種應(yīng)用都需要此功能，例如電流源逆變器、諧振電路、雙向開(kāi)關(guān)或矩陣轉(zhuǎn)換器。本文介紹了單片芯片的技術(shù)及其運(yùn)行行為，并通過(guò)典型電路中的個(gè)樣本進(jìn)行了測(cè)量。新型 IGBT 已開(kāi)發(fā)出來(lái)，具有反向阻斷能力。各種應(yīng)用都需要此功能，例如電流源逆變器、諧振電路、雙向開(kāi)關(guān)或矩陣轉(zhuǎn)換器。本文介紹了單片芯片的技術(shù)及其運(yùn)行行為，并通過(guò)典型電路中的個(gè)樣本進(jìn)行了測(cè)量。簡(jiǎn)介：應(yīng)用需要具有反向阻斷能力的單向電流可控開(kāi)關(guān)的典型電路可分為：傳統(tǒng)電流源逆變器如圖1所示具有電流源的諧振轉(zhuǎn)換器如圖 2 所
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Wi-Fi的發(fā)展歷程和Richtek在Wi-Fi 7中的電源解決方案

Wi-Fi 在 1999 年就出現(xiàn)了，但 Wi-Fi 6 是 2018 年才誕生的一個(gè)名詞，在此之前并無(wú) Wi-Fi 5 之類(lèi)的更早的東西，那時(shí)的我這樣的普通人只能看著 Wi-Fi 設(shè)備上寫(xiě)的符合 IEEE 802.11/a/b/g 之類(lèi)的字符串，完全不知道在說(shuō)什么，直到 Wi-Fi 聯(lián)盟覺(jué)得應(yīng)該用一個(gè)簡(jiǎn)單的數(shù)字來(lái)讓我們有一個(gè)清晰的代際劃分，這才有了 Wi-Fi 4~6 的出現(xiàn)，它們其實(shí)就是 IEEE 802.11 無(wú)線(xiàn)互聯(lián)網(wǎng)技術(shù)的一個(gè)實(shí)現(xiàn)，所以我覺(jué)得這個(gè)東西就是先有了兒子才有了父親，然后現(xiàn)在孫子又出來(lái)了
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IGBT驅(qū)動(dòng)芯片進(jìn)入可編程時(shí)代，英飛凌新品X3有何玄機(jī)？

俗話(huà)說(shuō)，好馬配好鞍，好IGBT自然也要配備好的驅(qū)動(dòng)IC。一顆好的驅(qū)動(dòng)不僅要提供足夠的驅(qū)動(dòng)功率，最好還要有完善的保護(hù)功能，例如退飽和保護(hù)、兩電平關(guān)斷、軟關(guān)斷、欠壓保護(hù)等，為IGBT的安全運(yùn)行保駕護(hù)航。然而有保護(hù)功能的驅(qū)動(dòng)芯片，大部分的參數(shù)都是固定的，或者是只能靠外圍器件進(jìn)行粗放的調(diào)節(jié)。對(duì)于退飽和保護(hù)來(lái)說(shuō)，內(nèi)部電流源的電流是固定的，短路消隱時(shí)間只能靠調(diào)節(jié)外接電容大小來(lái)調(diào)整。對(duì)于兩電平關(guān)斷功能來(lái)說(shuō)，兩電平持續(xù)的時(shí)間和電位需要靠外接電容和齊納二極管來(lái)實(shí)現(xiàn)。而軟關(guān)斷電流及米勒鉗位電流對(duì)于某一顆芯片來(lái)說(shuō)也是固定的，無(wú)
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全球最快：高通實(shí)現(xiàn) 7.5Gbps 的 Sub-6GHz 頻段 5G 下行傳輸速度

IT之家 8 月 9 日消息，高通公司今日宣布，他們利用驍龍 X75 5G 調(diào)制解調(diào)器，在 Sub-6GHz 頻段實(shí)現(xiàn)了高達(dá) 7.5Gbps 的下行傳輸速度，創(chuàng)造了全新紀(jì)錄。高通在今年 2 月推出了全新的驍龍 X75 5G 基帶芯片，這是全球首款支持“5G Advanced-ready”的基帶芯片，支持十載波聚合，并承諾在 Wi-Fi 7 和 5G 中實(shí)現(xiàn) 10Gbps 下行速度。高通表示，驍龍 X75 目前正在出樣，商用終端預(yù)計(jì)將于 2023 年下半年發(fā)布，包括智能手機(jī)、移動(dòng)寬帶、汽車(chē)、計(jì)算、
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英飛凌擴(kuò)展1200 V 62 mm IGBT7產(chǎn)品組合，推出全新電流額定值模塊

【2023年8月4日，德國(guó)慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出搭載1200 V TRENCHSTOP? IGBT7芯片的62 mm半橋和共發(fā)射極模塊產(chǎn)品組合。模塊的最大電流規(guī)格高達(dá) 800 A ，擴(kuò)展了英飛凌采用成熟的62 mm 封裝設(shè)計(jì)的產(chǎn)品組合。電流輸出能力的提高為系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員在設(shè)計(jì)額定電流更高方案的時(shí)候，不僅提供最大的靈活性，還提供更高的功率密度和更優(yōu)秀的電氣性能。新型模塊專(zhuān)為滿(mǎn)足集中式太陽(yáng)能逆變器以及工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)和不間斷電源（UPS）的需求而開(kāi)發(fā)。
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干貨碼住丨深度剖析IGBT柵極驅(qū)動(dòng)注意事項(xiàng)

IGBT晶體管的結(jié)構(gòu)要比 MOSFET 或雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 復(fù)雜得多。它結(jié)合了這兩種器件的特點(diǎn)，并且有三個(gè)端子：一個(gè)柵極、一個(gè)集電極和一個(gè)發(fā)射極。就柵極驅(qū)動(dòng)而言，該器件的行為類(lèi)似于 MOSFET。它的載流路徑與 BJT 的集電極-發(fā)射極路徑非常相似。圖 1 顯示了 n 型 IGBT 的等效器件電路。圖 1. IGBT的等效電路一?了解基本驅(qū)動(dòng)器圖 2. IGBT的導(dǎo)通電流了快速導(dǎo)通和關(guān)斷 BJT，必須在每個(gè)方向上硬驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O電流，以將載流子移入和移出基極區(qū)。當(dāng) MOSFET 的柵極被驅(qū)動(dòng)
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英飛凌與賽米控丹佛斯簽訂電動(dòng)汽車(chē)芯片供貨協(xié)議

英飛凌在近日表示，與賽米控丹佛斯簽署了一份多年批量供應(yīng)硅基電動(dòng)汽車(chē)芯片的協(xié)議。英飛凌將為賽米控丹佛斯供應(yīng)由IGBT和二極管組成的芯片組。這些芯片主要用于逆變器的功率模塊，而逆變器用于電動(dòng)汽車(chē)的主驅(qū)動(dòng)。根據(jù)協(xié)議，賽米控丹佛斯的IGBT和二極管將由英飛凌在德國(guó)德累斯頓和馬來(lái)西亞居林的工廠生產(chǎn)。IGBT依然緊缺根據(jù)供應(yīng)鏈消息顯示，目前IGBT缺貨基本在39周以上，供需缺口已經(jīng)拉長(zhǎng)到50%以上，市場(chǎng)部分料號(hào)供貨周期還是維持在52周。作為行業(yè)龍頭的英飛凌，其去年IGBT訂單已處于超負(fù)荷接單狀態(tài)，整體積壓訂單金額超過(guò)
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