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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> igbt fs7

一種內(nèi)置隔離電源的混合集成IGBT驅(qū)動(dòng)器

  • 1 引言　　igbt（isolated gate bipolartransistor），即絕緣柵型雙極性晶體管具有優(yōu)越的低飽和壓降，較高的電壓和較大的電流輸出等特點(diǎn)，在功率電子相關(guān)產(chǎn)業(yè)得到更為廣泛的應(yīng)用和關(guān)注。為了使igbt在大功率系統(tǒng)發(fā)揮更
  • 關(guān)鍵字： IGBT  驅(qū)動(dòng)器  集成  混合  隔離  電源  內(nèi)置  

應(yīng)用于工業(yè)牽引的軟穿通IGBT技術(shù)的大功率模塊

  • 1　引言　　隨著軟穿通igbt技術(shù)的引入，產(chǎn)生了igbt設(shè)計(jì)上和特性上的新標(biāo)準(zhǔn)，特別適用于中等功率的市場(chǎng)。將傳統(tǒng)的npt（非穿通型）igbt的高強(qiáng)度和低損耗兩個(gè)特點(diǎn)相結(jié)合，已經(jīng)使spt-igbt成為1200v-1700v電壓范圍的標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)
  • 關(guān)鍵字： 大功率  模塊  技術(shù)  IGBT  工業(yè)  牽引  應(yīng)用  

什么是igbt

  • 什么是igbtIGBT就是大功率絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管 ，在大功率電源上或變頻器上廣泛使用.1.IGBT的基本結(jié)構(gòu)絕緣柵 ...
  • 關(guān)鍵字： igbt  

IGBT在電磁爐應(yīng)用研究

  • 本文先介紹IGBT在電磁爐的應(yīng)用，分析電磁爐的各種控制電路，根據(jù)IGBT在電磁爐最普遍的應(yīng)用方式，分析IGBT可能會(huì)出現(xiàn)故障的原因，提出IGBT在電磁爐應(yīng)用過(guò)程中應(yīng)注意的事項(xiàng)，提高IGBT的可靠性，從而達(dá)到提高電磁爐的安全可靠性的目的。
  • 關(guān)鍵字： 電磁爐  控制電路  IGBT  201201  

逆變H橋IGBT單管驅(qū)動(dòng)+保護(hù)詳解

  • 這幾天沉下心來(lái)專門(mén)給逆變器的后級(jí)，也就是大家熟悉的H橋電路換上了IGBT管子，用來(lái)深入了解相關(guān)的特性。大家都知道，IGBT單管相當(dāng)?shù)拇嗳酰瑯与娏魅萘康腎GBT單管，比同樣電流容量的MOSFET脆弱多了，也就是說(shuō)，在逆變
  • 關(guān)鍵字： 保護(hù)  詳解  驅(qū)動(dòng)  單管  IGBT  逆變  

中頻電阻焊機(jī)電源的IGBT保護(hù)

  • 引言　　電阻焊是一種重要的焊接工藝，具有生產(chǎn)效率高、成本低、節(jié)省材料和易于自動(dòng)化等特點(diǎn)。IGBT是一種用MOS管來(lái)控制晶體管的電力電子器件，具有電壓高、電流大、頻率高、導(dǎo)通電阻小等特點(diǎn)。本文從實(shí)際應(yīng)用出發(fā)，總
  • 關(guān)鍵字： IGBT  保護(hù)  電源  焊機(jī)  電阻  中頻  

IGBT 驅(qū)動(dòng)器提供可靠保護(hù)

功率器件IGBT在不間斷電源（UPS）中的應(yīng)用

  • 1. 引言
    　　
    在UPS 中使用的功率器件有雙極型功率晶體管、功率MOSFET、可控硅和IGBT，IGBT 既有功率MOSFET 易于驅(qū)動(dòng)，控制簡(jiǎn)單、開(kāi)關(guān)頻率高的優(yōu)點(diǎn)，又有功率晶體管的導(dǎo)通電壓低，通態(tài)電流大的優(yōu)點(diǎn)、使用IGBT 成為
  • 關(guān)鍵字： UPS  應(yīng)用  電源  間斷  器件  IGBT  功率  

IGBT安全工作區(qū)的物理概念和超安全工作區(qū)工作的失效機(jī)理

  • 摘要：本文闡述了各安全工作區(qū)的物理概念和超安全工作區(qū)工作的失效機(jī)理。討論了短路持續(xù)時(shí)間Tsc和柵壓Vg、集電極—發(fā)射極導(dǎo)通電壓Vce(on)及短路電流Isc的關(guān)系。關(guān)鍵詞：安全工作區(qū) 失效機(jī)理 短路電流Tsc1、
  • 關(guān)鍵字： 安全  工作區(qū)  失效  機(jī)理  工作  物理  IGBT  概念  

基于IGBT器件的大功率DC/DC電源并聯(lián)技術(shù)研究

  • 中心議題： 大功率直流電源的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu) 大功率直流電源的控制方案 電源的數(shù)據(jù)傳輸拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)
    本文基于IGBT器件，利用DC/DC電源并聯(lián)技術(shù)設(shè)計(jì)大功率直流電源。該電源可用作EAST托卡馬克裝置中的大功率垂直位移快
  • 關(guān)鍵字： 電源  技術(shù)  研究  DC/DC  大功率  IGBT  器件  基于  

IGBT及其子器件的四種失效模式介紹

  • IGBT及其子器件的四種失效模式介紹,本文通過(guò)案例和實(shí)驗(yàn)，概述了四種IGBT及其子器件的失效模式：MOS柵擊穿、IGBT-MOS閾值電壓漂移、IGBT有限次連續(xù)短路脈沖沖擊的積累損傷和靜電保護(hù)用高壓npn管的硅熔融。

    關(guān)鍵詞：柵擊穿 閾值電壓漂移 積累損傷 硅熔融

  • 關(guān)鍵字： 模式  介紹  失效  器件  及其  IGBT  

IGBT及其子器件的四種失效模式比較

  • 摘要：本文通過(guò)案例和實(shí)驗(yàn)，概述了四種IGBT及其子器件的失效模式：MOS柵擊穿、IGBT-MOS閾值電壓漂移、IGBT有限次連續(xù)短路脈沖沖擊的積累損傷和靜電保護(hù)用高壓npn管的硅熔融。

    關(guān)鍵詞：柵擊穿 閾值電壓漂移 積累損傷 硅熔融

  • 關(guān)鍵字： 模式  比較  失效  器件  及其  IGBT  

IGBT逆變焊機(jī)電磁騷擾的抑制

  • 1引言在GB15579.10-2008強(qiáng)制性國(guó)標(biāo)即將實(shí)施之際，如何改善逆變焊機(jī)的電磁兼容性（EMC），使之符合標(biāo)準(zhǔn)要求已...
  • 關(guān)鍵字： IGBT  逆變焊機(jī)  電磁騷擾  

IGBT在客車(chē)系統(tǒng)逆變器中的應(yīng)用與保護(hù)

  • 核心內(nèi)容:IGBT在DC600V中的應(yīng)用過(guò)壓和欠壓保護(hù)過(guò)熱保護(hù)應(yīng)用方法：減小主電路的布線電感增加的緩沖二極 ...
  • 關(guān)鍵字： IGBT  逆變器  應(yīng)用  

關(guān)于IGBT保護(hù)電路設(shè)計(jì)必知問(wèn)題

  • 1引言IGBT（絕緣柵雙極性晶體管）是一種用MOS來(lái)控制晶體管的新型電力電子器件，具有電壓高、電流大、頻...
  • 關(guān)鍵字： IGBT保護(hù)電路  IGBT  保護(hù)電路  
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igbt fs7介紹

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